一、双掺杂单畴硫酸三甘氨酸热释电晶体ATGSAs（论文文献综述）
房昌水,王民,卓洪升[1]（1990）在《双掺杂单畴硫酸三甘氨酸热释电晶体ATGSAs》文中进行了进一步梳理
胡文成[2]（2008）在《热释电机理及BST薄膜性能研究》文中研究说明非致冷焦平面阵列（Uncooled Focal Plane Array，UFPA）的热成像系统具有高密度、高性能、低成本、低功耗及小型化的特点，是目前红外热成像领域中最具前途的发展方向。热释电材料是红外焦平面阵列的关键技术之一，因此，这方面材料的理论和性能是当今材料科学和微电子科学领域的研究前沿。本文在热释电材料热释电理论和BaxSr1-xTiO3（BST）热释电薄膜方面主要进行了研究，通过传统铁电材料的热力学模型，推导了热释电晶体的热释电方程，并对实际晶体进行模拟，得出了相应的拟合结果，并对相应的物理参数进行了描述；在铁电材料热力学理论基础上，引入熵值，在爱因斯坦振动理论基础上，通过替代，建立了热释电晶体的赝热力学模型，并对TGS系列晶体进行拟合，得出的结果比传统热力学模型更接近实际热释电曲线；在设定铁电材料的偶极子和非偶极子所建立的热力学平衡基础上，引入传统的热力学概念，并设定热释电薄膜为三明治结构，建立了热释电薄膜的热力学平衡模型，并对实际热释电薄膜Pb0．95Er0．05(Zr0．52Ti0．48)O3（PEZT），Ba0．8Sr0．2TiO3（BST80），Ba0．66Sr0．34TiO3（BST66）和Sr0．255La0．03Ba0．7Nb1．95Ti0．05O5．95／2（SLBNT）等进行拟合，拟合的结果与实际的热释电曲线一致，并对热力学平衡模型的物理参数进行了比较和说明；采用多工位平面磁控溅射装置制备BST薄膜，研究了650℃下退火的薄膜介电-温度特性、电滞回线等性能，剩余极化和饱和电场分别为4．1μC／cm2和60．9kV／cm，晶粒尺寸可达80nm左右，居里点在19℃附近。采用sol-gel法准备了BST薄膜，研究了溶胶浓度及薄膜在不同温度、不同退火时间对BST薄膜表面形貌的影响，得出了适宜的溶胶浓度。同时发现，在长时间退火下，BST薄膜的表面出现比较大的岛状结构，该结构对BST薄膜的性能有不利的影响；通过BST薄膜的介电-温度特性，计算得出了这两种方法制备的BST薄膜的热释电系数-温度曲线，并应用热力学平衡模型进行了模拟，得出了模型中各参数的数值；研究了Sn掺杂BST薄膜，Sn的掺入并未使BST薄膜晶粒尺寸受到影响，但介电常数明显降低。Sn离子存在多种变价离子，且占据ABO3的B位，因此对空位有一定的钉扎作用，改善了BST薄膜的电性能。研究了La掺杂BST薄膜，La的掺入明显降低了BST薄膜的晶粒尺寸，且介电常数也降低，削弱了BST薄膜的介电性能，但漏电流性能有所提高。进一步研究了BST与La掺杂BST交替生长的BST／BSLaT／BST薄膜，明显增大了晶粒尺寸，兼有BST薄膜的介电性能和La掺杂BST薄膜的漏电流特性；通过BST薄膜的介电-温度特性，计算得出了这三种方法制备的BST薄膜的热释电系数-温度曲线，并应用热力学平衡模型进行了模拟，得出了模型中各参数的数值；在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备的BST薄膜，经退火后发现Pt电极的Pt原子向BST薄膜发生扩散，并存在一定的扩散深度。在BST薄膜和Pt层界面处主要是以体扩散为主，而在较远的距离发生晶界扩散。Pt原子在BST薄膜中的扩散严重影响了BST薄膜的电性能；研究了Sol-gel法制备LNO电极工艺和LNO薄膜的性能，实验中发现，在700℃下退火的LNO薄膜在（200）面高度定位，电阻率和方块电阻分别达到0．0037Ω·cm和76Ω／□，完全适用于BST薄膜的底电极；研究了BST薄膜和Sn掺杂BST薄膜在LNO底电极上的沉积，通过与在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上沉积的BST薄膜比较发现：BST薄膜和BSTS薄膜的介电常数和介电损耗均有降低，且漏电流特性明显提高。
王民,房昌水[3]（1987）在《双掺杂铁电晶体ATGSP的非均匀性研究》文中研究说明本文叙述了用籽晶法在水溶液中培育大尺寸ATGSP单晶,用缀饰法研究了铁电畴的分布状态;用电滞回线法测定了不同部位的内偏压电场等物理参数。发现双掺杂的ATGSP晶体在±b轴方向上的生长速度显着不同,快生长方向一侧的晶体内偏压场低,掺杂极不均匀,晶体自然面在b截面上留下明显痕迹;而慢生长一侧的晶体内偏场高,掺杂均匀。
向军涛[4]（2015）在《稀土掺杂弛豫铁电材料的单晶生长与性能表征》文中研究表明PMNT（Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-Pb Ti O3）弛豫铁电单晶材料以其理想的铁电压电介电性能以及高相转变温度而备受关注,近年来该单晶生长难度大的问题得到成功解决,大尺寸高质量的PMNT单晶已被投入使用。以NBT（Na1/2Bi1/2Ti O3）铁电单晶为代表的无铅压电铁电体具有较好的铁电压电性能,在含铅材料对环境带来破坏性影响的背景下有着铅基铁电材料无法比拟的优势,这使其非常具有研究价值。本论文基于稀土掺杂铁电材料的上转换发光研究进展,选择了PMNT和NBT这两种典型的铁电单晶体进行稀土掺杂研究,考察了稀土掺杂对单晶电学性能的影响效果,并对稀土掺杂铁电单晶体的荧光性能进行了初步探索,获得了以下研究成果。以化学计量比控制Er3+在PMNT中的掺入位置,采用分步高温固相反应法预先合成出钙钛矿相结构的Er3+A位和B位掺杂PMNT多晶料,以质量良好的PMNT单晶作为籽晶,通过坩埚下降法生长出Er3+不同部位取代的PMNT单晶,根据XRD分析证明所获得晶体为单一钙钛矿结构,结合相结构特征以及吸收或透射光谱证实稀土Er3+被成功掺入。测试Er3+A位和B位掺杂PMNT单晶的铁电介电性能发现,Er3+的A位和B位引入导致居里温度从PMNT单晶的135136℃分别降低到111115℃、125127℃,室温介电性能和铁电性能方面Er3+的A位和B位引入效果不同,A位取代增强,B位取代减弱。激发发射光谱和上转换发光的测试显示Er3+A位和B位掺杂PMNT单晶都具有优异的荧光性能,在488nm可见光的激发下具有550nm绿光占主导地位的下转换发光,在980nm激光激发下也呈现很强的上转换绿色发光。进行未掺杂NBT单晶的坩埚下降法尝试生长即获得质地较好的NBT单晶,以此单晶作为籽晶分别引导稀土Er3+、Pr3+A位取代NBT的单晶生长。合成稀土掺杂多晶料时将成分比例分别控制为（Na1/2Bi1/2）0.985Er0.01Ti O3、（Na1/2Bi1/2）0.985Pr0.01Ti O3,XRD物相分析显示多晶料和生长所获得单晶皆为纯的钙钛矿相结构,稀土Er3+、Pr3+的引入并未破坏NBT单晶的钙钛矿结构,而是取代并占据了相应的格点。NBT单晶的居里温度因为稀土离子的掺入而降低,另外,Er3+的引入使介电常数和介电损耗小幅降低,Pr3+的引入则使介电常数和介电损耗升高。稀土掺杂NBT单晶的透射光谱、激发发射光谱显示出与Er3+、Pr3+掺杂其他固体介质基本一致的特征。此外,NBT单晶因为Er3+的A位取代而具有良好的上转换发光性能,在980nm激光的激发作用下发出耀眼的绿光。
二、双掺杂单畴硫酸三甘氨酸热释电晶体ATGSAs（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、双掺杂单畴硫酸三甘氨酸热释电晶体ATGSAs（论文提纲范文）
（2）热释电机理及BST薄膜性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的背景及意义 |
| 1.2 研究的现状 |
| 1.2.1 理论研究 |
| 1.2.1.1 热释电效应 |
| 1.2.1.2 铁电薄膜的热力学理论 |
| 1.2.2 热释电薄膜的研究现状 |
| 1.3 本文的主要工作 |
| 1.3.1 研究的主要内容 |
| 1.3.2 本论文的内容安排 |
| 第二章 热释电热力学理论的建立 |
| 2.1 热释电理论 |
| 2.1.1 铁电相变的热力学理论基础 |
| 2.1.2 热释电效应的晶格振动理论 |
| 2.2 传统热释电晶体的热力学模型及模拟 |
| 2.2.1 热力学模型推导 |
| 2.2.2 对热释电晶体的模拟 |
| 2.3 热释电晶体赝热力学模型及模拟 |
| 2.3.1 热释电系数与系统熵 |
| 2.3.2 铁电相与顺电相相变熵值的设定 |
| 2.3.3 热释电模型的建立 |
| 2.3.4 理论验证 |
| 2.4 热释电多晶薄膜的热力学平衡模型 |
| 2.4.1 热力学平衡模型的假设及推导 |
| 2.4.2 热力学平衡模型的推导 |
| 2.4.3 不同热释电多晶薄膜的模拟曲线 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 BST薄膜的性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 磁控溅射制备Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3薄膜 |
| 3.2.1 工艺过程 |
| 3.2.2 磁控溅射装置及实验条件 |
| 3.2.3 BST薄膜结构分析与形貌 |
| 3.2.3.1 结构分析 |
| 3.2.3.2 BST薄膜的形貌分析 |
| 3.2.4 BST薄膜的介电特性 |
| 3.2.5 BST薄膜的铁电特性 |
| 3.2.6 BST薄膜的漏电流特性 |
| 3.3 溶胶-凝胶法制备Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜及性能研究 |
| 3.3.1 溶胶凝胶法的基本原理 |
| 3.3.2 实验过程 |
| 3.3.2.1 溶胶的制备 |
| 3.3.2.2 成膜及薄膜的热处理 |
| 3.3.3 溶胶的热分析 |
| 3.3.4 BST薄膜的表面形貌 |
| 3.3.4.1 基底Pt/Ti/SiO_2/Si的形貌 |
| 3.3.4.2 BST薄膜的表面形貌 |
| 3.3.5 BST薄膜的介电性能研究 |
| 3.3.5.1 BST薄膜介电频谱特性 |
| 3.3.5.2 BST薄膜的介电—温度特性 |
| 3.3.5.3 薄膜的C-V特性研究 |
| 3.4 热力学平衡模型的应用 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 掺杂改性BST薄膜的性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.1.1 掺杂类型与取代机理 |
| 4.1.1.1 不等价取代 |
| 4.1.1.2 等价掺杂 |
| 4.1.1.3 取代机理 |
| 4.1.2 掺杂工艺对介电性能影响的研究 |
| 4.1.2.1 不等价掺杂BST工艺的研究进展 |
| 4.1.3 等价掺杂工艺研究进展 |
| 4.2 锡掺杂BST薄膜 |
| 4.2.1 XRD分析 |
| 4.2.2 AFM分析 |
| 4.2.3 BSTS薄膜的介温特性 |
| 4.2.4 BSTS薄膜的铁电性能 |
| 4.3 La掺杂BST薄膜及BST/BSLaT/BST多层膜的性能 |
| 4.3.1 XRD分析 |
| 4.3.2 AFM分析 |
| 4.3.3 介电性能 |
| 4.3.4 铁电性能 |
| 4.3.5 漏电流特性 |
| 4.4 热力学平衡模型的应用 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 BST薄膜的界面效应研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Pt在BST薄膜中扩散的研究 |
| 5.2.1 XRD分析 |
| 5.2.2 AFM分析 |
| 5.2.3 BST薄膜的AES和XPS分析 |
| 5.3 LNO薄膜的性能 |
| 5.3.1 LNO薄膜的制备 |
| 5.3.2 LNO薄膜的结构与表面形貌 |
| 5.3.2.1 LNO薄膜的结构 |
| 5.3.2.2 LNO薄膜的表面形貌 |
| 5.3.3 LNO薄膜的电性能 |
| 5.4 BSTS薄膜沉积于LNO电极的性能 |
| 5.4.1 BSTS薄膜的结构与形貌 |
| 5.4.1.1 BSTS薄膜的结构 |
| 5.4.1.2 BSTS薄膜的表面形貌 |
| 5.4.2 介电性能 |
| 5.4.3 BSTS薄膜的漏电流特性 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 全文工作总结 |
| 6.2 本论文的主要创新点 |
| 6.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（4）稀土掺杂弛豫铁电材料的单晶生长与性能表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 1 绪论 |
| 1.1 铁电体 |
| 1.1.1 铁电体的基本特征 |
| 1.1.2 铁电体的重要性质 |
| 1.2 钙钛矿型铁电体 |
| 1.2.1 钙钛矿结构 |
| 1.2.2 钙钛矿型铁电体研究进展 |
| 1.3 稀土掺杂铁电体 |
| 1.3.1 稀土发光机理 |
| 1.3.2 基质对稀土发光的影响 |
| 1.3.3 稀土掺杂铁电体研究进展 |
| 1.4 课题研究内容及意义 |
| 2 实验设备与研究方法 |
| 2.1 主要实验原料 |
| 2.2 晶体生长加工设备 |
| 2.2.1 晶体生长设备 |
| 2.2.2 籽晶与晶片加工处理设备 |
| 2.3 分析测试仪器 |
| 2.4 技术方案 |
| 2.4.1 技术路线 |
| 2.4.2 多晶料合成方法 |
| 2.4.3 晶体生长具体步骤 |
| 3 稀土Er~(3+)的A位和B位取代掺杂PMNT单晶生长及分析表征 |
| 3.1 稀土Er~(3+)的取代方式 |
| 3.2 前体化合物的合成 |
| 3.3 多晶料合成 |
| 3.4 籽晶引导生长以及晶体形貌、物相表征 |
| 3.5 性能表征 |
| 3.5.1 电学性能表征 |
| 3.5.2 Er~(3+)B位取代PMNT单晶的光学性能 |
| 3.5.3 Er~(3+)A位取代PMNT单晶的光学性能 |
| 3.6 小结 |
| 4 (Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.985)Re_(0.01)TiO_3(Re=Er, Pr)单晶生长及相关分析表征 |
| 4.1 稀土离子的取代方式 |
| 4.2 NBT基多晶料合成 |
| 4.3 NBT、NBT: Er、NBT: Pr晶体生长和形貌表征 |
| 4.3.1 NBT单晶自发成核生长 |
| 4.3.2 NBT: Er和NBT: Pr单晶的籽晶引导生长 |
| 4.4 NBT基系列单晶的性能分析表征 |
| 4.4.1 介电性能 |
| 4.4.2 光学性能 |
| 4.5 小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 在学 研究成果 |
| 致谢 |
四、双掺杂单畴硫酸三甘氨酸热释电晶体ATGSAs（论文参考文献）
- [1]双掺杂单畴硫酸三甘氨酸热释电晶体ATGSAs[J]. 房昌水,王民,卓洪升. 物理, 1990(01)
- [2]热释电机理及BST薄膜性能研究[D]. 胡文成. 电子科技大学, 2008(11)
- [3]双掺杂铁电晶体ATGSP的非均匀性研究[J]. 王民,房昌水. 人工晶体, 1987(03)
- [4]稀土掺杂弛豫铁电材料的单晶生长与性能表征[D]. 向军涛. 宁波大学, 2015(03)