一、BaTiO_3晶体中光折变散射的双向环形振荡（论文文献综述）
张定梅,蒋再富[1]（2021）在《相位共轭光反馈下半导体环形激光器的动力学》文中研究指明利用双模行波模型,数值研究了半导体环形激光器（SRL）在相位共轭交叉光反馈下的非线性动力学特性。研究发现,当两个模式的相位变化不同步时,SRL表现出低频反相振荡,其振荡周期随着反馈时间的增大逐渐增加。而对于相位变化同步的情况,通过改变注入强度,SRL可输出单周期态、多周期态和混沌态。利用自相关函数识别了产生的混沌信号的时延特征（TDS）并利用功率谱技术计算了相应的带宽,发现TDS随着反馈强度的增加先逐渐减小再增大,而带宽随着反馈强度的增加呈近似线性增加。这说明通过恰当调节反馈强度,混沌信号的TDS可以被较好地抑制,该信号可应用于安全保密通信和随机数产生中。
苏航[2]（2021）在《硒化锌/液晶分子锚定对表面等离激元激发调控及应用研究》文中认为随着光电材料研究的深入和微纳光学加工工艺的成熟,光电功能器件也在朝着集成化、小型化、多功能化和主动可调等方向发展。因此,利用石墨烯、二硫化钼、氮化硼等单层二维材料探索量子化光电效应的研究应运而生并成为热点之一。同样,金属氧化物半导体（Metal-Oxide Semiconductor,MOS）能够形成聚集在界面的超薄电荷积累层,并由于其准二维特性受到了广泛的关注,此积累层在电学控制领域发挥着重要作用。由于材料电学性质的差异,不同材料界面会形成一层极薄的电荷积累层,该电荷层在沿着界面方向具有极高的自由度,因此被称为二维电子气。这种在界面处的准二维材料因能够和电磁波发生剧烈耦合进而形成表面等离极化激元（Surface Plasmon Polaritons,SPP）而备受关注,形成的SPP将电磁场限制在极薄的空间内能够显着提升光子态密度。这一研究在纳米光学天线、光学隐身、光电通讯、医学成像、微纳激光器和量子霍尔效应等领域都具有十分广泛的应用前景。为了进一步实现对光电功能器件的主动调控,液晶层因具有电控可调光学性质被集成在不同功能的器件中。利用液晶的可调控属性实现对SPP的主动调制有助于新型主动光电器件的研发。本论文对半导体硒化锌（Zn Se）薄膜和液晶层在界面处的光电相互作用进行了深入研究,并对界面处聚集的二维电子气和界面静电改性情况进行了详细分析。系统地研究了位相光栅介导的液晶/Zn Se界面的SPP激发,并进一步分析SPP对衍射的影响。最后设计了一种能够集成液晶层的电控调谐局域等离激元共振响应的微纳平面内周期性结构,并从理论和数值角度进行分析。首先,我们深入分析了电子束蒸镀的Zn Se薄膜的表面情况,利用表面不饱和电荷实现了对5CB液晶分子的单边锚定效应和垂直取向,并通过密度泛函理论深入分析了液晶分子中的氰基在表面的吸附作用。我们还进一步利用此种简洁的垂直取向机制设计了一种基于外电场控制的相位调制器,实现了入射光线偏振方向的旋转和55.6%的透射率调制。随后,我们通过密度泛函理论详细分析了界面处Zn Se和5CB分子之间的电荷转移和电子跃迁,并发现由于两种材料电学性能的差异在界面处会形成一层电荷积累层。通过使用Thomas-Fermi屏蔽模型和泊松扩散方程得到界面处的电子密度能够达到4.86×1028 m-3,并在1 nm的深度内迅速衰减。在高电子密度的作用下界面形成了一层静电改性层,我们使用引入额外电荷的方法计算了不同电子密度下的Zn Se光学性质,结果表明在此电荷积累的位置能够表现出极强的金属性。更进一步,我们把能够产生电荷积累的材料拓展至Zn O和Zn S,并通过理论计算不同材料在改性后的光学性质差异,发现其表现金属性的范围随着晶格常数的缩短而蓝移,而且发现能够产生金属化的材料有一定的限制。利用液晶层内的光折变光栅和界面处负的介电常数实部,我们实现了界面等离激元的激发,同时深入分析了SPP对入射多光束及毗邻液晶层的作用,并以此阐释反常多级次二维光斑及光束间极高能量耦合。最后,我们设计了一种能够在入射光激励下形成局域等离激元共振的超表面结构。通过激发一组金属棒结构的等离激元并使其与另一个单金属棒的等离激元耦合,两种不同结构的纳米光学天线在入射光线的激励下激发的等离激元能够相互耦合,成功消除了单一结构的本征吸收模式,即消除了504.1THz处的吸收峰,进而体系经过局域等离激元的耦合在此处表现出高度的透明性,实现了等离激元诱导透明。入射光的偏振状态是决定此超表面结构等离激元振荡模式的关键,我们也引入了一层液晶层以改变入射光的偏振状态,以此实现低电压调控超表面的等离激元响应。最终设计出一种调制器,在932.5 nm处的调制深度超过85.9%。同时我们也进一步分析了单元结构与表面等离激元共振之间的关系。本研究将为液晶与半导体器件整合提供新的思路,并拓展了广义二维材料,同时也为研究半导体界面改性和可调谐SPP提供了实验基础,在光控主动调制器件、光逻辑门及等离激元器件研发等方面有着广泛的应用前景。
康慧珍[3]（2010）在《光折变表面波激发及其在二次谐波产生中的应用研究》文中研究表明光折变表面波是一种与界面相联系并可沿光折变介质表面狭层空间传播的光波,它能将光能量高度集中在光折变介质近表面从而激发或增强各种表面非线性光学现象。因此,光折变表面波在光耦合、相位匹配和集成光学等方面具有很高的应用价值。早在1995年G S Garcia Quirino等人就预言了光折变表面波,同年Mark Cronin Golomb首次在钛酸钡（BaTiO3）晶体中观察到了扩散机制的光折变表面波。经过十五年的发展,人们对光折变表面波有了较为深入的了解。但对光折变表面波的激发机制、传播稳定性、以及其潜在应用等问题都还需要进一步系统研究。利用晶体非局域（扩散）非线性引起的自弯曲效应和局域（漂移）非线性引起的光束自陷的共同作用有望激发高效率的光折变表面波,亦即光折变表面孤子。这种表面孤子具有更强的稳定性和可控性。对光折变表面孤子的研究将进一步促进集成光学实用化的发展,并提供更具特色的技术。本论文围绕光折变表面波激发的相关问题作了系统的研究,主要内容如下：（1）理论方面：①深入研究了大角度入射条件下,扩散漂移机制光折变表面波的产生机制,并对外加电场和背景光等外部条件的作用和影响进行了深入分析。分析结果表明：外加电场处于某阈值之下时,增大外加电场可以减小光折变表面波的空间频率,而外加电场高于阈值时,表面波不能稳定存在；均匀背景光的作用可以使得光折变表面波的衰减变缓、贯穿深度增大。②通过同时考虑扩散和漂移机制,首次预言了二维光折变表面孤子的存在,并分析了表面孤子形状与外加电场以及入射光与背景光光强比的关系。③利用光束传播方法（Beam Propagation Method,BPM）模拟了扩散和漂移机制共同作用下的表面孤子传播,为实验观察表面孤子提供了有力的理论依据。（2）实验方面：①实验观察了扩散漂移机制光折变表面波,并分析了外加电场和背景光在其形成中的作用；②利用非局域扩散非线性引起的自偏折效应以及局域非线性引起的自聚焦效应的共同作用,首次在铌酸锶钡（SBN）晶体表面实现了光折变表面孤子的激发,实验结果与理论模拟结果完全相符；③首次从实验上观察到光折变屏蔽孤子在界面处的多次反射和近表面震荡波的产生。（3）应用方面：本论文在以往利用光折变表面波激发二次谐波的研究基础上,基于大角度入射的基频光形成的光折变表面波,寻求更高效率的表面波所引起的表面二次谐波产生。①通过外电场和背景光的控制,实现了SBN晶体表面扩散漂移机制二次谐波的高效率激发,实验中转换效率高达83.4%/W,接近可以应用的量级；②通过分析扩散机制下SBN晶体的表面波所激发表面二次谐波随外加电场和背景光的变化规律,得出结论：提高外电场和背景光有利于提高二次谐波的转换效率。本论文工作的创新点：1、理论方面：首次预言了扩散和漂移机制二维光折变表面波（即表面孤子）的存在,并分析了其传播特性。2、实验方面：首次在铌酸锶钡（SBN）晶体表面实现了光折变表面孤子的激发,实验结果与理论模拟结果相符。3、应用方面：首次利用扩散漂移机制光折变表面波在SBN晶体表面实现二次谐波的高效率激发,转换效率高达83.4%/W,接近可应用量级。
高成勇[4]（2008）在《钙离子掺杂的钨青铜型晶体铌酸锶钡的光学特性研究》文中研究指明具有钨青铜结构的铌酸盐晶体许多是优良的光折变材料,由于其内部存在大量的结构空位,因此可以通过分了设计和离子掺杂进一步提高此类晶体材料的质量或改变其各种性能（如晶体的光折变特性等）。近年来,这方面的研究异常迅速。CSBN((Ca0.28Ba0.72)x(Sr0.60Ba0.40)1-xNb2O6)晶体是由山东大学晶体材料研究所新近生长的一种具有钨青铜结构铌酸盐。经X-ray粉末衍射数据表明:CSBN系列晶体属于四方晶系,空间群为P4bm;具有非中心对称性,类似SBN结构。CSBN晶体内部含有A1,A2,B1,B2和C等结构空位,其中A1位和A2位被Ca2+,Sr2+,Ba2+部分填充,B1和B2位被Nb5+完全充满,而C位未被填充,属于非充满型结构。本文主要对(Ca0.28Ba0.72)x(Sr0.60Ba0.401-xNb2O6晶体的光学特性进行了系统研究。其中包括该晶体的晶格振动光谱特性（拉曼谱,红外吸收谱）及与之相关的热学特性,晶体双折射及偏振光干涉特性,光折变中心及光折变非线性,晶体的体光栅衍射特性和光学自相位共轭等。论文的主要工作包括如下几个方面:1、根据空间群理论计算分析了CSBN系列晶体的晶格振动模式。全面报道了该系列晶体在不同几何配置下的晶格振动谱,并对不同Ca2+掺杂的SBN晶体的晶格振动谱进行了分析比较。CSBN晶体属于钨青铜型晶体,其原胞中含有5个分子式的分子,理论上有135个基本晶格振动模式。本研究中利用激光拉曼散射技术测量了该晶体的室温拉曼光谱,采用傅里叶变换红外分光光度计测量了晶体的红外吸收谱。通过谱图分析,对CSBN各晶体与其他同构晶体类似的特征峰值分别予以确认。在拉曼光谱试验中采用六种配置状态,共观测到了55支简正模;红外吸收光谱试验中共观察到了5条红外谱线。实验中虽未能观察到三重简并的反对称伸缩振动模v3,但对八面体离子的其他四个简正振动模v1,v2,v4及v5进行了确认。对于谱线少的原因,文中分析认为除了样品制备因素外还应与晶体的形成过程有关:由Nb-O八面体络合成晶体时,晶体保持相对稳定,其它金属离子的作用很难改变其整体运动的特点,只产生局部影响;同时,空位的随机性造成晶体的无序,使谱线减弱,造成大波数范围频谱的本底隆起,这直接了影响到许多谱线的观测。2、系统地研究了CSBN各晶体的热学特性。CSBN各晶体表现出了特有的热学性质:沿c轴方向,在居里点下,CSBN各晶体随着温度的增加,表现出负的膨胀特性;高于居里点呈现正膨胀。沿a轴方向,随着温度的升高,该晶体产生热膨胀,其热膨胀系数为正值。CSBN各晶体a向和c向的热导率在居里点附近趋于相同,但偏离居里点表现出较强的各向异性:居里点以上c向的热导率随温度的升高大于a向的热导率;居里点以下c向的热导率小于a向热导率。此种特性的成因被认为是主要由于铌原子的热运动垂直于O—Nb—O链,从而降低了O—O链分离的可能所导致的。3、系统的研究了CSBN晶体的双折射及其偏振光干涉特性。在讨论晶体的双折射与结构的关系的基础上,测量了晶体在偏振光入射下的消光角。通过光心提取法测量了晶体的折射率及双折射率,测量精度达到10-4,并且确定出了激光入射波长为532nm的消光角中k值的大小,即:kCSBN75≈270;kCSBN50≈259;kCSBN25≈255。在未采用传统的偏光显微镜技术前提下,通过自行设计光路,研究了双折射晶体CSBN的锥光干涉特性。结合锥光干涉图,理论分析计算了平行光轴入射的晶体锥光干涉图中干涉级次变化的成因,干涉图由内向外疏密分布的规律以及垂直光轴入射的干涉图的形成原因等;探讨了不同掺杂对晶体的双折射特性的影响;讨论了晶体锥光干涉图随光锥入射角度的变化的规律,定性了小角度旋转晶体后黑色十字劈裂的成因。基于理论分析,利用计算机模拟实现了负单轴晶体的锥光干涉图。根据实验结果判定了文中所使用的CSBN系列晶体均具有良好的光学均匀性,其双折射率梯度均达到10-5。4、根据CSBN晶体的透射谱,研究讨论了CSBN晶体的光折变中心问题。文中通过CSBN晶体的透射谱,计算了该类晶体的在能带吸收边缘附近的衰减指数,分析了晶体的透射特性:CSBN75晶体的衰减指数比较大,代表晶体具有较大无序程度;晶体从396nm至768 nm,由于Ca2+掺杂加强了对该波段的吸收,并且在红光波段（675nm附近）出现了一个新的小吸收峰,相应深陷能级为1.84eV,与未掺杂的SBN透过曲线相比较,CSBN晶体的波长响应范围向红光和红外区扩展。由于在近红外波段,激发光子能量较小,此时的吸收光谱反映的是晶体内缺陷离子的振动特性,或晶体中浅陷阱能级的性质;同时,非计量化学比掺杂可引起Nb-O6八面体团簇周围电势分布的变化,这些因素已足以影响晶体的某些光学特性如晶体吸收特性。基于以上因素,通过分析认为:Ca2+掺杂虽然能够在一定的波长范围内加强了晶体的吸收,可以增强晶体的光折变效应,但Ca2+不可能充当光折变效应的中心。5、从不同的角度系统地研究了CSBN晶体的光致折射率变化的非线性特性。一方面,基于传统的Z-扫描技术进行了装置改进,实施开孔探测和去基模的方法同时进行测量,减少了接受光能的叠加效应,提高了测量灵敏度;利用此改进的技术,试验测定了CSBN25晶体的Z扫描曲线,并且计算了CSBN25晶体的非线性折射系数。另一方面,通过非偏振光写入的方法结合Michelson干涉仪研究了晶体的光致折射率变化特性,并且得到了有关晶体光折变特性的一个重要结论:在激光波长为632.8nm的情况下,CSBN25的折射率呈现正的增长趋势,即Δn＞0,晶体表现为自聚焦的特性。CSBN75的折射率呈现负的增长趋势,即Δn＜0,晶体表现为自散焦的特性;而CSBN50的光致折射率变化呈现特殊的变化趋势,在1min前CSBN50的折射率呈现正的增长趋势,即Δn＞0,1min后CSBN50的折射率呈现负的增长趋势,即Δn＜0;在CSBN50晶体中存在着自聚焦向自散焦的动态转化过程。偏振光写入的方法和非偏振光写入的方法的研究得到了同样的结论,文中对以上结论利用带输运模型理论及热自聚焦诱导光折变非对称自散焦理论进行了比较分析,并且通过分析指出:Feinberg的热自聚焦诱导光折变非对称自散焦理论对CSBN50晶体中观测到的光致自聚焦到自散焦现象的解释是适用的。另外,在此基础上首次研究了CSBN晶体的双折射率动态变化特性。在不同功率的激光入射条件下,定量的测试了CSBN晶体的双折射率变化,根据试验结果描绘了CSBN50中双折射率随入射功率及时间的变化特性曲线。6、以全新的角度研究了CSBN晶体的体光栅衍射特性。文中首先测试了不同偏振态写入情况下的晶体体光栅衍射效率,测试结果表明:不同偏振态入射光的体光栅衍射效率变化规律基本一致,e光的最大衍射效率远大于o光写入时的最大衍射效率,测得的衍射效率变化规律与Kukhtarev及Hong等人的理论符合较好。体光栅衍射效率的测试为该晶体在全息存储和光学信息处理领域的应用奠定了基础。其次,探讨了光折变晶体CSBN75和CSBN50在平面单色偏振光束入射条件下的自衍射特性。试验中发现当入射光偏振为异常偏振时,在远场屏上可观察到明显的自衍射现象并且衍射图形和晶体光轴成一定的夹角,不同掺杂的晶体其形成的夹角大小不同。自衍射起因于晶体噪音栅,文中根据平面光栅衍射理论系统地研究了CSBN75和CSBN50晶体的噪音栅特性,由试验结果确定出了噪音栅的波矢方向,并建立了上述两种晶体的噪音栅模型。显然,噪音栅模型的建构将对合理的限制和利用噪音栅具有较大的现实意义。在自衍射的前提下,实验观察并讨论了CBN28晶体的光感应光散射（光扇效应（前向散射光放大）及散射光锥）,并且分析了该光感应光散射的成因,即:晶体内的入射光,反射光及各向同性的散射光满足了一定的相位匹配条件,各向异性散射光与入射光及反射光分别写入噪音栅,光感应光散射现象是噪音栅波面叠加的结果。更换CSBN系列晶体进行试验,未发现如此强烈的光感应光散射,这说明不同化学计量比的掺杂会直接影响到光折变晶体的光折变特性。另外,还试验分析了汇聚光束入射条件下的晶体的远场衍射特性及其成因,确定了F.S.Chen等人在光折变晶体LiNO3中观察到的现象（即:光致类透镜效应）在CSBN晶体中同样存在。7、研究了CSBN晶体的光学自相位共轭及其应用。在试验中首次观察到了CSBN晶体中“奇异”的自泵浦相位共轭现象,并用“猫式互作用区”理论成功的解释了此种现象的产生机制:入射光束投射到晶体上时,会受到晶体内部的杂质,缺陷,甚至畴结构的散射作用形成多个方向的散射光,从而为晶体内部的四波混频及光扇效应创造条件。散射光和信号光的耦合以及扇形散射光之间的能量竞争,在晶体内部通过折射率的调制形成实时体相位光栅。当入射到晶体表面的光斑尺寸小于0.85mm时,反射光束被相位光栅所调制,从晶体的XOZ平面出射的光束为高频增强了的相位共轭光;当入射到晶体表面的光斑尺寸大于0.9mm时,两互作用区的相位共轭条件被破坏,此时出射的光斑仅为经YOZ平面出射部分和没有经过晶体的部分组成,实验结果表明CSBN75晶体是一种可被用作光学信息处理（如本文中利用此现象实现的光学图像边缘增强处理）的良好材料。另外,本工作中还测试了晶体的自泵浦共轭反射率及响应时间,实验发现CSBN75晶体器件具有较宽的角度响应范围,在很宽的角度范围内都可实现自泵浦相位共轭,掺杂浓度对晶体的光折变效应有较强的影响。
张森[5]（2007）在《脉冲激光光折变自适应光外差探测技术研究》文中研究表明本文研究了脉冲光泵浦情况下光折变晶体内的自泵浦相位共轭（SPPC）、互泵浦相位共轭（MPPC）及自泵浦与互泵浦相位共轭共存的特性,通过实验得出了它们的相位共轭输出特性与泵浦光入射参数的依赖关系,并将其与连续光泵浦情况下的结果进行了比较分析。基于光折变晶体内SPPC与MPPC共存效应,利用新型光折变自适应光外差探测系统,进行了Ar+激光、固体连续激光、调Q单纵模脉冲激光和一般调Q脉冲激光的光折变自适应光外差探测技术研究,实验结果和理论分析表明,单色连续激光和调Q单纵模脉冲激光可以实现光折变自适应光外差探测;而对于一般的调Q脉冲激光,由于其各个纵模频谱分量之间不相关,难于实现光外差探测。此外,实验还证明本文的光折变自适应光外差探测技术对于通过畸变介质传输的弱信号探测方面将有广泛的应用前景。
张明[6]（2004）在《Ce:BaTiO3自泵浦位相共轭器特性及应用研究》文中认为利用电光晶体的光折变效应产生位相共轭光已经成为了一种重要的光学位相共轭方法。光折变位相共轭具有建立阈值低、保真度高和大损伤阈值等优点，因而具有广泛的用途。在本论文中，我们针对Ce：BaTiO3晶体光折变自泵浦位相共轭器的特性和应用做了全面深入的研究。 通过大量的实验全面研究了Ce：BaTiO3自泵浦位相共轭特性：在低重复频率（1Hz）、532nm调Q激光泵浦时最高获得了21.5％的位相共轭反射率，而此前报道过的建立位相共轭脉冲光最低重复频率是10Hz；实验中发现在532nm～790nm波长范围内，在不同的波长激光泵浦时，同时存在两种自泵浦位相共轭机制：全内反射—四波混频（TIR-FWM）和受激背向散射—四波混频（SPB-FWM）；在连续激光泵浦时，对532nm、632.8nm和790nm三种波长，最高分别获得了54.1％、88.2％和80.5％的位相共轭反射率；同时还研究了自泵浦位相共轭光的时间稳定性。 首次在实验和理论上研究了自泵浦位相共轭光栅暗衰减的特性，与以往一深一浅两个陷阱能级参与光折变过程不同的是，发现了两个深陷阱能级同时参与了自泵浦位相共轭光栅的建立。针对双深陷阱能级的现象，在单deep和shallow-deep模型的基础上，提出了双deep陷阱能级的光折变动力学模型。利用该模型分析认为：790nm激光泵浦时位相共轭光栅主要依赖Ce离子深能级，而532nm激光泵浦时Fe离子深能级的贡献比在790nm时大。SPB-FWM形成了Fe离子深能级上的载流子光栅，而TIR-FWM形成了Ce离子深能级的载流子光栅。此外，在Ce：BaTiO3双光束干涉光折变光栅的暗衰减实验中，也观察到了符合双deep模型的衰减现象，得到光折变空间电场快衰减时间常数714s，约12分钟。并分析了暗条件下衍射效率上升的现象，认为这是由于不同相位的多衍射信号叠加造成的。 应用Ce：BaTiO3晶体构成的自泵浦位相共轭器，进行了连续钛宝石激光器外腔的实验研究。在实验中，观察到了由于位相共轭自扫描效应导致的输出光频移现象，证实了利用位相共轭自扫描效应实现激光调谐的可行性。同时位相共轭外腔还使得激光阂值由未加位相共轭腔时的4.7W下降到加位相共轭腔时的3.6W，利用外腔理论对实验结果进行了理论分析，理论计算结果和实验结果基本符合。 利用光栅调谐和位相共轭自扫描调谐方法研究了P567掺杂固态染料的调谐特性。在使用光栅一级反馈、零级输出可调谐腔的可调谐实验中，得到了调谐范围近70nm（543～610nm）的激光输出，此结果在已知报道的激光调谐范围中是最宽的，输出波长为583nm时得到最高斜效率17.2％。提出了研究Ce：BaTiO3自扫描特性的实验方案，设计并讨论了利用自扫描效应进行固态P567激光调谐浙江大学博士学位论文的实现方案。
洪治[7]（2001）在《改善高功率半导体激光器相干特性的研究》文中进行了进一步梳理半导体激光器由于效率高、寿命长、使用方便及结构小巧等特点在近几年获得了迅速发展，目前它已占领了世界激光器市场的70％。但对高功率半导体激光器（如宽接触LD、LD列阵及长条LD）来说，它们由于不能辐射近衍射极限的光束而具有很低的空间相干性，且辐射的光谱宽度约1至2nm，使其相干长度只有几百微米。这些特性限制了它们的应用领域，如与单模光纤的耦合、泵浦其它固体激光器、材料处理及二次谐波产生等。本论文着重研究改善高功率半导体激光器相干特性的方法，该项研究是我们与德国柏林工业大学光学研究所合作开展的。 论文首先对各种改善半导体激光器相干特性的方法如种子注入及外腔技术等进行了分析，并综述了其研究进展。在此基础上对四种不同的改善半导体激光器相干特性的技术方案进行了深入的实验研究，它们包括：（1）由普通反射镜构成的LD外腔。（2）LD位相共轭外腔。（3）利用标准具和衍射光栅的反馈注入。（4）用互泵浦位相共轭的反馈注入。并取得了以下独特的、有意义的研究结果。 1．提出了一个结构简单、调整方便、工作稳定可靠且对快轴方向失调不敏感的半导体激光器外腔，并用光射线传输矩阵分析法对该外腔的特性进行了详细的分析讨论。首次提出了作者称之为该外腔二次反馈注入的新运行模式，对该新运行方式在理论上进行了分析，并在实验中得到了验证。对一个1W半导体激光器的外腔实验中，当LD驱动电流为2倍及3.2倍阈值电流时，在二次反馈注入运行模式下，获得的光瓣宽度（FWHM）分别为0.43°及0.63°，对应于1.05×及1.54×衍射极限，光瓣远场位于6°～9°。而在其普通一次反馈注入运行模式下，获得的光瓣宽度则分别为0.52°及1.12°的单瓣输出，对应于1.27×及2.73×衍射极限，光瓣远场位于3°左右。外腔对EM在快轴方向失调的容许度为0.55°，对EM位置失调的容许度为70μm。如果使用一个在前腔镜镀有增透膜的半导体激光器，则在一次及二次反馈注入运行时的外腔输出功率可能会有非常大的提高。该外腔二次反馈注入运行方式的优越性有：可容易获得高阶模的放大输出（大于30阶模），这原来只能用主激光器进行注入锁定的复杂系统才能获得；输出光瓣的 浙江大学博士学位论文宽度与普通外腔运行相比要小得多等。该方法将对半导体激光器的研究起促进作用。 2．对LD的自泵浦位相共轭外腔进行了全面深入的实验研究，包括n：BaTIO。晶体中的自泵浦位相共轭建立过程、位相共轭反射率、位相共轭光功率、LD在位相共轭反馈注入下的输出功率变化及光束远场分布变化等。实验中当选择LD输出的 10阶模进行位相共轭反馈注入时，LD外腔输出获得了最佳的光束质量，光束输出的大部分能量集中在宽度JWHM)为 0．75”（即 1．83倍衍射极限）的高斯分布内。但实验中发现位相共轭光功率的饱和效应（饱和功率smw左右），不足以使 Iw LD实现空间单模运行。4 3．对一个7W半导体激光器进行了结构及输出特性的测试，如光谱特性、输出功率及输出光束空间分布等。在标准具反馈注入实验的基础上，提出了标准具加光栅反馈注入的方法，在半导体驱动电流为 3刀 A（自由振荡输出功率为 1．39W）时，获得了单纵模输出。 4．对一个7W半导体激光器进行了普通的互泵浦位相共轭注入波长锁定实验研究。但只当激光器输出功率仅为462 mw时，其辐射波长才被主激光器基本锁定，锁定时的线宽为主激光器线宽的1石倍，且由于ZK光栅效应，波长锁定的稳定性较差。首次提出了利用两块光折变晶体的互泵浦位相共轭反馈注人实验方案，即利用一块 n：BaTIO。晶体作互泵浦位相共轭器，而另一块 CO：BaTIO。晶体作双光束耦合位相共轭放大器的实验结构。采用该实验方案，激光器波长被完全锁定时的输出功率则达到2石W，其线宽为主激光器线宽的1．4倍，同时其位相共轭反馈注入功率及波长锁定效果要比用一块晶体时的实验结果更稳定。该方法同样也适用于长条半导体激光器。目前对改善由多个列阵组成的高功率半导体激光器的相干特性尚未见研究报道。 5．所有四种实验方案对改善一个不具有双瓣光束形式的半导体激光器门或7W)的空间相干性均无效。
侯春风,孙秀冬,周忠祥,李焱,姜永远,刘炳胜[8]（1998）在《光折变相位共轭技术的研究进展》文中指出简要地介绍了光折变相位共轭技术的研究概况，着重介绍了自泵浦相位共轭镜及互泵浦相位共轭镜的研究进展，对它们的结构及机理做出了说明。
吕团孙,邱怡申,许立新,刘文湖[9]（1991）在《BaTiO3晶体中光折变散射的双向环形振荡》文中研究说明本文报道自泵浦BaTiO3晶体中光折变散射的环形振荡及其位相共轭波的频率漂移等实验结果。利用Lamb半经典理论的方法,分析了具有光折变增益的环形振荡器。理论分析较合理地解释了实验结果。
张孔[10]（2021）在《碱金属原子跃迁波长与光纤通信波段的光频转换研究》文中研究表明光学频率转换技术,特别是基于二阶非线性光学效应的光频转换技术,对于扩展激光频率范围有重要的意义。基于此可以获得很宽频率范围的激光输出,覆盖紫外到远红外波段。随着光频转换技术的进一步发展,量子频率转换在1990年被提出（在保持量子态的前提下,将信号光子转换成不同频率的目标光子的过程）,将量子节点与光纤通信波段连接,从而可以构建量子网络。本论文中阐述了采用周期极化准相位匹配块状晶体及波导,在单次通过情形下实现铷原子D2线780 nm波长及铯原子D2线852 nm波长与光纤通信C波段的1560 nm波长之间的光频转换,特别是弱光乃至单光子水平的光频转换。实验基于日渐成熟的光纤放大器和周期极化准位相匹配块状晶体和波导。当前光纤通信市场发展迅猛,光纤通信C波段（1530 nm-1565nm）各类器件性能优良。基于此我们首先研究了780 nm激光（铷原子的5S1/2-5P3/2跃迁（D2线））的实验产生方法,并应用在852 nm激光（铯原子的6S1/2-6P3/2跃迁（D2线））的实验中。利用高功率1560 nm激光经单次通过非线性晶体实现了瓦级输出功率的780 nm激光;通过1560 nm激光与1878 nm激光和频可以实现852 nm激光输出。两者相结合可以同时生成780 nm和852 nm窄带宽可调谐单频激光,这对于铷铯原子冷却、俘获和操控实验有重要的应用前景。另外,该系统在铷铯原子光缔合形成Rb Cs分子和双组分原子干涉仪方面也有巨大的应用潜力。量子态传输是实现量子网络的关键。但是量子节点（比如碱金属原子系统）所发射光子的频率通常比光纤网络中飞行光子（比如光纤通信C波段）的频率高得多。因此,需要将量子节点经过量子频率下转换装置与光纤信道连接,使得信号可以低损耗长距离地传输。同样地,光纤信道中的光子经过量子频率上转换装置与量子节点连接,从而使信息可传递到下一节点中。这样就完成了信息从发射到传递最后接收的量子网络构型。而单光子级频率转换是实现量子频率转换不可或缺的一步,我们在实验上分别实现了1560 nm和852 nm双向单光子级频率转换。并分析选择不同泵浦光对实验中的噪声影响,通过选用窄带宽滤波器以及改变噪声光子偏振的方法有效提高信噪比。基于对铯原子D2线与光纤通信波段的单光子级频率转换的研究,可以实现铯原子节点之间通过低损耗光纤进行连接,并且可以扩展到其他类型的量子节点,为未来混合量子网络的实现奠定基础。接着通过换用周期极化铌酸锂（PPLN）波导提高转换效率,最终基于铯原子磁光阱,实现852 nm到1560 nm的准量子频率转换。本文中有特色的工作如下所述:1).利用1560 nm激光系统（1560 nm分布反馈激光二极管做种子源,掺铒光纤放大器对种子激光进行功率放大）,结合周期极化掺氧化镁铌酸锂（PPMg O:LN）晶体,采用单次通过晶体的方式,实现了高光束质量的窄线宽可调谐单频780 nm激光输出。当基频光功率达到14.2 W时,780 nm输出功率为2.4 W,倍频效率为17.2%,连续可调谐范围大于10 GHz。为了进一步提高转换效率,分别从级联双晶体与改变种子激光线宽两种方案入手,当基频光功率为13.2 W时,利用级联两块晶体的结构可以得到3.5 W的780 nm输出,最大倍频效率为26.8%,在分别利用线宽为1.2MHz（DFB）、200 k Hz（ECDL）和600 Hz（DFB-EDFL）三种激光器作种子源时,得到的倍频效率分别为11.0%、14.3%和16.6%;2).在上述倍频基础上做了扩展,采用非线性光学频率链,结合单次通过晶体和频的结构将1560 nm红外激光三倍频至520 nm绿光,并在选择不同和频晶体（周期极化钛氧磷酸钾（PPKTP）晶体,周期极化掺氧化镁坦酸锂（PPMg O:s LT）晶体）情况下,比较相应输出功率及效率。当倍频前的1560 nm激光功率为11.6 W时,使用PPKTP晶体可产生545 m W的520 nm激光输出;使用PPMg O:s LT晶体时,同样的条件可以产生350 m W的520 nm激光输出。520 nm绿光的连续调谐范围至少为9 GHz。基于PPKTP和双共振光参量振荡器（DROPO）,在特定的温度下获得下转换双色光场（信号光1560 nm,闲置光780 nm）。该系统可应用于铷原子量子存储与光纤量子信道相连接的远程量子信息传输;3).利用1560 nm激光系统（利用1560 nm分布反馈式激光器输出激光,并通过掺饵光纤放大器（EDFA）进行功率放大）和1878 nm激光系统（1878 nm分布反馈激光二极管做种子源,掺铥光纤放大器（Tm DFA）对种子激光进行功率放大）,结合PPMg O:LN晶体,采用单次通过晶体和频的方式,实现了高光束质量的窄线宽可调谐单频852 nm激光输出,并通过消色差的方法提高转换效率。最大可产生276 m W的和频光,和频效率为4.1%,连续调谐范围至少为9.2 GHz。最后通过声光调制器（AOM）将1560 nm激光斩波并衰减至单光子级脉冲光,模拟单光子级频率转换,分析噪声及信噪比。当1878 nm泵浦激光注入150 m W时,得到的信噪比为38.8,相应的转换效率为1.9%;4).实现了与上述相反的下转换过程,比较了选择不同泵浦光下的实验方案。利用852 nm分布反馈激光二极管和1878 nm激光系统（1878 nm分布反馈二极管激光器做种子源,掺铥光纤放大器（Tm DFA）对种子激光进行功率放大）,结合PPMg O:LN晶体。采用单次通过晶体差频的方式,实现了高光束质量的1560 nm激光输出,并通过消色差的方法提高了转换效率。当注入450 m W的1878 nm泵浦光和10 m W的852 nm信号光时,可以得到136μW的差频光。最后通过AOM将852 nm激光斩波并衰减至单光子级脉冲光,模拟单光子级频率转换。比较了不同带宽的滤波器对信噪比的影响,在使用带宽为12 nm的带通滤波器和带宽为0.3 nm的光纤布拉格光栅滤波器的情况下,注入150 m W的1878nm泵浦光,最大信噪比为31.3,转换效率为1.7%。最后改变噪声光子的偏振进一步提高信噪比,在相同条件下,信噪比由31.3提高到58.3;5).基于PPLN波导实现852 nm弱光下转换至1560 nm的实验,通过使用带宽为12 nm的带通滤波器和带宽为0.3 nm的光纤布拉格光栅滤波器,得到的信噪比为91.3,波导内部转换效率最大为6.2%。优化连续光激发磁光阱中冷却与俘获的单个铯原子的单光子源实验装置,通过磁光阱的磁场触发将单原子的概率提高到80%。并在此状态下进行Hanbury Brown-Twiss（HBT）实验,零延时处二阶相干度归一化结果为0.11。将磁光阱系统与频率转换装置连接,实现量子频率转换,并表征实验中信噪比。
二、BaTiO_3晶体中光折变散射的双向环形振荡（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、BaTiO_3晶体中光折变散射的双向环形振荡（论文提纲范文）
（1）相位共轭光反馈下半导体环形激光器的动力学（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 理论模型描述 |
| 3 结果与讨论 |
| 4 结论 |
（2）硒化锌/液晶分子锚定对表面等离激元激发调控及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 液晶及其取向 |
| 1.3 表面等离激元及器件 |
| 1.4 对表面等离激元的调制 |
| 1.4.1 利用液晶光学各项异性调制SPP |
| 1.4.2 改变半导体电荷密度调制SPP |
| 1.5 论文主要研究内容 |
| 第2章 基于薄膜表面单边锚定效应的液晶分子取向 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电子束蒸镀硒化锌薄膜的制备与表征 |
| 2.2.1 电子束制备硒化锌薄膜及光学性质 |
| 2.2.2 硒化锌薄膜的界面特性表征 |
| 2.3 5CB分子在硒化锌(111)面上的单侧吸附 |
| 2.3.1 硒化锌(111)表面原子弛豫及不同位置5CB分子的稳定态 |
| 2.3.2 硒化锌(111)和5CB分子间吸附能与电荷转移 |
| 2.4 液晶层垂直取向的性质测量 |
| 2.4.1 液晶盒制备流程 |
| 2.4.2 液晶层垂直取向的光学表征 |
| 2.5 外电场控制的液晶光学调制 |
| 2.5.1 偏振调制器设计 |
| 2.5.2 液晶层表面锚定能和分子倾角测量 |
| 2.6 小结 |
| 第3章 液晶/硒化锌界面电荷积累与金属化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 硒化锌/5CB界面的电荷重新分布 |
| 3.2.1 电荷积累及电子轨道退化 |
| 3.2.2 类异质结结构电子态密度分析 |
| 3.3 界面电荷积累导致的光学性质改变 |
| 3.4 基于表面金属化的表面等离激元激发 |
| 3.4.1 界面等离激元激发和双向耦合 |
| 3.4.2 表面等离激元双向耦合导致的衍射增强 |
| 3.5 界面金属化材料的推广 |
| 3.6 小结 |
| 第4章 硒化锌/液晶界面的等离激元激发特性及影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金属化表面激发等离激元的有限元分析 |
| 4.3 基于表面等离激元的双光束高效能量耦合及转移 |
| 4.3.1 交变电场下表面等离激元导致衍射效率增强 |
| 4.3.2 偏振方向和级次扩展方向的相关性研究 |
| 4.3.3 多频率等离激元在界面的激发 |
| 4.4 场增强效应导致的表面永久光栅 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 电场调控局域等离激元器件的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电磁诱导透明超表面理论分析 |
| 5.3 电控液晶层调制超表面响应 |
| 5.3.1 等离激元诱导透明超表面光学响应分析 |
| 5.3.2 液晶层调控入射光 |
| 5.4 局域表面等离激元振荡研究 |
| 5.4.1 超表面结构尺寸和吸收模式之间的联系 |
| 5.4.2 表面电荷积累和结构间能量耦合 |
| 5.4.3 超表面器件制备的可行性分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（3）光折变表面波激发及其在二次谐波产生中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 第一节 光折变表面波的研究目的和意义 |
| 1.1.1 问题的提出 |
| 1.1.2 选题背景 |
| 第二节 光折变表面波综述 |
| 1.2.1 光折变表面波及其特点 |
| 1.2.2 光折变表面波研究进展 |
| 1.2.3 光折变表面波的应用进展 |
| 第三节 本文研究内容及结构安排 |
| 1.3.1 本论文研究内容 |
| 1.3.2 论文结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 基础理论 |
| 第一节 光折变效应简介 |
| 2.1.1 光折变效应的原理及特点 |
| 2.1.2 带输运模型 |
| 第二节 光折变表面波简介 |
| 2.2.1 光折变表面波振子模型 |
| 2.2.2 扩散机制光折变表面波理论 |
| 第三节 铁电铌酸锶钡晶体结构与特性 |
| 2.3.1 铁电晶体的概念 |
| 2.3.2 铌酸锶钡晶体的结构 |
| 2.3.3 SBN晶体的生长及极化 |
| 2.3.4 SBN晶体基本的物理性质、光学性质 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 光折变表面波激发理论 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 扩散漂移机制光折变表面波理论 |
| 3.2.1 理论模型 |
| 3.2.2 模拟分析 |
| 3.2.3 结论 |
| 第三节 光折变表面孤子理论 |
| 3.3.1 理论模型 |
| 3.3.2 计算结果 |
| 3.3.3 结论 |
| 第四节 二次谐波产生理论 |
| 3.4.1 二次谐波产生原理 |
| 3.4.2 波导中的二次谐波的相位匹配 |
| 3.4.3 二次谐波产生机制 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 光折变表面波激发实验 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 SBN晶体扩散漂移机制光折变表面波实验 |
| 4.2.1 实验设计 |
| 4.2.2 外加电场对表面波的影响 |
| 4.2.3 均匀背景光对表面波的影响 |
| 4.2.4 结论 |
| 第三节 SBN晶体光折变表面孤子的激发 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 光折变表面孤子的激发 |
| 4.3.3 结论 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 光折变表面波在二次谐波产生中的应用 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 利用光折变表面波激发二次谐波 |
| 5.2.1 实验设计 |
| 5.2.2 实验结果 |
| 5.2.3 原理分析 |
| 5.2.4 结论 |
| 第三节 外电场及背景光对二次谐波激发的影响 |
| 5.3.1 实验设计 |
| 5.3.2 实验结果 |
| 5.3.3 讨论 |
| 5.3.4 结论 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 第一节 论文总结 |
| 第二节 工作改进设想与建议 |
| 第三节 前景与展望 |
| 致谢 |
| 个人简历 在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）钙离子掺杂的钨青铜型晶体铌酸锶钡的光学特性研究（论文提纲范文）
| 目录 |
| Table of Contents |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1-1 钨青铜型铌酸盐晶体研究概述 |
| 1-1-1 铌酸锶钡(SBN)晶体 |
| 1-1-2 铌酸锶钡钾钠(KNSBN)晶体 |
| 1-1-3 铌酸锶钡钙(CSBN)晶体 |
| 1-1-4 铌酸钡钙(CBN28)晶体 |
| 1-1-5 其他钨青铜型结构晶体 |
| §1-2 掺杂对钨青铜铌酸盐晶体结构及性能影响 |
| §1-3 非线性光折变效应 |
| 1-3-1 非线性光折变效应简介 |
| 1-3-2 钨青铜结构晶体的光折变性能 |
| 1-3-3 钨青铜结构晶体在光折变方面的应用 |
| §1-4 本论文的研究工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 CSBN晶体的晶格振动光谱研究 |
| §2-1 引言 |
| §2-2 CSBN晶体的晶体结构和空间群分析 |
| 2-2-1 CSBN材料置备及结构 |
| 2-2-2 P4bm(C_(4v)~2)空间群分析 |
| §2-3 CSBN晶体的拉曼光谱 |
| 2-3-1 实验仪器、样品制备及实验配置 |
| 2-3-2 拉曼光谱结果分析及讨论 |
| §2-4 CSBN晶体的红外光谱 |
| 2-4-1 测试装置和方法 |
| 2-4-2 红外光谱结果分析及讨论 |
| §2-5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 CSBN晶体的热学特性研究 |
| §3-1 引言 |
| §3-2 CSBN晶体的热物理性质 |
| 3-2-1 CSBN晶体的比热 |
| 3-2-2 CSBN晶体的热膨胀 |
| 3-2-3 CSBN晶体的热导率 |
| §3-3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 CSBN晶体的双折射及其偏振光干涉 |
| §4-1 引言 |
| §4-2 CSBN晶体的双折射 |
| 4-2-1 晶体双折射与晶体结构的关系 |
| 4-2-2 CSBN晶体的双折射消光角的测量 |
| 4-2-3 CSBN晶体的折射率及双折射 |
| §4-3 晶体的偏振光干涉理论 |
| 4-3-1 晶片在正交和平行偏光镜下的干涉 |
| 4-3-2 晶片在聚敛偏振光下的干涉现象(锥光干涉图) |
| §4-4 CSBN晶体的锥光干涉 |
| 4-4-1 聚敛偏振光下的CSBN晶体的锥光干涉 |
| 4-4-2 试验结果分析及理论计算 |
| 4-4-3 CSBN晶体的光学均匀性 |
| §4-5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 CSBN晶体的光折变中心 |
| §5-1 引言 |
| §5-2 光折变中心理论 |
| 5-2-1 光折变晶体的缺陷中心的形成 |
| 5-2-2 光折变中心的表征 |
| §5-3 CSBN晶体的透射特性及光折变中心 |
| 5-3-1 CSBN晶体的透射特性 |
| 5-3-2 CSBN晶体的吸收边及其衰减指数 |
| 5-3-3 Ca~(2+)掺杂CSBN的光折变中心判定 |
| §5-4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 CSBN晶体的光折变非线性特性研究 |
| §6-1 引言 |
| §6-2 CSBN晶体的非线性折射率 |
| 6-2-1 三阶非线性相关理论 |
| 6-2-2 Z-扫描技术 |
| 6-2-3 基于Z-扫描技术的非线性折射系数测量 |
| 6-2-4 Z-扫描装置的改进及CSBN25的Z-扫描曲线 |
| §6-3 CSBN晶体的光折变非线性 |
| 6-3-1 非偏振光下基于Michelson干涉法的晶体光折变动态行为 |
| 6-3-2 偏振光写入的CSBN晶体的光折变动态行为 |
| 6-3-3 CSBN50晶体的自聚焦向自散焦的动态转换特性理论诠释 |
| 6-3-4 CSBN晶体的双折射率动态变化特性 |
| §6-4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 钙离子掺杂铌酸盐体相位栅衍射特性研究 |
| §7-1 引言 |
| §7-2 CSBN晶体的体相位栅的衍射效率 |
| §7-3 平面单色光波入射下的CSBN晶体自衍射特性 |
| 7-3-1 实验装置及现象 |
| 7-3-2 平面单色光波入射下自衍射形状的理论分析 |
| 7-3-3 噪音相位光栅的理论模型 |
| §7-4 CBN28晶体的光感应光散射 |
| 7-4-1 CBN28晶体的扇形效应(前向散射光放大) |
| 7-4-2 CBN28晶体的散射光锥 |
| §7-5 聚焦光束入射下的CSBN晶体远场衍射现象 |
| 7-5-1 实验装置及现象 |
| 7-5-2 自衍射现象的成因 |
| §7-6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 CSBN晶体的相位共轭特性研究 |
| §8-1 引言 |
| §8-2 相位共轭理论 |
| 8-2-1 自泵浦相位共轭 |
| 8-2-2 互泵浦相位共轭 |
| §8-3 CSBN晶体中"奇异"的自泵浦相位共轭 |
| 8-3-1 试验现象观察 |
| 8-3-2 试验现象理论分析 |
| §8-4 CSBN晶体的自泵浦相位共轭及其应用 |
| 8-4-1 自泵浦相位共轭的共轭反射率(SPPCM) |
| 8-4-2 自泵浦相位共轭响应时间 |
| 8-4-3 自泵浦相位共轭实现光学图像边缘增强 |
| §8-5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第九章总结 |
| §9-1 主要结论 |
| §9-2 主要创新点 |
| §9-3 有待进一步深入研究的问题 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 |
| 攻读博士学位期间主持或参与的课题 |
| PAPER ONE |
| PAPER TWO |
| Acknowledgments |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（5）脉冲激光光折变自适应光外差探测技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光外差探测技术 |
| 1.2 光折变自适应光外差探测技术 |
| 1.3 本论文主要工作和内容 |
| 第二章 光折变相位共轭技术研究 |
| 2.1 四波混频相位共轭 |
| 2.2 光折变相位共轭 |
| 2.3 自泵浦相位共轭 |
| 2.3.1 自泵浦相位共轭的概述 |
| 2.3.2 脉冲光自泵浦相位共轭的实验研究 |
| 2.4 互泵浦相位共轭 |
| 2.4.1 互泵浦相位共轭的概述 |
| 2.4.2 脉冲光鸟翼式互泵浦相位共轭（BWPC）的实验研究 |
| 2.4.3 脉冲光桥式互泵浦相位共轭的实验研究 |
| 2.5 自泵浦-互泵浦相位共轭共存 |
| 2.5.1 自泵浦-互泵浦相位共轭的发展和作用机制 |
| 2.5.2 脉冲光自泵浦-互泵浦相位共轭共存的实验研究 |
| 2.6 脉冲光光折变相位共轭与连续光光折变相位共轭比较 |
| 2.7 小结 |
| 第三章 光折变自适应外差探测技术 |
| 3.1 光外差探测技术 |
| 3.1.1 光外差探测的基本原理 |
| 3.1.2 光外差探测的基本特性 |
| 3.2 光折变自适应光外差探测的研究进展 |
| 3.3 连续光的光折变自适应光外差探测 |
| 3.3.1 Ar~+激光的光折变自适应光外差探测 |
| 3.3.2 固体连续激光的光折变自适应光外差探测 |
| 3.4 脉冲激光的光折变自适应光外差探测 |
| 3.4.1 调Q单纵模脉冲激光的光折变自适应光外差探测 |
| 3.4.2 一般调Q脉冲激光的光折变自适应光外差探测 |
| 3.4.3 调Q脉冲激光的光折变自适应光外差的实验结果分析 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究生在读期间研究成果 |
（6）Ce:BaTiO3自泵浦位相共轭器特性及应用研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究的背景和意义 |
| 1.2 光折变自泵浦位相共轭器特性的研究进展 |
| 1.2.1 不同运转方式入射光自泵浦位相共轭特性的研究 |
| 1.2.2 自泵浦位相共轭光时间稳定性的研究 |
| 1.2.3 自泵浦位相共轭自扫描效应的研究 |
| 1.2.4 Ce:BaTiO_3自泵浦位相共轭特性的研究 |
| 1.2.5 光折变光栅暗衰减特性的研究 |
| 1.3 固态染料激光器的研究进展 |
| 1.3.1 固态激光染料的研究 |
| 1.3.2 可调谐染料激光器的研究 |
| 1.4 光折变自泵浦位相共轭器在激光系统中的应用 |
| 1.5 论文主要研究成果 |
| 第二章 光折变自泵浦位相共轭的物理基础 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 光折变效应的物理基础 |
| 2.2.1 光折变效应机制模型 |
| 2.2.2 自由载流子的运动机制 |
| 2.2.3 BaTiO_3晶体的电光效应 |
| 2.3 光学位相共轭的理论基础 |
| 2.3.1 光学位相共轭特性 |
| 2.3.2 四波混频位相共轭 |
| 2.4 自泵浦位相共轭的物理机制 |
| 2.4.1 光感应光散射及扇形效应 |
| 2.4.2 TIR-FWM机制 |
| 2.4.3 SPB机制 |
| 2.4.4 SPB-FWM机制 |
| 第三章 自泵浦位相共轭特性的实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 调Q脉冲532nm位相共轭特性研究 |
| 3.3 连续入射光位相共轭特性研究 |
| 3.3.1 532nm位相共轭特性实验 |
| 3.3.2 790nm位相共轭特性实验 |
| 3.3.3 632.8nm位相共轭特性实验 |
| 3.4 位相共轭光的时间稳定性 |
| 3.4.1 典型的位相共轭光时间非稳定性表现 |
| 3.4.2 均匀光照时位相共轭光的时间稳定性 |
| 3.4.3 暗条件时位相共轭光的时间稳定性 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 光折变光栅暗衰减特性的实验和理论研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 光折变效应的双deep动力学模型 |
| 4.2.1 单deep模型动力学方程的分析 |
| 4.2.2 shallow-deep模型动力学方程的分析 |
| 4.2.3 双deep模型动力学方程的提出 |
| 4.3 双deep模型暗衰减的理论分析 |
| 4.4 双光束干涉光折变光栅的暗衰减实验研究 |
| 4.4.1 实验装置 |
| 4.4.2 寻常光干涉实验结果和讨论 |
| 4.4.3 非寻常光干涉实验结果和讨论 |
| 4.5 自泵浦位相共轭光折变光栅的暗衰减实验研究 |
| 4.5.1 实验方法 |
| 4.5.2 实验结果和讨论 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 钛宝石激光器自泵浦位相共轭外腔的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 连续钛宝石激光器外腔的实验研究 |
| 5.2.1 位相共轭外腔实验装置 |
| 5.2.2 频率自扫描现象 |
| 5.2.3 激光阈值和斜效率 |
| 5.3 阈值和斜效率的理论分析 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 光栅及位相共轭自扫描调谐固态染料激光研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 激光染料的能级结构 |
| 6.2.1 单态与三重态 |
| 6.2.2 能级间跃迁、驰豫及转换 |
| 6.3 可调谐固态染料P567激光实验研究 |
| 6.3.1 P567染料样品 |
| 6.3.2 腔镜耦合输出可调谐激光实验 |
| 6.3.3 光栅零级输出可调谐激光实验 |
| 6.4 利用自扫描效应调谐的理论和实验方案分析 |
| 6.4.1 自扫描现象的物理机制 |
| 6.4.2 自扫描调谐实验方案分析 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 总结和讨论 |
| 参考文献 |
| 攻博期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（7）改善高功率半导体激光器相干特性的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1-1 半导体激光器发展简要回顾 |
| 1-2 大功率半导体激光器的相干性及改善方法 |
| 1-3 LD耦合腔 |
| 1-3-1 LD耦合腔结构 |
| 1-3-2 普通光学反馈的LD耦合腔 |
| 1-3-3 光学相位共轭反馈的LD耦合腔 |
| 1-4 用种子激光进行LD注入锁定 |
| 1-4-1 用种子激光进行LD注入锁定基本结构 |
| 1-4-2 用种子激光进行LD注入锁定理论模型 |
| 1-4-3 用种子激光进行LD注入锁定研究进展 |
| 1-5 半导体激光器自注入锁定系统 |
| 1-5-1 半导体激光器自注入锁定基本结构 |
| 1-5-2 使用普通反射镜的LD自注入锁定 |
| 1-5-3 使用位相共轭镜的LD自注入锁定 |
| 1-6 本论文主要研究内容 |
| 第二章 高功率半导体激光器及其辐射特性 |
| 2-1 双异质结半导体激光器 |
| 2-2 增益导引半导体激光器 |
| 2-2-1 增益导引激光器中的反导波效应 |
| 2-2-2 光场的横向限制 |
| 2-3 高功率半导体激光器的结构 |
| 2-3-1 宽接触条形半导体激光器（Broad area laser diode） |
| 2-3-2 半导体列阵（Laser diode array） |
| 2-3-3 长条半导体列阵（Lase diode bar） |
| 2-4 半导体列阵的辐射特性 |
| 2-4-1 半导体列阵的横模 |
| 2-4-2 半导体列阵的侧模 |
| 2-4-3 半导体激光器高相干轴和低相干轴 |
| 2-4-4 半导体列阵辐射的像散 |
| 2-4-5 半导体列阵的光谱特性 |
| 2-4-6 半导体列阵的偏振 |
| 第三章 光折变效应及位相共轭基础 |
| 3-1 光折变效应 |
| 3-1-1 引言 |
| 3-1-2 光折变效应物理机制 |
| 3-1-3 光折变效应的基本方程 |
| 3-2 BaTiO_3晶体及其特性 |
| 3-2-1 BaTiO_3晶体的结构 |
| 3-2-2 BaTiO_3晶体线性电光效应 |
| 3-2-3 Rh:BaTiO_3晶体 |
| 3-3 光学位相共轭 |
| 3-3-1 光学位相共轭特性 |
| 3-3-2 四波混频 |
| 3-4 光折变晶体中的位相共轭 |
| 3-4-1 光感应光散射及扇形效应 |
| 3-4-2 双泵浦位相共轭镜（DPPCM） |
| 3-4-3 环形结构自泵浦位相共轭器 |
| 3-4-4 “猫”式自泵浦位相共轭器 |
| 第四章 用普通镜构成的LD外腔改善输出光束质量 |
| 4-1 由普通平面反射镜构成的LD外腔实验系统 |
| 4-2 LD外腔的光束传输矩阵分析 |
| 4-3 LD外腔模分辨能力及模混合能力 |
| 4-4 系统对失调的灵敏性 |
| 4-4-1 系统对EM倾斜失调的灵敏性 |
| 4-4-2 系统对EM位置失调的灵敏性 |
| 4-4-3 系统对距离d失调的灵敏性 |
| 4-5 LD外腔二次注入运行分析 |
| 4-6 实验结果及分析 |
| 4-6-1 LD远场标定 |
| 4-6-2 LD外腔一次注入运行 |
| 4-6-3 外腔二次注入运行 |
| 4-6-4 LD不具有双瓣形状输出的外腔实验 |
| 4-7 小结 |
| 第五章 用位相共轭外腔改善半导体激光器光束质量 |
| 5-1 LD位相共轭外腔实验装置 |
| 5-2 1W半导体激光器的位相共轭外腔实验结果 |
| 5-2-1 Rh:BaTiO_3晶体中位相共轭建立过程 |
| 5-2-2 位相共轭反射率 |
| 5-2-3 位相共轭光功率 |
| 5-2-4 位相共轭反馈后半导体激光器的输出功率 |
| 5-2-5 位相共轭反馈时半导体外腔的输出功率 |
| 5-2-6 半导体激光器输出远场的变化 |
| 5-3 7W半导体激光器的位相共轭外腔实验 |
| 5-3-1 7W半导体激光器及其远场分布 |
| 5-3-2 实验结果 |
| 5-4 小结 |
| 第六章 用标准具和光栅反馈实现半导体激光器波长锁定 |
| 6-1 7W半导体激光器 |
| 6-1-1 7W半导体激光器结构 |
| 6-1-2 激光器输出功率 |
| 6-1-3 半导体激光器输出远场分布 |
| 6-1-4 半导体激光器的纵模 |
| 6-2 半导体激光器的标准具反馈 |
| 6-2-1 半导体激光器标准具反馈的实验装置 |
| 6-2-2 实验结果 |
| 6-3 标准具选模光栅反馈注入 |
| 6-4 小结 |
| 第七章 用互泵浦位相共轭实现半导体激光器波长锁定 |
| 7-1 引言 |
| 7-2 光折变晶体中的互泵浦位相共轭结构 |
| 7-3 互泵浦位相共轭注入实验一 |
| 7-3-1 狭缝位于近场的互泵浦位相共轭注入实验结构 |
| 7-3-2 实验结果 |
| 7-4 互泵浦位相共轭注入实验二 |
| 7-4-1 狭缝位于远场的互泵浦位相共轭实验装置 |
| 7-4-2 实验结果 |
| 7-5 采用两块晶体的互泵浦位相共轭反馈实验 |
| 7-5-1 用两块晶体的互泵浦位相共轭反馈实验装置 |
| 7-5-2 实验结果 |
| 7-6 小结 |
| 总结 |
| 参考文献 |
| 攻博期间发表的学术论文 |
| 个人简历 |
| 致谢 |
（10）碱金属原子跃迁波长与光纤通信波段的光频转换研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 光频转换技术 |
| 1.2 铷原子及铯原子D2 线与光纤通信波段之间的光频转换 |
| 1.3 量子频率转换 |
| 1.4 本论文内容安排 |
| 第2章 光频转换基本理论 |
| 2.1 耦合波方程 |
| 2.2 相位匹配与准相位匹配 |
| 2.3 第二章小结 |
| 第3章 1560nm激光单次通过周期极化晶体倍频至780nm |
| 3.1 单次通过PPMgO:LN晶体倍频 |
| 3.2 单次通过两块PPMgO:LN晶体级联增强倍频 |
| 3.3 基频光线宽对转换效率的影响 |
| 3.3.1 理论分析 |
| 3.3.2 实验结果 |
| 3.4 第三章小结 |
| 第4章 1560nm与780nm激光和频至520nm绿光及其泵浦的光学参量振荡器 |
| 4.1 采用PPKTP和PPMgO:sLT晶体进行和频实验 |
| 4.2 520nm激光泵浦的双共振OPO产生780nm+1560nm光场 |
| 4.3 第四章小结 |
| 第5章 1560nm激光上转换至852nm及单光子级和频转换实验研究 |
| 5.1 1560nm激光上转换到852nm |
| 5.1.1 1878nm激光功率起伏及抑制 |
| 5.1.2 和频实验结果 |
| 5.2 效率优化及单光子级上转换实验 |
| 5.2.1 和频效率优化 |
| 5.2.2 噪声分析 |
| 5.2.3 单光子级频率上转换实验 |
| 5.3 第五章小结 |
| 第6章 852nm激光下转换至1560nm及单光子级差频转换实验研究 |
| 6.1 差频实验方案分析 |
| 6.2 基于PPMgO:LN晶体实现852nm激光下转换至1560nm |
| 6.2.1 经典光下的频率转化及系统优化 |
| 6.2.2 单光子级频率转换及信噪比 |
| 6.3 基于PPLN波导实现852nm弱光频率下转换至1560nm |
| 6.4 基于单原子操控的852nm单光子源优化 |
| 6.5 基于PPLN波导实现量子频率转换的进展 |
| 6.6 第六章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 博士研究生期间完成的期刊论文和会议报告 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
四、BaTiO_3晶体中光折变散射的双向环形振荡（论文参考文献）
- [1]相位共轭光反馈下半导体环形激光器的动力学[J]. 张定梅,蒋再富. 激光与光电子学进展, 2021(19)
- [2]硒化锌/液晶分子锚定对表面等离激元激发调控及应用研究[D]. 苏航. 哈尔滨工业大学, 2021
- [3]光折变表面波激发及其在二次谐波产生中的应用研究[D]. 康慧珍. 南开大学, 2010(07)
- [4]钙离子掺杂的钨青铜型晶体铌酸锶钡的光学特性研究[D]. 高成勇. 山东大学, 2008(01)
- [5]脉冲激光光折变自适应光外差探测技术研究[D]. 张森. 西安电子科技大学, 2007(05)
- [6]Ce:BaTiO3自泵浦位相共轭器特性及应用研究[D]. 张明. 浙江大学, 2004(03)
- [7]改善高功率半导体激光器相干特性的研究[D]. 洪治. 浙江大学, 2001(01)
- [8]光折变相位共轭技术的研究进展[J]. 侯春风,孙秀冬,周忠祥,李焱,姜永远,刘炳胜. 激光技术, 1998(06)
- [9]BaTiO3晶体中光折变散射的双向环形振荡[J]. 吕团孙,邱怡申,许立新,刘文湖. 中国激光, 1991(01)
- [10]碱金属原子跃迁波长与光纤通信波段的光频转换研究[D]. 张孔. 山西大学, 2021(01)