富士通制造新的5.25英寸磁光盘

富士通制造新的5.25英寸磁光盘

一、富士通制成新型5.25英寸磁光盘(论文文献综述)

乐陶然[1](2007)在《Co基稀土系记录薄膜磁化过程的微磁学模拟研究》文中进行了进一步梳理光磁混合记录方法,是一种可以突破超顺磁极限的限制,并进一步提高硬盘记录密度和读写速率的一种新型超高密度信息存储方式。它汲取了磁光记录以及磁记录的优点,信号写入采用的是激光辅助加热方式,信号读出则是采用高灵敏度的巨磁阻磁头检测磁通方式来进行。开展光磁混合记录介质的研究,对于提高硬盘的记录密度和实现光磁混合记录技术的实用化都有着极其重要的意义。本文围绕新型光磁混合记录介质SmDyCo、SmTbCo系薄膜的微观结构、物理特性及其相关机理,在实验和理论方面进行了比较深入和系统的研究。运用微磁模型及微磁模拟软件SimulMag,对SmDyCo单层磁性膜、有软磁层的SmDyCo磁性膜的磁化特性,动态磁化过程以及读出特性进行了模拟研究,模拟结果与实验结果相吻合。运用微磁理论模型及微磁模拟软件SimulMag研究了双层耦合膜在外场作用下的磁化特性和读出特性,对双层耦合磁性薄膜加入软磁层后的磁化特性和读出特性进行了模拟研究。运用微磁模型及微磁模拟软件OOMMF,对SmTbCo单层磁性膜在不同角度外磁场作用下的磁化特性、磁化过程状态以及能量密度变化进行了系统的模拟。运用微磁模型及微磁模拟软件OOMMF,研究了双层耦合膜的磁化特性和界面磁畴形成条件,运用相关理论解释了双层耦合膜的磁化特性。最后,对不同记录层厚度和读出层厚度情况下薄膜的交换能密度变化进行了研究。

万仞[2](2006)在《磁光特性参数测试系统硬软件研究与开发》文中研究表明磁光存储兼有磁存储与光存储的优点,随着磁光材料理论与制备方法的发展,磁光记录介质的磁光特性检测技术的研究显得尤为重要。本文从实际的检测要求出发,对产生线形三角波扫描磁场(简称扫场)的电路和与其相关计算机辅助测试软件所涉及的内容进行了研究,完成了扫场电路及测试软件的设计。扫场电路以16位高性能单片微型计算机80C196KC为主控单元,结合必要的外围电路,对磁场形成反馈闭环控制:微机对霍尔元件测得的磁场信号进行A/D转换后与编程产生的标准数字三角波进行比较,利用比较结果调整微机输出的脉宽调制(PWM)信号的占空比,此PWM信号用来驱动桥式电路中合适的IGBT,调整电磁铁线圈中的电流从而调整磁场大小,使扫场波形与标准数字三角波波形一致。扫场电路可以控制扫场的开启、保持、停止以及设定扫描的速度。计算机辅助测试软件将采集进计算机的磁场及克尔角信号在同一坐标系中绘制为磁光克尔回线,并通过回线计算出被测样品的克尔角和矫顽力,将计算结果及采集进的反射率等特性参数一并显示输出。软件提供的多种数据保存格式满足数据的交换与处理要求。研制成功的测试设备已应用于商用光盘和实验室制备的磁光薄膜的测量,从测量结果来看,所研制的磁光记录介质特性测试系统完全满足科学研究与教学实验的要求。

白永林[3](2003)在《超高密度光盘存储关键技术的研究》文中研究指明光盘存储技术在信息社会中发挥着越来越重要的作用,但其它数据存储技术的飞速发展使传统光盘数据存储技术面临挑战,信息技术的发展更急需开发更高存储密度的光存储系统。本文围绕超高密度光盘数据存储技术中的固体浸没透镜存储技术以及基于Sb多层膜的介质超分辨高密度光存储技术展开研究,其目的在于通过对这两种最接近实用化的近场高密度光存储技术的研究,掌握和发展下一代超高密度光存储设备的关键技术。 文中首先通过对现有的DVD驱动器光学头系统的改装建立了一套通用的光数据存储光学头实验系统,该系统充分利用了现有DVD光学头的结构,并将外部的激光光源引入光学头系统,使改装后的光学头具有使用多种波长激光光源进行光存储试验的能力。结合高密度光存储实验的具体要求,为改装后的光学头设计了专用伺服控制系统,刻录实验结果说明建立的数据存储光学头系统能很好的完成光学头系统各种基本功能,其成功建立为进一步的SIL存储实验以及介质超分辨存储实验提供了基本的光存储刻录光学系统。 在SIL存储技术研究方面,首先提出一种光学玻璃热熔加工制作SIL的新方法,该方法克服了小半径球透镜加工的难题,成功制作出了半球固体浸没透镜;设计了SIL飞行头系统,并利用光学头像散法聚焦误差检测原理,设计出一种双光学头SIL飞行高度测量方案,实现了SIL飞行头飞行高度的测量。该测量方法的提出为SIL飞行头系统的设计及优化提供了基本的测量手段。SIL飞行头系统与光数据存储光学头实验系统相结合,在相变记录介质上得到了0.45μm的静态记录线宽,该结果与非SIL存储系统的记录线宽(0.65μm)相比压缩了1.44倍。 为了研究基于Sb多层膜的介质超分辨高密度光存储技术,制作了SiN/Sb/SiN超分辨结构膜系,通过泵浦-探测法观察到了Sb膜系透射率的变化,验证了制作的Sb超分辨膜系具有超分辨效应;利用Z扫描的方法测量了Sb超分辨结构的非线性折射率系数;并利用NSOM系统对Sb超分辨膜系的超分辨特性进行了尝试性测量。 此外,本文还建立了对SIL系统光传输特性进行模拟的时域有限差分程序,提出一种在FDTD模拟的离散空间设置会聚高斯光源的新方法,并模拟了会聚高斯光束在SIL系统中的传输,研究了SIL在不同离焦情况下底面出射光场幅度及光束半径的变化规律,为SIL存储系统的优化设计提供了理论依据。模拟的过程中还发现,在小尺寸SIL透镜(半径为波长量级)离焦时,系统焦点可以被推移到离SIL底面较远的位置而不会产生大的分辨率损失,根据该结果我们提出了一种增大SIL底面与存储介质间距的方案,该方案对于SIL高密度光存储系统的实用化研究具有重要意义。

王小庆[4](2001)在《移动存储时代呼啸而来》文中研究表明Portable Storage Device就是目前我们常说的可移动存储设备,简称PSD。随着计算机行业的飞速发展,我们的PC性能时时刻刻都在飞跃,内存的存储量达到128Mb早已经不稀奇了,光驱的速度更是越来越快,几十Gb的硬盘也满地都是,惟独1.44Mb软盘与PC的发?

魏杰[5](1998)在《激光光盘信息记录光刻胶的合成与感光》文中指出近年来随着现代科学技术飞速发展,社会各个领域的信息量急剧增加,现有信息记录材料已不能满足日益增长的信息存储需要,激光光盘具有巨大存储容量、高清晰度高保真图像、数字式信号方式读取、较长使用寿命和较低廉价格,其诞生和发展无疑是信息革命的重大成就。 本论文研究激光光盘母盘刻录用高分辨率信息记录材料,它也是进行精细图像加工、制造微电子器件、印刷制版关键性化学品。所用的激光光源以其单色性、相干性好、功率大的特点使感光材料在微米大小高强光点下曝光得到高集成度、高分辨率的图像,而成为光刻技术的新光源。 高分辨率信息记录材料通常是正性光致抗蚀剂,它由光敏剂、成膜树脂、溶剂及其相关添加剂组成。本论文以邻叠氮萘醌磺酰氯为感光剂,选择并合成酚醛树脂、2,3,4—三羟基二苯甲酮、2,2′,3,4—四羟基二苯甲酮、2,3′,4,4′—四羟基二苯甲酮和2,3,3′,4,4′,5—六羟基二苯甲酮,以及羟基硅、多羟基萘醌为接枝母体,通过缩合反应合成系列邻叠氮萘醌型光敏剂。利用红外、紫外光谱,元素分析,液相色谱等研究了光敏剂的组成。通过对酚醛树脂分子量及其分布的测定,筛选出适应于感光组成物的成膜树脂。以及具有良好溶解性的溶剂,配制出基本感光组成物。为使感光组成物的吸收波长与激光更好地匹配,选择并合成了香豆素酮等光谱增感剂。 论文进行了感光组成物在UV曝光下感光性能的研究,采用酸碱滴定法和动力学作图法研究了上述结构光敏剂的量子效率,利用重量法及灰梯尺法测定出特性曲线、相对感度及分辨率。此外也研究了粘度、玻璃化温度、前烘焙、放置稳定性等。得到分辨率<1μm,感度≤100mJ/cm2的高分辨率信息记录材料。 论文也进行了感光组成物感激光性能的研究:利用激光荧光光谱及激光诱导荧光衰减法实现了实时探测邻叠氮萘醌型光敏剂感激光光化学过程、中间体的产生与结构以及增感作用的研究,该方法在国内外文献中未见有报道。探讨了利用激光感光特性曲线研究感光组成物激光感光度及增感倍率。经国家光盘联合实验室测试,得到涂敷成膜性能良好,预刻槽宽0.60+0.06μm,预刻槽间距1.62±0.10μm,预刻槽深800nm左右,分辨率满足光盘0.6μm刻槽需要的感激光高

New Product & Technology[6](1995)在《新产品新技术》文中提出 美国派克贝尔电子公司推出可遥控个人电脑以及数款新型个人电脑。 这家今年上半年全美销售量占第一位的电子公司推出的大多数新机型,均配备英特尔公司先进的PENTIUM晶片,所有机型至少装有8个百万位元的记忆体和每秒传送速度达2.88万位元组的数据机。 硬盘机容量从540个百万位元组到2100个百万位元组都有。

郑登理[7](1993)在《可擦重写磁光盘的现状及其发展动向》文中提出本文介绍了磁光盘的特点及其数据记录介质,较全面地概括了各种规格的磁光盘的技术性能,阐述了磁光盘的现状及其在各类光盘中的地位与作用,最后探讨了磁光盘的发展趋势和动向。

任真[8](1994)在《1993年电子世界之最》文中研究说明 半导体·存储媒体 1.最早宣布研制成功256兆位DRAM的厂家 日本电气公司和日立公司宣布研制成功256兆位DRAM芯片,其面积仅为邮票那么大,上面集成了5.6亿个晶体管,线宽为0.25微米。 2.世界上最长的单晶体 日立电线公司制造出直径为76毫米、长为770毫米、重25公斤的砷化镓单晶体,为世界之最。 3.在世界半导体市场上占有率最高的国家 1992年美国占有世界半导体市场的43.8%,日本占有43.1%。这是自1985年以来,美国在半导体市场占有率方面首次超过日本。 4.生产时间最短的集成电路制造技术

蒋庆全[9](1993)在《富士通制成新型5.25英寸磁光盘》文中指出 富士通公司和日本电报电话公司共同开发出实现世界最快数据传送速度和平均存取时间的"M2507系列"高性能5.25英寸磁光盘装置。它具有3个抹除/记录/再现用的半导体激光器以及两个独立的抹除与记录/再现用的透镜调节器,磁光盘每旋转一次便可进行抹除/记录/再现,实现重写和校验的功能,提高了写入时的性能。

钟俊辉[10](1991)在《高纯稀有金属材料》文中提出综述了各种高纯稀土难熔、稀散金属及其合金的功能、制备方法、应用现状及其前景。

二、富士通制成新型5.25英寸磁光盘(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、富士通制成新型5.25英寸磁光盘(论文提纲范文)

(1)Co基稀土系记录薄膜磁化过程的微磁学模拟研究(论文提纲范文)

摘要
ABSTRACT
1 绪论
    1.1 引言
    1.2 垂直磁记录原理及对介质的要求
        1.2.1 垂直磁记录原理
        1.2.2 垂直磁记录特点及其对介质的要求
    1.3 光磁混合记录原理及其对介质的要求
        1.3.1 光磁混合记录原理
        1.3.2 光磁混合记录特点及其对介质的要求
    1.4 钴基稀土系记录介质的研究概况
    1.5 结合微磁学研究的意义和本文的研究内容
2 微磁学和微磁学数值计算方法
    2.1 引言
    2.2 微磁学基本能量描述
    2.3 微磁学动态过程描述
    2.4 微磁学数值计算的基本步骤
    2.5 数值计算中的一些问题
        2.5.1 数值计算环境
        2.5.2 数值分析方法
3 钴基稀土系记录薄膜 SimulMag 的微磁学模拟研究
    3.1 引言
    3.2 有限元分析方法与微磁模型
        3.2.1 有限元分析
        3.2.2 微磁有限元模型
    3.3 运用 SimulMag 模拟的结果与分析
        3.3.1 Sm DyCo 单层磁性薄膜的模拟与结果分析
        3.3.2 加软磁层的SmDyCo 磁性薄膜的模拟与结果分析
        3.3.3 双层耦合薄膜模拟与结果分析
        3.3.4 加软磁底层的双层耦合薄膜模拟与结果分析
    3.4 本章小结
4 钴基稀土系记录薄膜OOMMF 的微磁学模拟研究
    4.1 引言
    4.2 时域有限差分方法与微磁建模过程
        4.2.1 时域有限差分方法
        4.2.2 微磁FDTD 建模过程
    4.3 运用OOMMF 模拟的结果及分析
        4.3.1 SmTbCo 单层磁性薄膜的磁化特性研究
        4.3.2 SmTbCo 双层耦合磁性薄膜的磁化特性研究
    4.4 本章小结
5 全文总结
致谢
参考文献

(2)磁光特性参数测试系统硬软件研究与开发(论文提纲范文)

摘要
ABSTRACT
1 绪论
    1.1 引言
    1.2 磁光记录材料的发展
    1.3 磁光存储原理
    1.4 磁光记录材料的磁光特性检测技术的发展
    1.5 本文研究的主要内容及结构安排
2 磁光克尔测试系统的测量原理及系统结构
    2.1 磁光克尔效应原理及其测试原理
    2.2 测试系统结构
    2.3 磁场测量原理
    2.4 本章小结
3 扫场电路设计
    3.1 磁场测量及反馈信号处理
    3.2 微机处理系统的设计
    3.3 互锁与驱动电路
    3.4 系统抗干扰设计
4 磁光性能测试系统软件设计
    4.1 概述
    4.2 主要功能模块
    4.3 软件界面及其他
    4.4 结语
5 扫场分析及测试结果
    5.1 扫场周期及分辨率分析
    5.2 实际测量结果
6 结论
致谢
参考文献
附录1 作者在攻读硕士学位期间所发表论文
附录2 五点三次平滑滤波程序

(3)超高密度光盘存储关键技术的研究(论文提纲范文)

第一章 序论
    1.1 研究意义
    1.2 现有的存储技术
        1.2.1 磁盘存储技术
        1.2.2 光盘存储技术
        1.2.3 半导体存储技术
    1.3 开发中的高密度数据存储技术
        1.3.1 现有磁盘及光盘存储技术的高密度化研究
        1.3.2 三维光存储技术
        1.3.3 超分辨高密度光存储技术
        1.3.4 其它高密度数据存储技术
    1.4 本文的研究内容
    参考文献
第二章 光数据存储光学头系统的建立
    2.1 引言
    2.2 光学头光学系统
        2.2.1 光学系统结构分析
        2.2.2 光学系统的改装
        2.2.3 改装后光学头光电性能测试
    2.3 光学头控制系统
        2.3.1 聚焦、寻道伺服控制
        2.3.2 光功率调制
    2.4 光学头存储实验
        2.4.1 光存储介质
        2.4.2 存储实验装置及结果
    2.5 本章小结
    参考文献
第三章 固体浸没透镜高密度光存储技术研究
    3.1 引言
    3.2 SIL高密度光存储原理
    3.3 固体浸没透镜的制作
        3.3.1 制作工艺
        3.3.2 制作过程分析
        3.3.3 制作结果
    3.4 SIL飞行头设计
    3.5 SIL飞行头飞行高度测控技术
        3.5.1 像散法微位移测量原理
        3.5.2 SIL飞行高度的测量
    3.6 SIL数据存储实验
    3.7 本章小结
    参考文献
第四章 介质超分辨高密度光存储技术研究
    4.1 引言
    4.2 超分辨存储机理
    4.3 Sb超分辨薄膜的制作
        4.3.1 Sb溅射靶的制作
        4.3.2 Sb膜溅射工艺
        4.3.3 SiN介质膜的反应溅射
        4.3.4 SiN/Sb/SiN多层膜的制备
    4.4 超分辨膜光学特性测量
        4.4.1 Sb膜超分辨特性测量
        4.4.2 Sb超分辨膜层非线性光学特性测量
        4.4.3 NSOM用于Sb膜系超分辨特性测量
    4.5 本章小结
    附录 Sb超分辨膜非线性折射率系数的测量与计算
    参考文献
第五章 高密度光存储系统的数值分析
    5.1 时域有限差分方法
        5.1.1 麦克斯韦方程组
        5.1.2 FDTD基本方程
        5.1.3 吸收边界条件
        5.1.4 激励源的设置
    5.2 固体浸没透镜高密度光存储系统的FDTD模拟
        5.2.1 模拟的问题空间及其边界条件
        5.2.2 聚焦高斯光束的产生
        5.2.3 SIL光场模拟
    5.3 本章小结
    参考文献
第六章 总结与建议
    6.1 总结
    6.2 建议
致谢
在读期间发表文章及申请专利

(5)激光光盘信息记录光刻胶的合成与感光(论文提纲范文)

摘要(中,英文)
第一部分 文献综述
    第一章 激光光盘的研究与制备
        第一节 激光光盘研究概况
        第二节 激光光盘的制备
    第二章 光盘母盘信息记录材料的研究
        第一节 母盘刻录用光刻胶的研究
        第二节 感激光材料的研究
        第三节 增感剂的研究与应用
        第四节 论文选题意义
    参考文献
第二部分 实验方法
    第三章 实验
        第一节 药品与仪器设备
        第二节 实验方法
        一、光刻胶的合成与制备
        二、邻叠氮萘醌型光刻胶UV曝光下感光性能的测定
        三、邻叠氮萘醌型光敏剂感激光性能的测定
        四、增感剂及增感体系感激光性能的测定
        五、邻叠氮萘醌型光刻胶感激光性能的测定
        参考文献
第三部分 结果与讨论
    第四章 光刻胶的合成与制备
        第一节 光刻胶的合成
        一、光敏剂原料合成表征
        二、光敏剂合成表征
        三、增感剂合成结果
        第二节 光刻胶的制备
        一、成膜剂的研究
        二、溶剂的研究
        三、光刻胶复配原则
        本章结论
        参考文献
    第五章 邻叠氮萘醌型光刻胶UV曝光下性能的研究
        第一节 邻叠氮萘醌型光刻胶UV感光性能的研究
        一、光敏剂量子效率
        二、光刻胶特性曲线
        三、光刻胶相对感度
        四、光刻胶分辨率
        第二节 光刻胶物化性能的研究
        本章结论
        参考文献
    第六章 邻叠氮萘醌型光敏剂感激光性能的研究
        第一节 邻叠氮萘醌型光敏剂的感激光光化学过程
        一、利用激光荧光探针监测邻叠氮萘醌型光敏剂光化学反应动态过程
        二、激光感光过程中中间体结构研究
        第二节 利用激光诱导荧光衰减法探测激光光化学反应
        一、邻叠氮萘醌型光敏剂激光诱导荧光衰减曲线
        二、激光诱导荧光衰减法研究光化学反应非线性关系
        本章结论
        参考文献
    第七章 增感剂及增感体系感激光性能的研究
        第一节 邻叠氮萘醌型光刻胶激光特性曲线及感度研究
        一、增感剂UV-VIS光谱
        二、氩离子激光特性曲线及感度
        三、紫外激光感度
        第二节 利用激光诱导荧光衰减法研究增感作用
        一、增感剂及增感体系激光荧光光谱研究
        二、利用激光诱导荧光衰减法研究增感倍率
        第三节 感激光机理探讨
        本章结论
        参考文献
    第八章 应用展望
        第一节 激光光盘母盘制作
        第二节 防伪标志应用
        第三节 PS版应用
结论
附录
致谢
作者简介及在学期间发表论文

四、富士通制成新型5.25英寸磁光盘(论文参考文献)

  • [1]Co基稀土系记录薄膜磁化过程的微磁学模拟研究[D]. 乐陶然. 华中科技大学, 2007(06)
  • [2]磁光特性参数测试系统硬软件研究与开发[D]. 万仞. 华中科技大学, 2006(03)
  • [3]超高密度光盘存储关键技术的研究[D]. 白永林. 中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所), 2003(02)
  • [4]移动存储时代呼啸而来[N]. 王小庆. 中国电子报, 2001
  • [5]激光光盘信息记录光刻胶的合成与感光[D]. 魏杰. 北京化工大学, 1998(01)
  • [6]新产品新技术[J]. New Product & Technology. 机电国际市场, 1995(10)
  • [7]可擦重写磁光盘的现状及其发展动向[J]. 郑登理. 情报学报, 1993(02)
  • [8]1993年电子世界之最[J]. 任真. 电子世界, 1994(02)
  • [9]富士通制成新型5.25英寸磁光盘[J]. 蒋庆全. 激光与光电子学进展, 1993(01)
  • [10]高纯稀有金属材料[J]. 钟俊辉. 上海金属.有色分册, 1991(04)

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富士通制造新的5.25英寸磁光盘
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