一、铌与95％氧化铝瓷真空封接工艺试验（论文文献综述）
刘联宝,柯春和[1]（1985）在《陶瓷-金属封接技术的进展——中国硅酸盐学会特陶委员会1984年第二届年会特邀大会报告》文中研究表明本文对陶瓷-金属封接技术发展的历史作了简要的回顾;总结了封接技术在现代科学技术各领域中的应用并介绍了近年来这一技术的新进展,特别是我国在这方面做出的贡献。
柯春和,白金书,忻崧义[2]（1984）在《陶瓷的溅射金属化及其与金属封接工艺的研究》文中研究指明本文介绍把四极直流溅射技术应用于陶瓷金属封接领域的研究结果。实验得出了对于95%氧化铝瓷的合适的金属化和封接工艺规范摸索出多种有实用价值的金属化配组并对多种其它陶瓷和介质进行了金属化和封接实验,得到了满意的结果。文中还给出了这一工艺试样的微观观察和分析的结果。目前这一工艺已在大功率耦合腔行波管,印刷电路行波管、阴极激励前向波放大器、回旋管以及激光、环境保护等方面提供应用,效果良好。实验结果表明这种金属化和封接的新工艺是一种先进的工艺,具有广泛的应用前景。
朴文博[3]（2018）在《真空开关管用95%氧化铝陶瓷中温金属化配方研究》文中进行了进一步梳理真空开关管是中高压电力开关的核心部件,制造过程中需要进行陶瓷金属化,以便与金属件封接。等静压成型95%氧化铝陶瓷因其优异的性能被越来越多的厂家采纳。但是与传统热压铸陶瓷相比,等静压陶瓷需要更高的金属化温度,目前国内常用的金属化配方,需要烧结温度达到1500℃以上才能对等静压陶瓷金属化。但金属化温度的提高会产生如制品开裂、变形、釉料流淌等一系列问题,同时生产能耗大,增加了产品生产成本。因此需设计一种简易的中温金属化配方适应这种陶瓷产品的需要。本文以真空开关管用等静压成型95%氧化铝陶瓷金属化工艺为研究对象,采用活化Mo-Mn法,首先对金属化原料球磨工艺进行改良,再根据MnO-Al2O3-SiO2相图,采用5个MnO/SiO2比值,3条等温线,设计出16组活化剂配方试验和Mo粉比例试验。通过拉力测试、XRD物相检测、SEM及EDS元素分析等检测方法研究了不同活化剂配方及Mo粉含量对金属化层力学性能及显微结构的影响。试验结果表明:采用新球磨工艺可以大幅降低金属化原料的粒度,有效减少Mo粉团聚体数量,得到的金属化层均匀致密,玻璃相分布均匀,可以有效提高金属化层的抗拉强度及一致性,且断裂模式良好,为“完全粘瓷”。不同活化剂配方,在金属化温度下烧结时会产生不同的物相。当活化剂中MnO:SiO2值为2:1和1.5:1时会产生MnAl2O4尖晶石,当活化剂中MnO:SiO2值为1:1、1:1.5和1:2时活化剂完全熔化形成玻璃相。同一等温线下,随着MnO:SiO2值的降低,金属化层抗拉强度呈先增大后减小的趋势。当活化剂组成为MnO:SiO2值为1:1和1:1.5,等温线为1200℃和1300℃时,金属化层的平均抗拉强度都在430MPa以上,远超行业标准SJ/T11246-2001中要求的≥120MPa,其中MnO:SiO2值为1:1.5,等温线为1300℃的9号活化剂配方制得的金属化层平均抗拉强度可达488.33MPa,是所有配方中力学性能最好的。且断裂模式良好,均为“完全粘瓷”。随着Mo粉含量的增加,金属化层的抗拉强度呈先增大后较小的趋势,Mo粉含量较多或较少时均不利于金属化层的力学性能。当Mo粉含量为75%时,金属化层均匀致密,抗拉强度最高,平均值可达494MPa,且断裂模式良好,均为“完全粘瓷”。最终确定了M-75号配方为等静压陶瓷中温金属化配方。
殷志强[4]（1975）在《陶瓷—金属封接中的润湿试验与微观分析》文中研究说明 在电真空器件生产及研制中,陶瓷-金属封接是一项重要的工艺。我国在陶瓷-金属封接方面的发展很快,以烧结金属粉末法与活性金属法使用的比较广泛。在其他不少科技、生产部门,也需要陶瓷-金属封接工艺,同时提出了新的苛刻的运用条件,要求封接件能耐高温、耐高绝缘、抗碱、抗酸或耐辐照等。为了稳定与提高工艺质量,发展新配方和
陆艳杰,王永,张小勇,李新成,李锴[5]（2014）在《Al2O3单晶W-Y2O3金属化工艺研究》文中认为研究了Y2O3含量及金属化烧结温度对Al2O3单晶W-Y2O3金属化质量的影响。用纯钯钎料对金属化的Al2O3单晶与铌合金进行了真空封接,测试了封接强度和气密性,用扫描电子显微镜（SEM）观察了金属化层形貌,用X射线衍射（XRD）对金属化层进行了物相分析。结果显示,Y2O3含量为2.0%时,封接强度最高,达到45 MPa;Y2O3含量为3.0%时,封接气密性最高,氦漏率达到1×10-10Pa·m3·s-1;Y2O3含量达到5.0%时,金属化层烧结过程中生成的液相量过多,金属化层龟裂。金属化烧结温度对金属化质量及封接件的性能影响显着,金属化烧结温度越高,金属化层越致密,封接件的强度和气密性越高。烧结温度为1650℃时,金属化层经历了固相烧结,真空封接后金属化层呈不连续、厚度不均的分布状态。烧结温度达到1760℃及以上时,金属化层中有液相生成,封接件的强度和气密性明显提高。金属化温度达到1850℃时,焊接后的金属化层保持致密、连续的分布状态,界面反应产物为Al5Y3O12,封接强度高于40 MPa,氦漏气率达到1×10-10Pa·m3·s-1,为比较理想的金属化烧结温度。
赵智忠[6]（2006）在《高压真空灭弧室结构与工艺的设计与实验研究》文中研究指明本文首先简要回顾了国内外真空灭弧室的发展历史与现状，综述了真空灭弧室的基本设计理论和工艺方法，以高电压等级真空灭弧室为对象，根据目前的发展水平与研究现状、存在的几个主要问题，引出本文的研究内容与目标。 高电压等级真空灭弧室的设计关键是其结构电场的优化。本文以动态绝缘为设计目标，提出高电压真空灭弧室的全程优化设计方法。根据击穿弱点理论，确定把主电场引入均压屏蔽罩的多间隙高电压真空灭弧室结构，然后应用有限元法和最优化理论，对真空灭弧室的电场进行数学建模和优化，即通过求解灭弧室内部的静电场定解问题，优化其内部元件的几何参数，使灭弧室内部电场均匀化，并使静态电场强度的峰值出现在“第二辅助间隙”中。 电真空陶瓷的封接强度是高电压等级真空灭弧室的结构与制造工艺中的关键问题之一。本文首先分析了影响封接强度的主要原因，应用液体焊料的能量约束方程，确定立封结构的焊料凝固轮廓线，得到立封焊缝的有限元模型；对比传统的平封焊缝结构下的应力，并通过标准抗拉件试验证明，立封结构比平封结构的封接应力小，总拉断载荷和单位面积上的抗拉强度都比平封的高。大直径的高压陶瓷真空灭弧室应选择立封结构形式。 针对高电压等级真空灭弧室尺度大、结构可靠性受到威胁的问题，本文对封接过程的工艺参数进行了理论分析、优化与实验研究。通过Surface Evolver软件得到焊缝的有限元模型，进而用ANSYS软件计算不同钎焊降温工艺条件下的封接应力。通过应力分析，得到了一种新的降温工艺，在不增加封接应力、不降低封接强度的前提下，降温时间比传统降温工艺缩短了3小时。标准抗拉件试验验证了这种工艺的效果。在工艺方面，作者还解决了实际生产中出现的中间屏蔽罩固定环断裂问题。 高电压等级真空灭弧室工作过程中的动态绝缘水平是我国目前高电压等级真空灭弧室产品开发的“瓶颈”问题，目前主要靠出厂前的各种老炼工艺来稳定绝缘水平。本文根据中压真空灭弧室的老炼机理，建立了“击穿弱点”分布模型，提出老炼是针对击穿弱点的电子逸出与离子轰击的复合过程，提出了高电压等级下保证动态绝缘水平的老炼方法和老炼参数，用以指导高电压真空灭弧室绝缘的稳定化处理。在工艺方面，作者还分析老炼后出现的瓷壳黄斑现象，并给出了解决的方法。 合成回路试验是检测开关开断性能重要的手段之一。本研究对用于高压真空灭弧室试验的合成回路进行了改进性设计，包括硬件电路的参数计算、合成回路的PLC控制
周明珠[7]（2015）在《电真空器件用Al2O3陶瓷中低温金属化技术研究》文中研究说明随着科技的不断发展,真空电子器件进入大功率、超高频、长寿命的领域,传统的玻璃与陶瓷封接已不能达到真空电子管制作的要求,另外一种封接技术——陶瓷-金属封接工艺应运而生。其中,氧化铝陶瓷金属化技术是氧化铝陶瓷在真空电子器件领域应用的基础,其技术已日臻成熟。但在氧化铝陶瓷金属化制备过程当中,时常会由于金属化层烧结温度高而产生诸多问题,导致封接产品质量不稳定,合格率偏低。本文设计的金属化配方可在较低温度下实现氧化铝陶瓷表面金属化,并达到应用于真空器件的性能要求。不仅为节能减排、低碳经济作出贡献,而且还可以提高技术水平、产品质量和市场竞争力,是促进真空电子器件发展的关键技术之一。本文以95%氧化铝陶瓷表面金属化为研究对象,通过添加活化剂,在现有的制备技术水平上,设计出一个合适金属化配方。配方烧结温度控制在1300-1360℃,抗拉强度>100MPa。设计原则考虑了“三要素”和“三特性”,同时结合活化Mo-Mn法的封接机理。在Mo-Mn法基础上,添入活化剂Ca O,设计几种不同比重的配方,分析比较其对金属化过程的影响。分析可得影响金属化层表面状况的主要因素有:粉末粒径、镀层厚度、固相组分含量、烧结温度及保温时间等。通过对比得到最佳工艺参数为:Mo粉中位粒径为1.6μm;烧结温度为1350℃;保温时间为20分钟。在此条件下制得的氧化铝陶瓷金属化样品,金属化层致密,Ni层表面平整、连续。在Ca O含量为2%时,具有降低金属化烧结温度的效果,封接试样的抗拉强度超过300MPa,且有均匀的粘瓷现象出现。分析活化剂组分对氧化铝陶瓷金属化表面状况及金属化层性能的影响。利用扫描电镜和能谱仪等,对金属化层显微结构及成分进行分析。结果表明,所得最佳工艺下,金属化层断面拉瓷,且抗拉强度好。
杨希锐[8]（2016）在《晶体管封装用陶瓷金属化层的制备与性能研究》文中研究指明随着半导体器件和电子制造业的发展,人们对半导体晶体管的性能和可靠性都有了更高的要求,半导体器件的封装也越来越受到重视。尽管电子封装技术及材料整体向小型化、高性能、高可靠性和低成本的方向发展,但是在部分军用及航空航天用晶体管的生产中,金属封装仍被视为保证器件气密性的最佳选择。国内生产的金属管壳,在陶瓷绝缘子和引线的封接处容易出现气密性问题,影响了晶体管封装的可靠性。因此,研究和设计金属化配方及烧结工艺,制备出致密、封接性能好的金属化层,改善氧化铝陶瓷金属化工艺,对于国内半导体封装产业的发展具有很大意义。本课题利用活化钼锰法在氧化铝陶瓷上制备金属化层,并对金属化层的相组成、微观组织、结合界面、抗拉强度等性能进行研究,通过改变钼粉配比,确定金属化膏剂的基本体系,并对其烧结工艺进行优化。通过添加活化剂氧化物BaO和ZrO2,研究活化剂添加量对金属化层性能的影响,并对其活化机理进行分析。试验结果表明,玻璃粉中SiO2、MnO和Al2O3的质量比为50：35：15时,高温烧结时可以生成较好的玻璃相,不会析出MnAl2O4、Mn2Si04和MnSiO3等晶体。金属化层的性能与膏剂配方和烧结温度有关,钼粉含量为75 wt.%、烧结温度为1400℃下制备的金属化层性能最好,抗拉强度可以达到106MPa。配方中钼粉含量过低时,金属化层中含有过多的玻璃相,影响焊料对金属化层的铺展润湿,金属化层的抗拉强度下降,钼粉含量过高时,玻璃相形成和迁移的太少,金属化层中存在较多气孔而不致密,也会降低封接后抗拉强度；提高烧结温度可以促进玻璃相的形成和迁移,制备出更致密的金属化层,陶瓷和金属化层的结合也更紧密,金属化层的抗拉强度较高,但烧结温度过高时,过多的玻璃相迁移到表面并影响焊料的铺展润湿,金属化层的抗拉强度降低。金属化配方中加入BaO和ZrO2都具有改善金属化层性能的作用,在M3配方中添加BaO的量为1.5wt.%时,活化效果最好,金属化层的抗拉强度可以达到138MPa; ZrO2的添加量为0.5wt.%时效果最好,金属化层的抗拉强度达到了121MPa。但二者的活化机制是有区别的,BaO是通过降低金属化层中玻璃相的黏度,促进玻璃相在陶瓷和金属化层中互相扩散迁移,来达到改善金属化层性能的目的,添加量较少时,制备出的金属化层更加致密,陶瓷和金属化层结合的更紧密,金属化层的抗拉强度提高,添加量过多时,金属化层中过多的玻璃相不利于焊料的铺展润湿,降低封接后的抗拉强度；ZrO2则是通过提高玻璃相的强度来改善金属化层的性能,提高金属化层的抗拉强度,但添加量过多时会影响玻璃相对陶瓷的浸润,并抑制陶瓷和金属化层中玻璃相的互相扩散迁移,制备出的金属化层致密性较差,与陶瓷之间的渗透结合不充分,抗拉强度降低。不同的活化剂需要根据它们的作用机理,合理选择添加量。
潘优[9]（2019）在《95%Al2O3/4J33封接接头残余应力仿真及热循环损伤研究》文中研究说明陶瓷-金属封接是行波管制造的关键技术,超高频、大功率、长寿命行波管器的制造,对陶瓷-金属封接工艺稳定性和服役的可靠性提出了更高的要求。从已有研究成果得出,陶瓷-金属封接结构具有多界面、多材料特征,材料热膨胀系数差异会导致结构中存在较大的残余应力,热循环过程中应力与材料、界面及缺陷的相互作用,会对封接结构制造工艺的稳定性和服役可靠性产生很大的影响。为此,本论文在分析95%Al2O3/4J33封接接头微观结构的基础上,研究了陶瓷-金属封接件残余应力分布规律、热冲击和空间热循环下封接结构应力场及失效规律,为陶瓷-金属封接结构可靠性奠定基础。对以AgCu共晶为钎料,钼锰法间接钎焊的95%Al2O3/4J33接头显微结构进行了分析,确定接头的组成为4J33/Ni扩散层/Ni溶解层/Ag-Cu层/Ni溶解层/Mo扩散层/金属化层/95%Al2O3陶瓷,并在钎料中发现缩松与微裂纹,其在热冲击及热循环中可能扩展为裂纹缺陷。三点弯测试表明金属化层/钎料界面是接头的薄弱界面。研究了95%Al2O3/4J33封接接头的标准件、风险件的焊接残余应力分布规律。分析得出较薄的金属化层（<40μm）能够得到更高的接头强度,过薄的钎料层（<30μm）容易致使钎料缩松缺陷处由于塑性变形累积而扩展成为孔洞、裂纹等缺陷。研究了热冲击和空间热循环下95%Al2O3/4J33封接结构应力场及失效规律。试验表明标准件经十次热冲击（750℃25℃）,接头结构并未改变,但是钎料中缩松尺寸变大,缩松之间通过微裂纹贯穿,接头的力学性能随着热冲击次数增加而降低。热冲击仿真结果表明,热冲击会增加金属化层/钎料层界面拉应力,并促使钎料原有孔洞缺陷扩展,致使界面强度降低。行波管的服役过程中会经受空间热循环（-30℃150℃）,试验表明标准件在1500次热循环后未发现损伤,力学性能并未变化。仿真结果表明空间热循环下接头达不到基于能量准则的疲劳损伤,且接头中原有的缩松对接头热循环寿命无影响,而当循环温度变为-30℃250℃时,钎料塑性应变随着热循环次数增加不断累积,在1200次热循环时便会发生韧性损伤。
唐朝碧[10]（1981）在《封接陶瓷-金属的新钎料——TY-8钎料》文中认为对TY-8活性钎料进行了封接性能试验。结果表明:该钎料可以对陶瓷-金属直接进行封接,这就大大简化了目前国内通常采用的陶瓷-金属封接工艺,特别适用于仪器制造业中的单件或小批量陶瓷封接件的生产。
二、铌与95％氧化铝瓷真空封接工艺试验（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、铌与95％氧化铝瓷真空封接工艺试验（论文提纲范文）
（3）真空开关管用95%氧化铝陶瓷中温金属化配方研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 论文的研究背景及意义 |
| 1.2 氧化铝陶瓷概述 |
| 1.2.1 氧化铝陶瓷的分类及性能 |
| 1.2.2 氧化铝陶瓷的成型方法 |
| 1.2.3 等静压成型氧化铝陶瓷 |
| 1.3 氧化铝陶瓷金属化概述 |
| 1.3.1 氧化铝陶瓷-金属封接方法简介 |
| 1.3.2 活化Mo-Mn法金属化工艺简介 |
| 1.4 活化Mo-Mn法在国内外的研究进展 |
| 1.5 我国常用金属化配方介绍 |
| 1.6 论文的研究内容 |
| 第2章 试验过程及方法 |
| 2.1 试验原料及设备 |
| 2.2 试验技术路线 |
| 2.3 金属化配方试验方法 |
| 2.3.1 金属化粉体球磨工艺试验 |
| 2.3.2 活化剂比例试验 |
| 2.3.3 Mo粉比例试验 |
| 2.4 金属化试样制备工艺 |
| 2.4.1 金属化料浆制备 |
| 2.4.2 丝网印刷 |
| 2.4.3 金属化烧结 |
| 2.4.4 二次金属化工艺 |
| 2.5 金属化层性能测试方法 |
| 2.5.1 粉体粒度测试 |
| 2.5.2 金属化层厚度测试 |
| 2.5.3 金属化层抗拉强度测试 |
| 2.5.4 金相显微分析 |
| 2.5.5 扫描电镜及EDS分析 |
| 2.5.6 XRD物相分析测试 |
| 第3章 金属化粉体球磨工艺对金属化层性能的影响 |
| 3.1 不同球磨工艺的金属化混合粉体粒度分析 |
| 3.2 不同粉体球磨工艺的金属化层力学性能分析 |
| 3.3 不同粉体球磨工艺的金属化层显微结构分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 活化剂配方对金属化层性能的影响 |
| 4.1 活化剂配方设计 |
| 4.2 活化剂熔融试验 |
| 4.2.1 活化剂熔融后外观 |
| 4.2.2 活化剂熔体的XRD物相分析 |
| 4.3 金属化层外观及厚度 |
| 4.3.1 金属化层外观检验 |
| 4.3.2 金属化层与镍层厚度分析 |
| 4.4 不同活化剂配方对金属化层力学性能的影响 |
| 4.5 不同活化剂配方对金属化层显微结构的影响 |
| 4.5.1 不同活化剂配方的金属化层金相分析 |
| 4.5.2 不同活化剂配方的金属化层SEM和 EDS分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 Mo粉含量对金属化层性能的影响 |
| 5.1 不同Mo粉含量的金属化层外观对比 |
| 5.2 不同Mo粉含量的金属化层表面XRD物相分析 |
| 5.3 不同Mo粉含量对金属化层抗拉强度的影响 |
| 5.4 不同Mo粉含量对金属化层显微结构的影响 |
| 5.5 95%氧化铝陶瓷中温金属化配方的确定 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（5）Al2O3单晶W-Y2O3金属化工艺研究（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1. 1 选材 |
| 1. 2 Al2O3单晶金属化试验过程 |
| 1. 3 Al2O3单晶与铌合金封接 |
| 1. 4 性能测试 |
| 2 结果 |
| 2. 1 Y2O3含量对金属化层质量的影响 |
| 2. 2 烧结温度对金属化质量的影响 |
| 2. 3 金属化层物相分析 |
| 3 讨论 |
| 4 结论 |
（6）高压真空灭弧室结构与工艺的设计与实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 真空灭弧室的发展历史与现状 |
| 1.2.1 真空灭弧室的发展历史 |
| 1.2.2 真空灭弧室发展的现状及关键技术 |
| 1.2.3 真空灭弧室的发展趋势 |
| 1.3 高压真空灭弧室的基本设计理论与方法 |
| 1.3.1 真空灭弧室电场优化理论研究进展综述 |
| 1.3.2 高压真空灭弧室触头系统的设计与计算 |
| 1.3.3 真空灭弧室的其他部件 |
| 1.4 真空灭弧室的生产工艺和试验 |
| 1.4.1 瓷壳、金属化及其工艺 |
| 1.4.2 真空灭弧室的老炼工艺 |
| 1.4.3 真空灭弧室的合成回路试验 |
| 1.5 真空灭弧室向高电压等级发展亟需解决的主要问题 |
| 1.6 本文主要研究内容和章节安排 |
| 2 高压真空灭弧室电场的全程优化设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 均压屏蔽罩的设置 |
| 2.3 屏蔽罩边缘的形状与等位线 |
| 2.3.1 平板电极边缘的最高电场 |
| 2.3.2 平板电极边缘的形状 |
| 2.4 均压屏蔽罩的圆角半径和材料 |
| 2.5 均压屏蔽罩圆角的指向 |
| 2.6 高压真空灭弧室的电场优化 |
| 2.6.1 电场优化理论 |
| 2.6.2 电场优化模型 |
| 2.7 电场优化结果 |
| 2.8 本章小结 |
| 3 高压真空灭弧室的封接结构与封接工艺研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 封接结构的理论分析与计算 |
| 3.2.1 平封结构的应力分析与计算 |
| 3.2.2 筒夹封结构的应力分析与计算 |
| 3.2.3 立封结构的应力分析与计算 |
| 3.3 封接结构的ANSYS分析 |
| 3.3.1 润湿现象与接触角 |
| 3.3.2 立封结构分析 |
| 3.3.3 平封结构分析 |
| 3.4 高压真空灭弧室封接结构的确定 |
| 3.4.1 封接质量测试 |
| 3.4.2 高压真空灭弧室封接结构的确定 |
| 3.5 高压真空灭弧室的封接工艺 |
| 3.5.1 不同降温工艺条件下的应力分析 |
| 3.5.2 标准抗拉件和抗拉强度试验管试验 |
| 3.5.3 封接工艺小结 |
| 3.6 屏蔽罩固定环断裂的原因和解决措施 |
| 3.6.1 中间屏蔽罩固定环断裂现象 |
| 3.6.2 金相分析 |
| 3.6.3 解决措施 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 高压真空灭弧室的老炼 |
| 4.1 老炼的机理 |
| 4.1.1 击穿弱点分布模型 |
| 4.1.2 老炼作用机理分析 |
| 4.1.3 高压老炼的微观分析 |
| 4.2 高压真空灭弧室老炼的实验研究 |
| 4.2.1 大电流老炼 |
| 4.2.2 热态高压老炼 |
| 4.2.3 辅助间隙的高压老炼 |
| 4.2.4 变开距老炼 |
| 4.3 高压真空灭弧室老炼工艺的设计 |
| 4.4 瓷壳黄斑的形成机制及消除措施 |
| 4.4.1 对瓷壳黄斑现象的试验分析 |
| 4.4.2 对黄斑现象的理论分析 |
| 4.4.3 消除的措施和结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 高压真空开关的合成回路试验 |
| 5.1 合成回路的原理及发展现状 |
| 5.1.1 合成回路的原理 |
| 5.1.2 合成试验回路发展现状 |
| 5.2 合成回路的主回路 |
| 5.3 充放电电路 |
| 5.3.1 电压源充放电电路 |
| 5.3.2 电流源背靠背充放电电路 |
| 5.4 合成回路试验的等效性 |
| 5.5 合成回路的PLC控制系统 |
| 5.5.1 系统控制原理 |
| 5.5.2 机构电源回路与手动分、合闸 |
| 5.5.3 开关参数测量系统及高速计数器的应用 |
| 5.5.4 合成试验控制系统 |
| 5.5.5 控制参数的修改 |
| 5.6 合成试验波形分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 结论 |
| 创新点摘要 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 |
（7）电真空器件用Al2O3陶瓷中低温金属化技术研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 氧化铝陶瓷材料简介 |
| 1.1.1 氧化铝陶瓷发展历程 |
| 1.1.2 氧化铝陶瓷的分类和性能 |
| 1.1.3 等静压陶瓷 |
| 1.2 氧化铝陶瓷金属化简介 |
| 1.2.1 陶瓷金属化的制备工艺 |
| 1.2.2 氧化铝陶瓷金属化工艺的发展历程 |
| 1.2.3 活化钼锰法 |
| 1.3 配方活化剂的选择 |
| 1.4 论文研究的意义、思想及内容 |
| 1.4.1 论文研究的意义 |
| 1.4.2 论文研究的中心思想 |
| 1.4.3 论文的主要研究内容 |
| 2 金属化配方实验过程及方法 |
| 2.1 实验使用的主要原料和仪器设备 |
| 2.2 实验技术路线 |
| 2.3 配方成分 |
| 2.4 金属化配方粉料的制备 |
| 2.4.1 准备工作 |
| 2.4.2 配方粉料的制备 |
| 3 氧化铝陶瓷金属化烧结 |
| 3.1 氧化铝陶瓷管设计图 |
| 3.2 准备工作 |
| 3.3 配膏 |
| 3.4 丝网印刷 |
| 3.5 陶瓷金属化的烧结 |
| 3.6 电镀Ni |
| 4 金属化层的测试 |
| 4.1 抗拉强度的测试 |
| 4.1.1 抗拉强度测试件夹具的改进 |
| 4.2 金相的测试 |
| 4.3 扫描电镜的测试 |
| 5 氧化铝陶瓷金属化层性能研究 |
| 5.1 Mo粉末的形貌和粒径 |
| 5.2 金属化层镀层的研究 |
| 5.2.1 镀层表面 |
| 5.2.2 金属化层和镍层厚度 |
| 5.3 金属化层断面状况的研究 |
| 5.4 金属化层性能的研究 |
| 5.4.1 烧结温度对金属化性能的影响 |
| 5.4.2 保温时间对金属化层性能的影响 |
| 5.4.3 不同工艺下活化剂渗透深度的能谱分析 |
| 5.5 金属化机理的研究 |
| 6 结论及展望 |
| 6.1 本文结论 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
（8）晶体管封装用陶瓷金属化层的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 半导体晶体管及其封装 |
| 1.1.1 晶体管简介 |
| 1.1.2 封装的作用及类型 |
| 1.1.3 金属封装工艺流程简介 |
| 1.2 陶瓷-金属封接工艺概况 |
| 1.2.1 陶瓷-金属封接发展及应用 |
| 1.2.2 陶瓷-金属封接工艺的分类 |
| 1.3 氧化铝陶瓷金属化简介 |
| 1.3.1 电真空器件用氧化铝陶瓷简介 |
| 1.3.2 氧化铝陶瓷金属化常用方法 |
| 1.4 活化钼锰法制备陶瓷金属化层 |
| 1.4.1 活化钼锰法简介 |
| 1.4.2 活化钼锰法研究现状 |
| 1.4.3 国内外管壳金属化层性能对比分析 |
| 1.5 论文的意义及研究内容 |
| 第2章 试验原料及研究方法 |
| 2.1 金属化配方基本体系 |
| 2.1.1 氧化铝瓷预处理 |
| 2.1.2 金属化膏剂的配制 |
| 2.1.3 金属化配方优化实验 |
| 2.2 烧结工艺优化 |
| 2.3 活化剂优化金属化配方 |
| 2.4 性能分析测试 |
| 2.4.1 金属化层外观检测 |
| 2.4.2 金属化层物相分析 |
| 2.4.3 金属化层表面形貌及成分分析 |
| 2.4.4 截面形貌及成分分析 |
| 2.4.5 抗拉强度测试 |
| 第3章 不同膏剂配比及烧结温度下金属化层的制备及性能研究 |
| 3.1 玻璃粉的配方设计 |
| 3.1.1 玻璃粉与陶瓷反应后外观 |
| 3.1.2 XRD物相分析 |
| 3.1.3 涂层微观形貌及成分分析 |
| 3.1.4 玻璃相-陶瓷界面分析 |
| 3.2 金属化膏剂配方的确定 |
| 3.2.1 不同钼粉配比下金属化层的外观形貌 |
| 3.2.2 不同钼粉配比下金属化层的相组成分析 |
| 3.2.3 不同钼粉配比下金属化层的表面微观形貌及成分分析 |
| 3.2.4 陶瓷-金属化层界面微观形貌及元素分布分析 |
| 3.2.5 钼粉配比对金属化层抗拉强度的影响 |
| 3.2.6 活化钼锰法制备金属化层机理分析 |
| 3.3 烧结温度对金属化层组织和性能的影响 |
| 3.3.1 不同烧结温度下金属化层的外观形貌 |
| 3.3.2 不同烧结温度下金属化层的相组成分析 |
| 3.3.3 不同烧结温度下金属化层的表面微观形貌及成分分析 |
| 3.3.4 烧结温度对金属化层抗拉强度的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 不同活化剂氧化物下金属化层的组织与性能 |
| 4.1 BaO对金属化层组织和性能的影响 |
| 4.1.1 不同BaO含量下金属化层的外观形貌 |
| 4.1.2 不同BaO含量下金属化层的相组成 |
| 4.1.3 不同BaO含量下金属化层的表面微观形貌及成分分析 |
| 4.1.4 陶瓷-金属化层界面微观形貌及元素分布 |
| 4.1.5 BaO对金属化层抗拉强度的影响 |
| 4.2 ZrO_2对金属化层组织和性能的影响 |
| 4.2.1 不同ZrO_2含量下金属化层的外观形貌 |
| 4.2.2 不同ZrO_2含量下金属化层的相组成 |
| 4.2.3 不同ZrO_2含量下金属化层的表面微观形貌及成分分析 |
| 4.2.4 陶瓷-金属化层界面微观形貌及元素分布 |
| 4.2.5 ZrO_2对金属化层抗拉强度的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（9）95%Al2O3/4J33封接接头残余应力仿真及热循环损伤研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.2 陶瓷-金属封接研究现状 |
| 1.2.1 陶瓷表面金属化工艺 |
| 1.2.2 陶瓷-金属封接可靠性影响因素 |
| 1.3 钎焊接头残余应力仿真研究现状 |
| 1.4 钎焊接头热循环损伤失效研究现状 |
| 1.4.1 钎焊接头的热循环失效机理 |
| 1.4.2 陶瓷-金属接头热疲劳性能的影响因素 |
| 1.4.3 钎焊接头热循环的有限元仿真 |
| 1.5 主要研究内容 |
| 第2章 实验材料、设备及有限元分析方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.1.1 标准件尺寸 |
| 2.1.2 母材与钎料成分与组织 |
| 2.1.3 钎焊工艺 |
| 2.2 钎料力学性能测试 |
| 2.2.1 样品制备 |
| 2.2.2 高低温拉伸、压缩及剪切试验 |
| 2.3 热损伤实验 |
| 2.3.1 热循环实验设备 |
| 2.3.2 显微结构分析 |
| 2.3.3 接头强度测试 |
| 2.4 有限元分析方法 |
| 2.4.1 钎焊接头热应力仿真 |
| 2.4.2 韧性损伤失效 |
| 2.4.3 内聚力模型 |
| 2.4.4 子模型技术 |
| 第3章 95%Al_2O_3/4J33接头组织结构分析 |
| 3.1 接头组织结构分析 |
| 3.2 接头缺陷 |
| 3.2.1 接头各部缺陷 |
| 3.2.2 接头缺陷汇总 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 95%Al_2O_3/4J33接头残余应力仿真 |
| 4.1 仿真模型构建 |
| 4.1.1 物理模型构建及网格划分 |
| 4.1.2 材料参数的确定 |
| 4.1.3 应力仿真的可靠性验证 |
| 4.2 标准件的残余应力仿真 |
| 4.2.1 应力分布规律 |
| 4.2.2 界面应力分布规律 |
| 4.2.3 关键尺寸变化对接头应力的影响 |
| 4.3 风险件的残余应力仿真 |
| 4.3.1 应力分布规律 |
| 4.3.2 关键尺寸设计原则 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 热循环下封接结构应力场及失效机制研究 |
| 5.1 标准件焊接热循环(热冲击) |
| 5.1.1 热冲击后标准件接头的微观结构分析 |
| 5.1.2 热冲击后标准件应力分布规律与损伤状态变化 |
| 5.1.3 热冲击过程中关键部位损伤与应力变化规律 |
| 5.1.4 热冲击过程中预置孔洞的扩展仿真 |
| 5.1.5 热冲击后标准件的力学性能测试 |
| 5.2 标准件空间热循环 |
| 5.2.1 钎料在低温下的力学性能 |
| 5.2.2 热循环后标准件接头的微观结构分析 |
| 5.2.3 热循环后标准件应力分布规律 |
| 5.2.4 热循环过程中损伤状态分析 |
| 5.2.5 钎料预置孔洞对损伤状态的影响 |
| 5.2.6 热循环后标准件的力学性能测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、铌与95％氧化铝瓷真空封接工艺试验（论文参考文献）
- [1]陶瓷-金属封接技术的进展——中国硅酸盐学会特陶委员会1984年第二届年会特邀大会报告[J]. 刘联宝,柯春和. 真空电子技术, 1985(04)
- [2]陶瓷的溅射金属化及其与金属封接工艺的研究[J]. 柯春和,白金书,忻崧义. 硅酸盐通报, 1984(03)
- [3]真空开关管用95%氧化铝陶瓷中温金属化配方研究[D]. 朴文博. 北京工业大学, 2018(03)
- [4]陶瓷—金属封接中的润湿试验与微观分析[J]. 殷志强. 电子管技术, 1975(06)
- [5]Al2O3单晶W-Y2O3金属化工艺研究[J]. 陆艳杰,王永,张小勇,李新成,李锴. 稀有金属, 2014(04)
- [6]高压真空灭弧室结构与工艺的设计与实验研究[D]. 赵智忠. 大连理工大学, 2006(12)
- [7]电真空器件用Al2O3陶瓷中低温金属化技术研究[D]. 周明珠. 中国计量学院, 2015(06)
- [8]晶体管封装用陶瓷金属化层的制备与性能研究[D]. 杨希锐. 山东大学, 2016(01)
- [9]95%Al2O3/4J33封接接头残余应力仿真及热循环损伤研究[D]. 潘优. 哈尔滨工业大学, 2019(02)
- [10]封接陶瓷-金属的新钎料——TY-8钎料[J]. 唐朝碧. 稀有金属, 1981(05)