一、孤对电子的极化力与“光谱化学序列”——晶体场理论的修正（论文文献综述）
李玮[1]（2019）在《钙钛矿铁电氧化物异质结的溶液外延、微结构及性能研究》文中进行了进一步梳理钙钛矿铁电氧化物具有自发极化且其极化方向能够随外加电场反转,在传感器、存储器、光催化等领域有着十分广阔的应用前景。近年来,钙钛矿铁电氧化物异质结因其新颖而丰富的物理化学性质,成为材料科学与凝聚态物理的研究热点。因此,设计并制备钙钛矿铁电氧化物异质结,系统地研究溶液外延生长调控、界面微结构、铁电极化屏蔽机制及其界面性质,具有十分重要的科学意义。本论文首先概述了钙钛矿氧化物的晶体结构与功能性,总结了钙钛矿铁电氧化物的铁电极化屏蔽机制以及极化表面的化学性质。同时,重点讨论了钙钛矿氧化物异质结特别是钙钛矿铁电氧化物异质结的制备方法、界面性质与物理机制。然而,铁电极化对晶体生长、界面微结构及其性能的影响尚不清楚,主要问题在于脉冲激光沉积（PLD）、分子束外延（MBE）等经典的薄膜制备技术需要较高的合成温度（一般大于600℃）,导致基板的铁电性大幅度下降甚至消失。本文创新性地提出静电力驱动的氧化物溶液外延生长的设计思路,使用单晶单畴的PbTi03（PTO）纳米片作为基板,利用水热法合成了多种钙钛矿铁电氧化物异质结,对其界面微结构、铁电极化屏蔽、界面性质及其可能的物理机制进行了系统的研究。本论文的主要创新结果如下:（1）采用水热法成功制备SrTi03/PbTi03（STO/PTO）单晶异质结,STO薄膜选择性生长在PTO纳米片的正极化面上,厚度约为22 nm。STO与PTO之间形成了原子级平整的高质量界面,外延关系为{001}STO//{O01}PTO。研究表明,STO/PTO异质结界面的正极化屏蔽主要由电子屏蔽（Ti3+离子的出现）和离子屏蔽（STO靠近界面一个单胞层被极化）协同作用。（2）研究发现,STO/PTO异质结具有室温铁磁性,饱和磁化强度为0.002 emu/g;磁场可以诱导其发生由铁磁性到抗磁性的可逆磁转变;转变磁场强度随着温度的降低而增加。实验和理论研究表明,STO/PTO异质结的铁磁性来源于界面Ti dxy局域磁矩与自由电子之间的耦合作用;当施加一个较高的外加磁场时,界面处的自由电子被局域化,与Ti dxy局域磁矩形成反铁磁耦合作用,因此,STO/PTO异质结表现为块体材料本征的抗磁性。（3）采用水热法成功制备BiFeO3/PbTiO3（BFO/PTO）单晶异质结,BFO薄膜选择性生长在PTO纳米片的负极化面上,饱和厚度为18-20 nm。BFO与PTO之间形成了原子级平整的高质量界面,外延关系为{012}BFO//{001}PTO。研究表明,BFO/PTO异质结界面的负极化屏蔽主要由BFO的自发极化与带正电的氧空位协同作用。PTO的铁电极化与带电前驱体（Bi25FeO40）的电性共同影响了 BFO薄膜的选择性生长,同时,“屏蔽平衡打破再建立”的过程导致了BFO薄膜具有饱和厚度。在饱和厚度之下,通过控制物料浓度实现了BFO薄膜的厚度可控。（4）研究发现,类似于STO/PTO体系,BFO/PTO异质结具有室温铁磁性,饱和磁化强度为0.01 emu/g;磁场可以诱导其发生由铁磁性到抗磁性的可逆磁转变;转变磁场强度随着温度的降低而增加。此外,BFO/PTO异质结的饱和磁化强度随着BFO薄膜厚度的降低而降低。（5）采用水热法成功制备TiO2/PTO异质结,发现铁电极化表面与溶液酸碱度共同决定了锐钛矿相TiO2的选择性生长行为,矿化剂离子对表面的修饰作用影响了锐钛矿相TiO2的形貌。当矿化剂为HF时,TiO2薄膜选择性生长在PTO纳米片的正极化面上,暴露面为{001};当矿化剂为H2O时,TiO2八面体在PTO纳米片的两个极化面上均有生长,没有选择性,暴露面为{101};当矿化剂为NH3·H20时,TiO2八面体选择性生长在PTO纳米片的负极化面上,暴露面为{101}。TiO2与PTO之间均形成了原子级平整的高质量界面,外延关系均为{001}TiO2//{001}PTO。（6）基于表面能与晶格匹配度解释了TiO2的生长行为。研究表明,TiO2/PTO异质结界面的正极化屏蔽主要由原子重构（Pb原子沿y轴方向发生1/2单胞晶格常数的位移）和电子重构协同作用。（7）研究发现,TiO2/PTO异质结表现出极化方向依赖的可见光催化性能,即对于基于电子的可见光解水产氢性能而言,（TiO2/PTO）+异质结的光解水产氢速率是（Ti02/PTO）-异质结的2.43倍;然而,对于基于空穴的可见光降解MB性能而言,（Ti02/PTO）-异质结的一级反应速率常数K是（TiO2/PTO）+异质结的9.5倍。第一性原理计算结果表明,在PTO的正极化面,电子由PTO流向Ti02;而在PTO的负极化面,空穴由PTO流向TiO2,即铁电极化导致的界面能带弯曲造成了其极化方向依赖的可见光催化性能。（8）以单晶STO（10 mm × 10mm × 0.5 mm）作为基板,首次采用水热法成功制备NaTaO3/SrTiO3（NTO/STO）单晶异质结,外延生长了大面积的NTO单晶薄膜,实现了NTO薄膜的厚度可控（15 nm、26 nm和60 nm）,NTO与STO之间形成了原子级平整的高质量界面,外延关系为{001}NTO//{001}STO,理论晶格失配度仅为～-0.15%。NTO与STO之间没有明显的元素互扩散的发生。研究发现,NTO/STO异质结在室温下具有各向异性的磁学性能,即磁场垂直于样品表面时,NTO/STO单晶异质结具有铁磁性,饱和磁化强度约为0.19 memu/cm2,矫顽场约为27 Oe;磁场平行于样品表面时,NTO/STO单晶异质结表现为抗磁性。
张杨[2]（2016）在《两种铁基硒化物的第一性原理研究》文中研究指明铁基化合物材料具有多样的晶体结构、丰富的物理性质以及广泛的应用前景,因此备受凝聚态领域研究者的关注。因其具有铁电、（反）铁磁、超导等性质,从而在磁存储、低能耗器件、医疗、交通运输等方面具有很广阔的应用前景。本论文主要运用第一性原理方法,对铁基超导材料及相关化合物的性质进行研究,也包括对新合成材料体系性质的预测。主要内容安排如下:第一章,主要介绍本研究工作的相关背景知识:铁基化合物中的两大类结构及相关物理性质。对于铁基超导类材料,之前文献主要集中在超导性质的研究,然而在这类材料中还蕴含其它丰富物理特性。本文主要介绍磁性、铁电性、多铁性及超导性,希望通过研究搜寻出具有以上相关物理特性的铁基化合物。第二章,简要介绍了计算所用的理论方法:晶体场理论,密度泛函理论和极化理论的基本定律。此外,还对本论文所用的VASP软件做了简单介绍。第三章,主要研究铁基超导家族母体材料KFe2Se2。通过对称性分析,我们推测每一层铁硒平面均是极性的。根据BaFe2Se3的中子实验结果,我们预测了 KFe2Se2中三种不同Block反铁磁构型。依据磁点群分析,发现Block-B反铁磁结构具有铁电性而其它二种Block反铁磁结构均为反铁电性。随后,通过第一性原理计算,我们首先确认了KFe2Se2的磁基态为Block反铁磁性。其次,证实了磁致伸缩作用导致铁硒层具有自发极化,而整个体系铁电性取决于铁硒层沿着c轴的堆叠方式。进一步,通过标准的Berry Phase极化计算,我们得到了 Block-B反铁磁性的铁电极化沿c轴方向,大小约为0.48μC/cm2。最后,通过对电子态密度的分析,发现铁原子和硒原子在费米面附近杂化,从而证明铁硒之间有共价行为。第四章,主要研究一类具有β-BaFe2S3结构的BaFe2X20（X=S/Se）材料。通过第一性原理研究,我们发现它们具有相同的AFM3共线反铁磁结构以及很大的电子带隙。同时通过对哈伯德U的调节,我们得到最适合描述该材料晶格的U值。此外,通过对电子态密度的分析,我们发现铁原子和硒原子/硫原子存在共价键行为。最后,我们还对该体系的光学性质进行了研究,发现此类体系具有较大光吸收系数,为其在光学器件应用方面提供了理论展望。第五章,本论文的简单总结,以及对下一步工作的展望。
张小娟[3]（2010）在《废弃线路板金属资源化分离过程研究》文中进行了进一步梳理随着社会经济的迅速发展,电子产品的更新速度不断加快,给环境保护和资源回收带来了极大的压力。作为电子产品主要组成部分的线路板具有危害性和资源性的双重特点,开展有关废弃印刷电路板回收处理技术的研究是热点问题,特别是环境污染成为亟待解决的问题。本论文以废弃线路板为研究对象,将废弃线路板破碎后,采用多种检测手段分析废弃线路板组成,确定其资源特性。绘制了铜、铁、锌、镍、锡的水系Eh-pH图和铜、锌、镍的氨系Eh-pH图,并对金属浸出过程进行了热力学分析。结果表明在合适的pH值和电位范围内,铜、铁、锌、镍、锡可用酸浸出,酸浓度的增大会促进金属浸出;铜、锌、镍可与氨在氧气加压的条件下形成络合离子而选择性地浸出,氨浓度的增大和氧压的增大会促进金属浸出。提出并研究了废弃电子线路板的盐酸-氯化铜三段浸出工艺过程,确定了较为适宜的工艺条件。第一段采用1.0mol/L盐酸作为浸出剂,锌、铁、镍的浸出率分别为99.99%、92.14%和82.5%;第二段采用1.8mol/L盐酸作为浸出剂,锡的浸出率为99.94%,锡的浸出过程由表面化学反应控制,遵循“未反应核减缩型”的表面化学反应控制的动力学规律,其反应活化能为42.7kJ/mol;第三段采用氯化铜为浸出剂,铅的浸出率为99.92%,铅浸出过程由表面化学反应控制,符合一级反应速率,其反应活化能为44.8kJ/mol。研究了电子线路板的氨水-碳酸铵-氧气选择性浸出过程,确定了较佳的工艺条件。在此工艺条件下,锌、铜、镍的浸出率分别为100%、99.39%和65.74%。铜浸出过程由扩散控制,其反应活化能为14.68kJ/mol。采用国产萃取剂LK-C2对浸出液中的金属进行萃取分离过程的研究,铜、铁、镍的萃取率分别为99.98%、96.14%和99.35%;以H2SO4为反萃剂研究了反萃过程,铜、铁、镍的反萃率分别为97.51%、99.18%和98.31%,取得了很好的分离效果。基于废线路板的复杂性和多样性,提出了不同的工艺流程,处理回收废线路板中的金属,本文的复合工艺具有较强的实用性。
王猛[4]（2010）在《废弃线路板中加压氨浸法回收金属的研究》文中认为随着科学技术的迅速发展，电子设备的更新换代速度不断加快，也导致了电子废弃物产生量大大增加。废弃线路板作为一种最典型的电子废弃物，具有资源性和危害性的双重特点，尤其是金属含量很高，因此开发一种经济高教且环境友好的方法回收废弃线路板中的金属也就成为亟待解决的问题。本文绘制铜、锌和镍的水系和氮系电位．pH图，对三种金属的氧化氮浸过程进行了热力学分析。结果表明在适宜的pH范围和一定的电位范围内，铜、锌和镍均可与氮形成络台离子实现浸出，氮量的增加和氧压的升高均会对金属的浸出产生促进作用，同时分析判断金属的浸出顺序依次为锌、铜和镍。实验过程中，以氨水．铵盐缓冲溶液作为浸出试剂，氧气作为氧化剂，在高压釜中通过加压氮浸法回收废弃印刷线路板中的铜、锌和镍，分别研究了氨水浓度、铵盐浓度、搅拌速率、氧气压力、温度、浸出时间、铜离子添加量和不同种类铵盐对浸出效果的影响，并得到浸出的最优工艺条件：铵盐选择碳酸铵，浓度为1m01也，氨水浓度为4m01也，搅拌速率为7（）(】r／min，氧气压力为O 2MPa，温度为55℃，浸出时间为150min。在优化条件下，锌完全浸出，铜的浸出率大于99％，镍浸出率大于65％，锡和铅的浸出率小于2％，铁不浸出，达到了选择性浸出的要求。配合工艺研究，对铜的加压氧气氮浸过程进行了动力学研究，结果表明铜的浸出过程遵循不生成固体产物层的“未反应核收缩模型”。实验条件下氧气的反应级数为O 5，表观活化能为14 68kJ01，推断出浸出反应为扩散控制，并通过扩散模型进行拟台得到了进一步的验证。
范赛荣[5]（2008）在《5-磺基水杨酸配合物的合成及结构研究》文中提出本论文研究5—磺基水杨酸（H3ssal）与中性含氮配体形成的金属配合物的合成、晶体结构及性质。使用的中性配体为2,2’-联吡啶（2,2’-bipy）、4,4’-联吡啶（4,4’-bipy）、1，10-邻菲罗啉（phen）、2-氨基吡啶（2-ampy）、苯并咪唑（BD）和二（4-吡啶）乙烯（bpe）等，研究的金属离子为主族金属Pb以及过渡金属Cu、Co、Zn、Cd和Mn等。总共合成了30个配合物，对所有这些化合物进行了单晶X-射线衍射结构测定及红外光谱分析，并对大部分化合物进行元素分析、热重分析和荧光性质的研究。对于金属铜配合物研究了不同反应条件（反应物组成及配比、温度、溶剂等）、合成方法及中性配体对配合物拓扑网络结构的影响，共合成了8个配合物，分别为：[Cu（Hssal）（2,2’-bipy）（H2O）2]n（1），[Cu4（CH3COO）2（ssal）2（2,2’-bipy）4（H2O）2]·6H2O（2），{[Cu（ssal）（2,2’-bipy）][Cu2（ssal）（2,2’-bipy）2（H2O）2]（H2O）}n （3），{[Cu3（ssal）2（dpa）3]·3H2O}n （4），[Cu2Ⅱ（ssal）2（dpa）2][CuⅠ（dpa）2]2·2H2O （5），{[Cu（ssal）（H2O）]（2-ampy）}n （6），{[Cu3（ssal）2（BD）6]·8H2O}n （7），[Cu（TTF）（phen）（H2O）][Cu（TTF）（Hssal）（phen）]（8）。配合物1为一维链状结构，并通过氢键作用扩展为三维网络结构；2为四核单元，也通过氢键形成三维网络结构；3为两条阴、阳离子一维链结构，并通过氢键形成二维网络结构。4为二维层状网络结构，而在相似的合成条件下，5却为混合价态Cu配合物，单核结构。6和7都为一维链状网络结构，只是6中还存在游离的2-氨基吡啶阳离子；而8为双核离子缔合物。配合物1和8中H3ssal只脱去两个氢，保留羟基上的氢；2—7中，全部去质子化。在这8个配合物中，5—磺基水杨酸离子有7种配位方式。对于主族金属铅配合物研究了不同中性配体（螯合及桥联）对配合物拓扑网络结构的影响，共合成了8个配合物，分别为：[Pb（Hssal）（2,2’-bipy）（DMF）]n（9），[Pb（Hssal）（2,2’-bipy）（H2O）]n（10），[Pb（Hssal）（phen）（DMF）]n（11），[Pb3（ssal）2（phen）3]n（12），{[Pb（Hssal）（2,2’-bipy）]（4,4’-bipy）0．5}n （13），Pb2（2,2’-bipy）2（4,4’-bipy）（Hssal）2（H2O）2] （14），[Pb（phen）（4,4’-bipy）0．5（Hssal）]n （15），[Pb（Hssal）（2,2’-bipy）（bpe）0．5]n （16）。9和11结构相同，都为一维梯链状结构；10和12为二维网络结构；13也为一维梯链状结构，不过存在4,4’-bipy客体分子；14为双核结构，其中4,4’-bipy配体双齿配位；15也为一维梯链状结构，4,4’-bipy分子单齿配位；16为二维网络结构。除了12，其他7个配合物中，H3ssal只脱去两个氢，保留羟基上的氢。在这8个配合物中，5—磺基水杨酸离子共存在6种配位模式。在配合物9、11和16中，铅的孤对电子不具有立体化学活性，而在其他5个化合物中都具有立体化学活性，并影响了铅的配位环境。此外，弱的Pb-O键作用和π-π堆积作用也对铅的配位环境有影响。对于过渡金属Co和Zn，得到了两离子缔合物[Co（phen）2（H2O）2]（Hssal）·4H2O（17）和[Zn（phen）2（H2O）2]（Hssal）·4H2O（19），并以它们为原料进行次级合成，得到了两个混金属配合物{[Co（phen）（H2O）4][Cu2（phen）2（ssal）2]·5H2O （18）和[Zn2（μ-OH）2（phen）2（H2O）2][Cu2（phen）2（ssal）2]·3H2O（20）。17和19结构相似，Hssal2-都未参与配位，只是作为抗衡离子存在；而在18和20中，Hssal2-继续去质子化，并参与配位。水热条件下的原位反应，到目前为止大部分机理还不甚清楚，这是近年来广大化学工作者关注的一个焦点。我们在5—磺基水杨酸功能化合物的设计合成过程中发现水热下的三种原位反应：Cu（Ⅱ）的还原反应、脱羧反应及水解反应，并合成了8个配合物，分别为{[CuⅠCuⅡ（ssal）（2,2’-bipy）（4,4’-bippy）]·2H2O}n （21），{[CuⅡ（ssal）2][Cu4Ⅰ（4,4’-bipy）4（H2O）]·5H2O}n （22），[Cu（2,2’-bipy）2Cl]·（4-HBS）·2H2O（23），[Cu（2,2’-bipy）2Cl]·（4-HBS）·（1,4-dp）0．5·H2O （24），{[Cd3（CH3COO）4（4,4’-bipy）4]（HBS）2·10H2O}n （25），[Cd（4,4’-bipy）2（H2O）4]（HBS）2·4H2O（26），[Mn（4，4’-bipy）2（H2O）4]（HBS）2·4H2O （27），{[Co（4,4’-bipy）（H2O）4]（HBS）2·3H2O}n （28）。21和22为铜混合价态配合物，21为二维网络结构，22为一维链状结构。23中有脱羧产物，对羟基苯磺酸离子，但不参与配位，只作为抗衡离子存在。24中既有脱羧产物，还有水解产物，不过它们都没参与配位，分别作为抗衡离子和客体分子存在。25—28中只存在脱羧产物，对羟基苯磺酸离子，也没有参加配位。25为二维网络结构；26和27结构相同，都为单核结构；28为一维链状结构。DMF在加热回流下发生水解反应，其产物甲酸根也会与金属配位，得到两个配合物{[M（COO）（H2O）2（4，4’-bipy）]2[M（4，4’-bipy）（Hssal）2（H2O）2]}n（M=Cd，29；Mn，30）。这两配合物结构相似，都为一维链状结构，并通过氢键作用扩展为三维网络结构。
路英梅[6]（1998）在《孤对电子的极化力与“光谱化学序列”——晶体场理论的修正》文中研究表明现有晶体场理论不能全面合理地解释“光谱化学序列”。本文提出配位原子中的孤对电子是造成晶体场分裂的主要因素；孤对电子的极化力越大，造成的晶体场分裂能亦越大。本文通过对孤对电子极化力的各种影响因素的分析，得出了不同配体对同一中心离子造成的晶体场分裂能Δ的相对值经验计算公式，从而较完满地解释了“光谱化学序列”。
二、孤对电子的极化力与“光谱化学序列”——晶体场理论的修正（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、孤对电子的极化力与“光谱化学序列”——晶体场理论的修正（论文提纲范文）
（1）钙钛矿铁电氧化物异质结的溶液外延、微结构及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 钙铁矿氧化物概述 |
| 1.2.1 钙钛矿氧化物的晶体结构 |
| 1.2.2 钙钛矿氧化物的功能性 |
| 1.3 几种典型的钙钛矿氧化物 |
| 1.3.1 钛酸铅PbTiO_3(PTO) |
| 1.3.2 钛酸锶SrTiO_3(STO) |
| 1.3.3 铁酸铋BiFeO_3(BFO) |
| 1.4 铁电极化屏蔽及极化表面的化学性质 |
| 1.4.1 铁电极化屏蔽 |
| 1.4.2 铁电极化表面的化学性质 |
| 1.4.3 PTO的表面化学性质 |
| 1.5 钙钛矿氧化物异质结及其界面 |
| 1.5.1 钙钛矿氧化物异质结界面概述 |
| 1.5.2 钙钛矿氧化物异质结的制备方法 |
| 1.5.3 钙钛矿氧化物异质结界面的物理机制 |
| 1.5.4 钙钛矿铁电氧化物异质结的界面效应 |
| 1.6 本论文研究思路与主要研究内容 |
| 第二章 实验与测试技术 |
| 2.1 化学药品与实验仪器 |
| 2.1.1 化学药品 |
| 2.1.2 实验仪器与设备 |
| 2.2 材料制备工艺 |
| 2.2.1 水热法制备单晶单畴PbTiO_3纳米片 |
| 2.2.2 水热法制备SrTiO_3/PbTiO_3(STO/PTO)纳米单晶异质结 |
| 2.2.3 水热法制备BiFeO_3/PbTiO_3(BFO/PTO)纳米单晶异质结 |
| 2.2.4 水热法制备TiO_2/PbTiO_3(TiO_2/PTO)纳米单晶异质结 |
| 2.2.5 水热法合成NaTaO_3/SrTiO_3(NTO/STO)大尺寸单晶异质结 |
| 2.3 结构分析和性能测试方法 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.3.2 掠入射X射线广角散射(GIWAXS) |
| 2.3.3 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.3.5 球差校正场发射扫描透射电子显微镜、X射线能谱与电子能量损失谱 |
| 2.3.6 环氧树脂包埋切片 |
| 2.3.7 双束聚焦离子束微纳加工仪(FIB) |
| 2.3.8 比表面积测试 |
| 2.3.9 紫外-可见分光光度计(UV-Vis Spectrophotometer) |
| 2.3.10 光致发光光谱分析(PL) |
| 2.3.11 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.3.12 原子力显微镜(AFM) |
| 2.3.13 多功能振动样品磁强计系统(VSM) |
| 2.3.14 电子磁手性二向色性技术(EMCD) |
| 2.3.15 静态太赫兹光谱技术(THz) |
| 2.3.16 光解水产氢及光降解有机物性能表征 |
| 2.4 第一性原理计算 |
| 第三章 STO/PTO异质结的制备、铁电极化屏蔽及磁学性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.3 STO/PTO异质结界面微结构表征及铁电极化屏蔽机制探究 |
| 3.3.1 STO/PTO异质结界面微结构表征 |
| 3.3.2 STO/PTO异质结界面的铁电极化屏蔽 |
| 3.4 STO/PTO异质结的磁学性能以及机理探究 |
| 3.4.1 STO/PTO异质结的磁学性能 |
| 3.4.2 STO/PTO异质结铁磁性与可逆磁转变的机理 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 BFO/PTO异质结的制备、铁电极化屏蔽及磁学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 BFO/PTO异质结的制备及生长调控 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.3 BFO/PTO异质结的微结构表征、铁电极化屏蔽及生长机制探究 |
| 4.3.1 BFO/PTO异质结的微结构表征 |
| 4.3.2 BFO/PTO异质结界面的铁电极化屏蔽 |
| 4.3.3 BFO/PTO异质结的生长机制探究 |
| 4.4 BFO薄膜的厚度调控及BFO/PTO异质结的磁学性能研究 |
| 4.4.1 BFO薄膜的厚度调控 |
| 4.4.2 BFO/PTO异质结的磁学性能 |
| 4.4.3 BFO/PTO异质结铁磁性与可逆磁转变的机理 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 TiO_2/PTO异质结的制备、铁电极化屏蔽及光催化性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 TiO_2/PTO异质结的制备及其生长调控 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.2 结果与讨论 |
| 5.3 TiO_2/PTO异质结的微结构表征、铁电极化屏蔽及其生长机理 |
| 5.3.1 TiO_2/PTO异质结的微结构表征 |
| 5.3.2 TiO_2/PTO异质结界面的铁电极化屏蔽 |
| 5.3.3 TiO_2/PTO异质结的生长机制探究 |
| 5.4 TiO_2/PTO异质结的可见光催化性能 |
| 5.4.1 TiO_2/PTO异质结的极化方向依赖的可见光催化性能 |
| 5.4.2 TiO_2/PTO异质结的极化方向依赖的可见光催化机理探究 |
| 5.4.3 TiO_2薄膜厚度对可见光催化性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 宏观尺寸NTO/STO单晶异质结的制备及性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 NTO/STO单晶异质结的制备及其生长调控 |
| 6.2.1 样品制备 |
| 6.2.2 结果与讨论 |
| 6.3 NTO/STO单晶异质结的微结构表征以及厚度调控 |
| 6.3.1 NTO/STO单晶异质结的微结构表征 |
| 6.3.2 NTO/STO单晶异质结的厚度调控 |
| 6.4 NTO/STO单晶异质结的磁学性能研究 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历及攻读学位期间取得的科研成果 |
（2）两种铁基硒化物的第一性原理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 研究背景 |
| 1.1 引言: 铁基化合物材料 |
| 1.2 铁基化合物主要分类 |
| 1.2.1 AFeO_3型钙钦矿 |
| 1.2.2 铁基超导化合物 |
| 1.3 铁基化合物的性质 |
| 1.3.1 磁性 |
| 1.3.2 铁电性 |
| 1.3.3 多铁性 |
| 1.3.4 超导性 |
| 1.4 本章小结 |
| 1.5 参考文献 |
| 第二章 理论背景和计算方法 |
| 2.1 晶体场理论简介 |
| 2.2 密度泛函理论简介 |
| 2.3 交换关联势 |
| 2.4 极化理论(Berry Phase method) |
| 2.5 VASP软件的简要介绍 |
| 2.6 DFT+U |
| 2.7 本章小结 |
| 2.8 参考文献 |
| 第三章 KFe_2Se_2中Block反铁磁性及可能的铁电性 |
| 3.1 引言及背景 |
| 3.2 KFe_2Se_2的结构 |
| 3.3 计算方法 |
| 3.4 KFe_2Se_2的磁性及多铁性研究 |
| 3.4.1 对称性分析 |
| 3.4.2 DFT结果 |
| 3.5 结果与讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 3.7 参考文献 |
| 第四章 β-BaFe_2S_3体系的结构,磁性,光学性质的第一性原理研究 |
| 4.1 研究动机和背景 |
| 4.2 晶体结构 |
| 4.3 计算方法 |
| 4.4 p-BaFe_2S_3体系材料的磁性及光学性质的研究 |
| 4.4.1 BaFe_2Se_2O的磁性研究 |
| 4.4.2 BaFe_2Se_2O的光学性质 |
| 4.4.3 BaFe_2S_2O的磁性研究 |
| 4.4.4 BaFe_2S_2O的光学性质 |
| 4.5 讨论与分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 4.7 参考文献 |
| 第五章 总结和展望 |
| 硕士期间发表论文和参加的学术活动 |
| 致谢 |
（3）废弃线路板金属资源化分离过程研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 废弃线路板的特性 |
| 1.2.1 增长率高 |
| 1.2.2 回收价值高 |
| 1.2.3 环境危害大 |
| 1.3 国内外回收废旧电子线路板的现状 |
| 1.3.1 国外回收现状 |
| 1.3.2 国内回收现状 |
| 1.4 从废弃线路板中回收金属的工艺技术简介 |
| 1.4.1 机械处理法 |
| 1.4.2 热处理技术 |
| 1.4.3 湿法冶金 |
| 1.4.4 生物处理法 |
| 1.4.5 超临界水氧化法 |
| 1.5 湿法浸出的动力学模型 |
| 1.5.1 收缩核模型 |
| 1.5.2 多孔扩散模型 |
| 1.5.3 混合控制模型 |
| 1.6 本课题研究意义和研究内容 |
| 第二章 废弃线路板的组成分析 |
| 2.1 实验部分 |
| 2.1.1 废线路板来源 |
| 2.1.2 实验仪器与试剂 |
| 2.1.3 实验方法 |
| 2.2 结果与讨论 |
| 2.2.1 废线路板破碎后形态鉴定 |
| 2.2.2 废线路板组成元素分析 |
| 2.2.3 废线路板的X 射线衍射分析 |
| 2.2.4 废线路板的热重分析 |
| 2.2.5 废线路板的傅立叶红外光谱分析 |
| 2.2.6 废线路板的组成 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 浸出原理及热力学分析 |
| 3.1 废线路板浸出原理 |
| 3.2 选择性浸出热力学分析 |
| 3.2.1 浸出反应热力学特性 |
| 3.2.2 废线路板中金属组分酸浸、氨浸体系的Eh-pH 图 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 盐酸-氯化铜浸出锌、铁、镍、锡、铅的研究 |
| 4.1 盐酸-氯化铜浸出实验部分 |
| 4.1.1 废线路板颗粒样品的金属含量分析 |
| 4.1.2 浸出剂的选择 |
| 4.1.3 盐酸浸出实验方法 |
| 4.1.4 氯化铜浸出铅实验方法 |
| 4.2 液固反应动力学研究的原理与方法 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 盐酸浸出锌、铁、镍影响因素实验 |
| 4.3.2 盐酸浸出锡的影响因素实验 |
| 4.3.3 盐酸浸出锡的动力学研究 |
| 4.3.4 氯化铜浸出铅的影响因素实验 |
| 4.3.5 氯化铜浸出铅的动力学研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 氨水-碳酸铵-氧气加压浸出锌、铜、镍的研究 |
| 5.1 氨水-碳酸铵-氧气浸出锌、铜、镍的原理 |
| 5.2 氨水-碳酸铵-氧气浸出实验部分 |
| 5.2.1 实验装置 |
| 5.2.2 废线路板颗粒样品的金属含量分析 |
| 5.2.3 浸出剂的选择 |
| 5.3 氨水-碳酸铵-氧气浸出反应动力学研究的原理与方法 |
| 5.4 实验结果与讨论 |
| 5.4.1 氨水-碳酸铵-氧气浸出锌、铜、镍的影响因素实验 |
| 5.4.2 氨水-碳酸铵-氧气浸出铜的动力学研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 铜、铁、镍和锌的萃取分离研究 |
| 6.1 LK-C2 萃取金属的原理 |
| 6.2 萃取及反萃实验方法 |
| 6.2.1 实验原料和试剂 |
| 6.2.2 实验方法 |
| 6.3 结果与结果 |
| 6.3.1 铜的萃取实验研究 |
| 6.3.2 铜的反萃实验研究 |
| 6.3.3 铁的萃取实验研究 |
| 6.3.4 铁的反萃实验研究 |
| 6.3.5 镍的萃取实验研究 |
| 6.3.6 镍的反萃实验研究 |
| 6.3.7 常见阴离子的浓度对萃取效率的影响 |
| 6.3.8 金属离子的复合萃取工艺 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 优化工艺流程 |
| 7.1 盐酸-氯化铜浸出分离集成工艺 |
| 7.2 氨水-碳酸铵-氧气加压浸出分离集成工艺 |
| 7.3 LK-C2 萃取分离集成工艺 |
| 7.4 两种浸出分离集成工艺的特点 |
| 第八章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（4）废弃线路板中加压氨浸法回收金属的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 废弃线路板的特性 |
| 1.2.1 数量逐年增加 |
| 1.2.2 潜在价值高 |
| 1.2.3 环境危害大 |
| 1.3 废弃线路板的管理回收现状 |
| 1.3.1 国外管理回收现状 |
| 1.3.2 国内管理回收现状 |
| 1.4 废弃线路板资源化回收方法 |
| 1.4.1 热处理技术 |
| 1.4.2 机械处理技术 |
| 1.4.3 生物处理技术 |
| 1.4.4 湿法冶金技术 |
| 1.4.5 超临界流体技术 |
| 1.5 湿法浸出的动力学模型 |
| 1.5.1 收缩核模型 |
| 1.5.2 多孔扩散模型 |
| 1.5.3 混合控制模型 |
| 1.6 研究意义 |
| 1.7 本文主要研究内容 |
| 第二章 浸出原理及热力学分析 |
| 2.1 浸出原理 |
| 2.2 热力学分析 |
| 2.2.1 Cu的E-pH图 |
| 2.2.2 Zn的E-pH图 |
| 2.2.3 Ni的E-pH图 |
| 2.2.4 浸出顺序分析 |
| 2.3 本章 小结 |
| 第三章 实验材料及研究方法 |
| 3.1 实验原料 |
| 3.2 实验药品和仪器 |
| 3.3 实验设备和方法 |
| 3.3.1 金属含量的测定实验 |
| 3.3.2 废弃线路板的XRD分析 |
| 3.3.3 加压氧气氨浸实验 |
| 3.4 本章 小结 |
| 第四章 工艺条件的考察 |
| 4.1 pH的影响 |
| 4.2 氨水浓度的影响 |
| 4.3 碳酸铵浓度的影响 |
| 4.4 搅拌速率的影响 |
| 4.5 氧压的影响 |
| 4.6 温度的影响 |
| 4.7 浸出时间的影响 |
| 4.8 加入铜盐的影响 |
| 4.9 不同铵盐的的影响 |
| 4.10 优化工艺条件试验 |
| 4.11 氨浸法工艺路线 |
| 4.12 本章 小结 |
| 第五章 加压氨浸过程的动力学研究 |
| 5.1 动力学模型的建立 |
| 5.2 动力学研究结果与讨论 |
| 5.2.1 氧压对铜浸出率的影响 |
| 5.2.2 温度对铜浸出率的影响 |
| 5.3 动力学模型的验证 |
| 5.4 本章 小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（5）5-磺基水杨酸配合物的合成及结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 配位化学概述 |
| 1.1.1 配位化学研究意义 |
| 1.1.2 配位聚合物空间网络结构特征 |
| 1.2 水杨酸的配位化学 |
| 1.3 磺酸的配位方式 |
| 1.4 3-sb的配位方式 |
| 1.5 H_3ssal的配位方式 |
| 1.6 结构多样性研究体系的设计 |
| 1.6.1 金属离子的选择 |
| 1.6.2 酸性配体和中性配体的选择 |
| 1.6.3 结构多样性研究实现的方法 |
| 1.7 本课题的选题意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 5-磺基水杨酸铜配合物的合成及结构研究 |
| 2.1 铜5-磺基水杨酸与2，2’-bipy的配位作用 |
| 2.1.1 试验试剂和仪器 |
| 2.1.2 实验部分 |
| 2.1.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 2.1.4 结果与讨论 |
| 2.1.4.1 合成讨论 |
| 2.1.4.2 红外谱图分析 |
| 2.1.4.3 晶体结构分析 |
| 2.1.4.4 热重分析 |
| 2.1.4.5 荧光分析 |
| 2.2 铜5-磺基水杨酸与dpa的配位作用 |
| 2.2.1 试验试剂和仪器 |
| 2.2.2 实验部分 |
| 2.2.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 2.2.4 结果与讨论 |
| 2.2.4.1 合成分析 |
| 2.2.4.2 红外谱图分析 |
| 2.2.4.3 晶体结构分析 |
| 2.3 铜5-磺基水杨酸与其他中性配体的配位作用 |
| 2.3.1 试验试剂和仪器 |
| 2.3.2 实验部分 |
| 2.3.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 2.3.4 结果与讨论 |
| 2.3.4.1 红外谱图分析 |
| 2.3.4.2 晶体结构分析 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 5-磺基水杨酸铅配合物的合成及结构研究 |
| 3.1 铅5-磺基水杨酸与螯合中性配体的配位作用 |
| 3.1.1 试验试剂和仪器 |
| 3.1.2 试验部分 |
| 3.1.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 3.1.4 结果与讨论 |
| 3.1.4.1 合成分析 |
| 3.1.4.2 红外分析 |
| 3.1.4.3 结构分析 |
| 3.1.4.4 热重分析 |
| 3.1.4.5 荧光分析 |
| 3.2 铅5-磺基水杨酸与螯合及桥联中性配体的配位作用 |
| 3.2.1 试验试剂和仪器 |
| 3.2.2 试验部分 |
| 3.2.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 3.2.4 结果与讨论 |
| 3.2.4.1 合成分析 |
| 3.2.4.2 红外分析 |
| 3.2.4.3 晶体结构分析 |
| 3.2.4.4 热重分析 |
| 3.2.4.5 荧光分析 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 次级合成策略的应用及其配合物合成 |
| 4.1 试验试剂和仪器 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 红外光谱分析 |
| 4.4.2 晶体结构分析 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 水热条件下的原位反应 |
| 5.1 Cu化合物 |
| 5.1.1 试验试剂和仪器 |
| 5.1.2 实验部分 |
| 5.1.3 化合物21和22中铜氧化态的表征 |
| 5.1.4 X-射线单晶衍射分析 |
| 5.1.5 结果与讨论 |
| 5.1.5.1 合成分析 |
| 5.1.5.2 红外分析 |
| 5.1.5.3 结构分析 |
| 5.1.5.4 热重分析 |
| 5.1.5.5 荧光分析 |
| 5.2 脱羧反应 |
| 5.2.1 试验试剂和仪器 |
| 5.2.2 实验部分 |
| 5.2.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 5.2.4 结果与讨论 |
| 5.2.4.1 合成分析 |
| 5.2.4.2 红外分析 |
| 5.2.4.3 晶体结构 |
| 5.2.4.4 热重分析 |
| 5.2.4.5 荧光分析 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 DMF水解反应及配合物合成 |
| 6.1 试验试剂和仪器 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.3 X-射线单晶衍射分析 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 6.4.1 合成分析 |
| 6.4.3 晶体结构 |
| 6.4.4 热重分析 |
| 6.4.5 荧光分析 |
| 本章小结 |
| 参考文献 |
| 全文总结 |
| 本论文的主要创新点 |
| 附录 配合物1-30的非氢原子分数坐标和热参数 |
| 攻读博士学位期间已发表的论文 |
| 致谢 |
四、孤对电子的极化力与“光谱化学序列”——晶体场理论的修正（论文参考文献）
- [1]钙钛矿铁电氧化物异质结的溶液外延、微结构及性能研究[D]. 李玮. 浙江大学, 2019(07)
- [2]两种铁基硒化物的第一性原理研究[D]. 张杨. 东南大学, 2016(04)
- [3]废弃线路板金属资源化分离过程研究[D]. 张小娟. 天津大学, 2010(07)
- [4]废弃线路板中加压氨浸法回收金属的研究[D]. 王猛. 天津大学, 2010(02)
- [5]5-磺基水杨酸配合物的合成及结构研究[D]. 范赛荣. 浙江大学, 2008(11)
- [6]孤对电子的极化力与“光谱化学序列”——晶体场理论的修正[J]. 路英梅. 大学化学, 1998(06)