一、扫描电子显微镜中吸收电流像的应用（论文文献综述）
钱红霞[1]（2021）在《ZnIn2S4复合光电极的构筑及其光电催化性能研究》文中研究说明将间歇能源转化为绿色和可储存的化学燃料对于解决全球能源危机和环境污染问题具有重要意义。光电催化（PEC）分解水是一项很有前途的技术,但其广泛应用离不开对经济高效电极材料的探索。ZnIn2S4是一种窄带隙（2.4 e V-2.8e V）、低成本、无毒、化学性质稳定、对可见光敏感的半导体材料,作为PEC分解水的光电极材料具有很大的潜力。然而,ZnIn2S4也存在载流子迁移速率慢、载流子复合效率高、扩散距离大等缺点导致电荷分离效率低,从而制约了ZnIn2S4光电极在分解水中的实际应用。本文采用水热法在掺氟的导电玻璃（FTO）基底上通过调控工艺参数制备出性能最优的ZnIn2S4光电极薄膜,研究了其反应过程及成膜机制。选用构筑同质结以提高ZnIn2S4光电极的PEC性能,借助物相表征和光电性能等测试分析了同质结的界面结构和同质结界面对提高载流子分离效率以及掺杂离子对提高载流子利用效率的影响机制。揭示了同质结对改善ZnIn2S4光电极PEC分解水性能的机理。结果表明,以0.01 mol/L氯化锌（ZnCl2）、0.02 mol/L氯化铟（In Cl3）和0.08mol/L硫代乙酰胺（CH3CSNH2）为前驱体溶液,在160°C水热温度下反应12 h后所制备的ZnIn2S4光电极的光电性能最优。通过两步水热法制备的六方相/立方相ZnIn2S4同质结在1.23 V的可逆氢电极（RHE）电位处达到0.53 m A/cm2的光电流密度,分别是六方相ZnIn2S4和立方相ZnIn2S4光电流密度的1.36倍和1.89倍。六方相/立方相ZnIn2S4同质结光电极PEC性能提高可归因于同质结之间可减少界面缺陷,六方相晶相与立方相晶相ZnIn2S4能级匹配促进光生载流子的分离和转移。此外,通过两步水热法构筑的Mg:ZnIn2S4/Co:ZnIn2S4同质结在1.23v vs.RHE下产生0.91 m A/cm2的光电流密度,分别是Co:ZnIn2S4、Mg:ZnIn2S4和纯ZnIn2S4光电流密度的1.71、2.42和7.49倍。表明Mg2+和Co2+的掺杂导致能带位置变化从而形成稳定的结,而且同质结因具有消除晶格失配的优点使得在内置电场的作用下提高了载流子的分离效率。更为重要的是Co:ZnIn2S4层表面的Co2+可以作为水氧化的催化反应中心,促进界面电荷的分离。从而实现体内电荷分离效率和界面电荷利用效率分别达到33.9%和58.5%。
李耀鹏[2]（2021）在《基于银纳米晶的比色和SERS法检测重金属汞离子的研究》文中认为汞离子(Hg2+)是一种毒性高、易于生物富集的重金属离子,广泛存在于环境中,如空气、水、土壤和生物群等。由于其高毒性和生物浓缩效应,严重威胁人类健康,如肾衰竭、毛细血管损伤、脑损伤以及各种认知和运动障碍。因此,实现对重金属汞离子的快速、灵敏和可靠检测,对于环境保护和食品安全具有重要的意义。本文基于银纳米晶构建了比色和表面增强拉曼散射传感器,实现了对重金属汞离子的灵敏检测。具体研究内容如下:（1）以柠檬酸钠为配体制备了30 nm的单分散水溶性银纳米晶,在其表面利用三羟甲基氨基甲烷（TB）进行表面修饰,利用TB中的氨基与银纳米晶结合,保证银纳米晶的稳定存在。当汞离子引入后,汞离子与TB中的羟基结合,造成银纳米晶的聚集变色,实现了对汞离子的灵敏和特异性检测。探讨了TB浓度、汞离子浓度和杂质离子对检测性能的影响。汞离子的线性检测范围在10-100μM之间,检测限为5.72μM。（2）为了进一步提高汞离子检测的灵敏度和重现性,在正己烷-水界面的自组装形成单层银纳米晶薄膜,构筑表面增强拉曼散射活性基底,用于超灵敏检测汞离子。通过优化正己烷溶液中带有氨基的十八胺溶液的浓度,获得了自组装的二维单层银纳米晶薄膜。以4,4’-联吡啶（Dpy）作为表面增强拉曼散射探针分子,利用吡啶中富电子的氮原子与Hg2+有特定的配位能力,且结合力大于富电子氮原子与银的结合力,实现了对汞离子的特异性识别。拉曼强度与汞离子浓度的线性检测范围为5×10-15-1×10-10M,检测限达到0.35 f M,实现了对汞离子的超灵敏性检测。并且二维单层银纳米晶薄膜呈现了良好的重现性和回收率。此外,将羟基化处理后的硅片接枝氨丙基三甲氧基硅烷,然后将银纳米晶组装在硅片上,对比了界面组装和硅片组装的银纳米晶薄膜SERS基底汞离子检测性能的差异性。结果表明,油水界面组装形成的单层二维银纳米晶薄膜SERS基底的检测重现性更优异。（3）利用纳米氧化纤维素负载银纳米晶,制备了银/纳米纤维素柔性薄膜。银/纳米纤维素薄膜中的银纳米晶具有类过氧化物酶的作用,可以催化过氧化氢,产生羟基自由基,将3,3’,5,5’-四甲基联苯胺（TMB）氧化成蓝色。当汞离子加入后,汞离子与银纳米晶发生置换反应,造成银纳米晶的催化能力降低,实现了对汞离子的灵敏检测。基于银/纳米氧化纤维素薄膜的汞离子比色法检测中,其线性检测范围为100 n M-1 m M,检测限为14n M。此外,利用银/纳米氧化纤维素柔性薄膜构筑SERS基底,对食品禁用的添加剂孔雀石绿进行了检测,其线性检测范围为10 n M-0.1 m M,检测限为1.1 n M。实验表明:制备的银纳米晶/纳米纤维素薄膜具有良好的重现性和选择性,可以实现对污染物的快速检测,在环境监测等方面具有良好的应用前景。
李浩林[3]（2021）在《GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究》文中研究指明GaAs是典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,由于其直接带隙特性（1.42 e V@300 K）和优秀的电子迁移率(～8500 cm2 V-1s-1)而被广泛应用于各种发光器件和高频器件。尤其是GaAs基纳米结构在微纳器件中表现出极佳的应用前景,但目前GaAs基纳米结构仍存在一些问题需要解决。比如GaAs纳米线中的晶相控制问题,还有在比表面积更大的纳米线中更为明显的表面态问题,这严重限制了GaAs基纳米线的光学性能。GaAs基量子阱纳米线可同时作为波导和增益介质,为微纳光电器件的发展提供了新的思路。为了更好地激发量子阱纳米线器件的潜能,需要对其中载流子的分布和量子阱的能带结构展开研究。另外为了满足器件需求,往往需要对发光波长进行调制,现有的研究中多通过调节纳米线中量子阱的厚度及纳米线的长度对发光波长进行调制,但这种方式可调节范围小,对生长条件要求苛刻,提出一种更有效地波长调控方式是微纳光电器件的迫切需求。本工作中我们根据纳米线的生长原理,通过对生长过程中的参数控制,采用简单的衬底腐蚀工艺实现了GaAs基纳米线的晶相控制;还针对GaAs基纳米线表面态问题,采用湿法钝化、等离子体刻蚀、构建核壳结构的方式对GaAs纳米线进行表面改性,对比研究了不同钝化方式处理后GaAs基纳米线光学性质的变化;并且从GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究出发,生长了高质量的GaAs/GaAsSb/GaAs核壳结构同轴单量子阱纳米线,并通过调节合金组分的方式实现了GaAs基量子阱纳米线中的能带结构调控。通过光致发光光谱的表征研究了GaAs基量子阱纳米线的光学性质,并构建了量子阱纳米结构中载流子的分布状态以及量子阱能带结构模型,最终得到了高质量、波长可调谐的GaAs基量子阱纳米线。本论文的主要研究内容如下:（1）根据纳米线的汽-液-固生长机理,讨论了GaAs基纳米线生长过程中生长参数对GaAs基纳米线的影响机制,通过简单的衬底腐蚀工艺,实现了GaAs纳米线中的晶相控制。（2）对比研究了湿法钝化、等离子体处理、构建核壳结构三种表面钝化方式对GaAs基纳米线光学性质的影响效果,研究结果表明,湿法钝化的方式将GaAs基纳米线的发光强度提升了6倍左右,并且不会改变GaAs基纳米线的发光机制,但稳定性不佳。等离子处理对于GaAs基纳米线光学性质提升效果不大,并且会引入新的缺陷能级。采用原位生长构建的Al GaAs壳层可以有效的提升GaAs基纳米线的光学性能（发光强度提升约64倍）,并且稳定性较好。（3）使用分子束外延设备生长制备了高质量的GaAs/GaAsSb/GaAs核壳结构同轴单量子阱纳米线,研究了GaAs/GaAsSb/GaAs量子阱纳米线中的能带结构,并采用功率相关和温度相关的光致发光光谱对所生长纳米线的光学性质进行了表征,并对其能带结构和载流子分布进行了讨论,研究结果表明,在低Sb组分下GaAs/GaAsSb量子阱中呈现类Ⅱ型的能带结构,在这种结构中导带之间的能量差较小,不能有效地将载流子限制在量子阱中,阱中电子获得能量后可以跃出势阱。（4）设计制备了不同Sb组分的GaAs/GaAsSb/GaAs核壳结构同轴单量子阱纳米线,通过对Sb组分的调节实现了GaAs基量子阱纳米线中的能带调控,并采用光致发光光谱研究了不同Sb组分的量子阱纳米线的光学性质。结果表明8%和12%Sb组分的GaAs/GaAsSb/GaAs同轴单量子阱纳米线都表现为类Ⅱ型能带结构,并且在Sb组分更高的量子阱纳米表现出了更深的量子阱深度和更强的温度稳定性。
梁祺[4]（2021）在《新型SbTe基相变薄膜与存储器件研究》文中提出相变存储器（Phase Change Random Access Memory,简称PCRAM）具有集成度高、速度快、与CMOS工艺兼容等优点,成为公认的最具潜力的新型非易失性存储器之一。PCRAM已替代部分FLASH存储芯片实现应用,然而要想替代DRAM则依然需要继续发展。基于传统的Ge2Sb2Te5（GST）作为存储介质的PCRAM在保持力、操作速度、功耗等方面不能满足更高的发展需求。相比于GST,Sb-Te二元材料具有高速相变的特点受到科研人员的关注,其中,Sb2Te和Sb2Te3是研究得最多的材料。但是,Sb-Te材料存在结晶温度低、热稳定性差等缺点,本论文提出并研究了几种基于Sb2Te和Sb2Te3母体材料的新型相变存储材料,利用磁控溅射制备了相变薄膜,利用半导体工艺制备了基于新型相变材料的存储器件,并对其材料特性和器件性能进行研究,取得的结果如下:1.高速、低功耗Al Sc-Sb2Te新型相变材料与器件。对Al Sc掺杂的Al Sc-Sb2Te材料进行了系统研究,在掺杂铝钪原子比为1:1的Al Sc合金后,增强了Sb2Te的性能,包括热稳定性,密度变化和相变速度。通过Al Sc合金的掺杂,避免了纯Sc掺杂后易氧化的特点,也提升了热稳定性,降低密度变化以及提高相变速度。Al Sc-Sb2Te具有更好的10年数据保持温度（146℃）和更高的结晶温度（221℃）,这反映了Al Sc-Sb2Te优异的非晶态热稳定性。X射线反射结果表明,Al Sc-Sb2Te材料的密度变化率（2.6%）远小于传统GST的密度变化率（6.5%）。此外,基于Al Sc-Sb2Te的器件具有6.78×10-12J的极低功耗,相变速度最快达6 ns,循环操作次数达1.5×104次,并且Al Sc-Sb2Te器件的电阻漂移小。因此Al Sc-Sb2Te是一种具有应用潜力的高速低功耗相变材料。2.Al Sc-Sb2Te3新型相变材料与器件研究。传统的Sb2Te3母体材料的结晶温度较低,常温下可自发结晶。提出并制备了Al Sc掺杂Sb2Te3的Al Sc-Sb2Te3新型相变材料,制备出基于Al Sc-Sb2Te3材料的存储器件。实验结果表明,随着Al Sc合金掺杂含量的增加,Al Sc-Sb2Te3薄膜材料的高低阻明显增加,并将材料的十年数据保持温度提升至133.8℃。Al Sc-Sb2Te3材料比掺杂前的材料拥有更好的热稳定性。X射线衍射的结果说明Al Sc合金的掺入,抑制了Sb2Te3的结晶,提高了热稳定性,细化了晶粒尺寸。基于Al Sc-Sb2Te3的器件在10 ns的脉冲宽度下能实现可逆相变。此时电阻比约为103,相变操作循环达2×104次。3.提出非金属单质元素硼（B）掺杂的B-Sb2Te3（BST）新型相变材料。在掺杂B元素的薄膜中,随着B元素比例的增加,薄膜材料的高低阻增加的同时高低电阻比也趋于增大;B元素的掺入抑制了Sb2Te3的结晶,提高了热稳定性;当脉冲宽度为6 ns时,两者的电阻比值超过两个数量级,功耗为2.53×10-12J。实验结果显示B掺杂的Sb2Te3材料是一种有潜力的新型PCRAM材料。
王恩民[5]（2021）在《高压直流电缆半导电屏蔽层PTC效应和抑制空间电荷性能研究》文中研究指明半导电层是高压直流输电电缆的重要组成部分,它处于电缆的金属线芯和绝缘层之间,能够使金属线芯和绝缘层紧密连接,消除气隙,防止因气隙放电造成的绝缘层击穿。同时,它能够均匀电场,抑制界面处的电场畸变,使电缆能够长期安全运行。在高压直流输电电压越来越高的背景下,半导电层性能的提升具有重要的作用。本文中,主要改进的是半导电层的电学性能。首先是抑制半导电层的正温度系数效应（PTC效应）,这对于半导电层在高温下的性能发挥非常重要。其次是提升半导电层抑制空间电荷注入绝缘层的能力,这利于减少绝缘层中的空间电荷积累。而空间电荷积累是导致绝缘层失效的原因之一。为了达到这两个目的,本文具体进行了以下研究:（1）选取了两种电阻率相近,但是粒径不同的炭黑,以研究炭黑的粒径对于半导电层电阻率阈值和PTC效应的影响。本研究中最初的想法是制成电阻率阈值更低的半导电层,在达到较低的电阻率阈值后,继续添加炭黑,达到在不增加原来炭黑总量的情况下弱化半导电层的PTC效应。但是研究发现,通过使用粒径更小的炭黑制成电阻率阈值更低的半导电层后,不仅是炭黑形成完整导电网络所需的量减少,其形成的导电网络的强度也比粒径大的炭黑形成的导电网络强度更高,所以粒径较小的炭黑添加量为20%时制得的半导电层其PTC效应比粒径较大的炭黑添加量为30%时制得的半导电层还要弱。（2）采用加入导电聚苯胺的方法来改进半导电层的性能。一方面,具有长程导电能力的导电聚苯胺可以在半导电层升温膨胀时,增强半导电层内部的炭黑导电网络,降低半导电的PTC效应。另一方面具有独特导电机理和高介电常数的聚苯胺可以改变半导电层内的电子迁移路径,并减弱外电场对于界面势垒的降低作用,从而提升半导电层抑制空间电荷注入绝缘层的能力。为了使导电聚苯胺的作用最大程度的发挥,本文中首先采用静置冷冻法将炭黑和聚苯胺制成了带状导电复合材料,然后又改进了半导电层的配方,提高了聚合物基体与聚苯胺的相容性。电阻率测试结果表明当聚苯胺添加量为5%时,半导电层的PTC效应最弱,相比于未添加聚苯胺的半导电层,其最高电阻率下降了57%,PTC强度下降了23%。空间电荷测试结果表明当聚苯胺的加入量为3%时,半导电层抑制空间电荷的能力最好,在-10 k V/mm和-30 k V/mm的电场强度下,绝缘层中的空间电荷量分别下降了39%和42%,且空间电荷向绝缘层内部的迁移也被部分抑制。本研究中首次引入了具有独特物化性能和导电机理的导电高分子材料,为以后半导电层的改进提供了新的思路。（3）在对半导电层的热刺激去极化电流（TSDC）测试中,出现了电流峰反转现象,严重影响了TSDC测试的准确性。本文分析了TSDC测试中电子注入过程和被陷阱捕获过程在低场强和高场强下的不同之处,以及这种不同之处对测量过程中电子的脱陷过程和迁移方向的影响,解释了电流反转峰出现的原因。并通过改变绝缘层与电极的接触方式,统一了TSDC测量过程中的电子迁移方向,消除了电流反转峰,提高了TSDC对于半导电层抑制空间电荷能力的测量的准确性。
曾均吉[6]（2021）在《Al2O3-h-BN/LDPE导热纳米复合材料的电性能研究》文中研究指明高压直流电缆在长期的高压工作环境下,内部积聚大量空间电荷,导致其内部电场发生变化,引起局部电场畸变严重,进而使绝缘材料局部放电、电老化等,甚至造成电击穿使电缆绝缘失效。此外,电缆在实际长期工作下会产生大量的热量,而聚乙烯复合薄膜的热导率都很低,很难及时散热,这会导致大量热量堆积,造成电缆热老化加速、使用寿命缩短等安全稳定性问题。而前期研究工作表明,单一纳米h-BN掺杂对聚乙烯的导热性能提升十分有限,因此,本文主要是基于两种导热填料:纳米h-BN和Al2O3纤维,通过这两种类型、结构和维度均不同的填料引入低密度聚乙烯中,发挥其协同作用,进而改善聚乙烯基复合薄膜的电性能和导热性。本文利用熔融共混法及热压工艺,制备了不同掺杂浓度的（wt:1%、2%、4%和7%）Al2O3-h-BN/LDPE纳米复合薄膜,其中纳米h-BN颗粒与Al2O3纤维质量分数按1:1。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）及傅里叶变化红外光谱（FTIR）分别对复合薄膜的晶体结构、微观结构及化学成分进行表征分析,着重研究了Al2O3-h-BN/LDPE复合薄膜的电性能、空间电荷特性以及导热性能。通过结构表征显示,偶联剂处理后的两种纳米粒子在聚乙烯基体中均有良好的分散性,且纳米掺杂并没有改变聚乙烯基体的结晶态结构和分子键结构;电性能表明,少量纳米掺杂对低密度聚乙烯介电常数及介电损耗的影响不大,掺杂含量≤wt 2%时,纳米复合薄膜的击穿场强明显提高;空间电荷测试说明,掺杂纳米h-BN颗粒和Al2O3纤维能有效抑制空间电荷注入,并由于纳米颗粒与基体中的界面效应降低了载流子迁移率,减少在聚乙烯基体中的空间电荷积累,其中掺杂量为wt 2%的纳米复合薄膜具有优异的空间电荷抑制效果,这与上面的直流击穿场强增加一致;导热性能测试表明,掺杂纳米导热填料可以改善低密度聚乙烯的导热性能,此外混掺纳米h-BN和Al2O3纤维的复合薄膜的热导率高于单一掺杂纳米h-BN的复合薄膜,其中混掺含量达到wt 7%时,Al2O3-h-BN/LDPE复合薄膜热导率高达0.51 W/（m·K）,比纯LDPE试样提高了51.2%,同时相比h-BN/LDPE复合薄膜的高15%。
余彦路[7]（2020）在《液态金、载流气体作用下二维WS2薄膜的生长机理及其蒸发模式的差异》文中研究表明近年来,二维层状材料由于其独特的性能受到全世界的广泛关注。二维过渡金属硫族化合物（TMDs）和零带隙的石墨烯不同,绝大部分TMDs厚度减为一层时属于直接带隙半导体材料,其中WS2更是由于其高电导率、高载流子迁移率等优势在光电子器件领域有较大的应用前景。制备方法影响着薄膜形貌、性质等参数,因此选用合适的制备方法就显得尤为重要。作为CVD法的一种扩充方法,液态金属调控法生长出的薄膜有着非常新颖的现象,但是使用该方法可控地生长薄膜仍然存在非常多的挑战。本文在液态金、载流气体的作用下生长二维WS2材料,分析了各生长参数对于二维结构生长、结构形貌的影响,研究了两种不同形貌二维WS2材料在不同退火参数下的蒸发模式差异。主要研究内容包括:首先,在液态Au的作用下成功在SiO2（300 nm）/Si衬底表面制备得到WS2薄膜,分析了四个生长参数（Au箔状态,Au箔融化时间,生长温度,W源选择）如何影响薄膜的生长。结果表明,液态Au对W有着很强的吸附作用,因此在制备吸附W的基片阶段,液态Au会吸附、溶解大量的W原子,这些原子在生长阶段又会被蒸发出来,作为W原料以供WS2生长。Au箔融化时间越长,即吸附W的时间越长,W前驱体的熔点越低,液态Au吸附、溶解的W越多,基片表面生长得到的WS2薄膜的密度越大。此外,我们还发现生长温度对W原子的吸附、溶解及薄膜的生长影响不大。其次,在液态Au和载流气体共同作用下成功在SiO2（300 nm）/Si基片表面生长WS2薄膜并实现了薄膜尺寸在数量级上的突破,分析了基片表面不同位置和生长温度对薄膜形貌的影响,最后着重研究了基片表面各区域薄膜层数、面积的变化规律。我们发现液态Au和载流气体共同作用下主要是通过改变各区域的“局部W原子浓度”来影响薄膜的生长,在以液态Au为中心向外的方向上薄膜面积先增大后减小,液态Au作用区域的薄膜层数明显大于未受液态Au作用区域薄膜的层数。当生长温度逐渐升高时,WS2薄膜的尺寸先增大后减小。最后,我们研究了两种不同形貌的二维WS2薄膜（均匀厚度薄膜和有中心叠层的薄膜）在退火时蒸发模式的差异。通过四个退火参数（退火温度、载流气体大小、样品在衬底上的位置以及退火时间）对薄膜形貌影响的研究,我们发现这几个参数主要影响基片表面“局部S-W浓度”和S、W原子的自由能,进而影响薄膜的蒸发速率:蒸发速率和S、W原子自由能成正比,和“局部S-W浓度”成反比。此外,这两种薄膜的蒸发模式有着显着的差异:有中心叠层的薄膜仅从边界和缺陷处剥离,而均匀厚度薄膜不仅从边界和缺陷处开始剥离,也会从表面逐层剥离。这说明有中心叠层的薄膜中央位置可能存在一种“钉扎效应”,导致其层间作用力比均匀厚度薄膜的要大,暗示着这两种薄膜的生长模式可能完全不同。
杨犇[8]（2020）在《埃级分辨的单分子拉曼和光致发光成像研究》文中研究表明用光实现原子尺度空间分辨一直是纳米光子学领域追求的终极目标之一,尽管这一目标由于衍射极限的制约曾被认为是遥不可及的。基于扫描探针显微术的针尖增强荧光和拉曼光谱技术的出现点燃了实现这一目标的希望。空间分辨率的极限不再受制于衍射极限,而是取决于实现探针下光场空间局域化的能力。当探针的尺寸和针尖与分子的距离减少时,光场的局域性会迅速增加。近期,针尖增强拉曼散射技术已经实现了亚纳米的空间分辨能力,那么这项技术的下一个挑战便是去探索它的分辨率极限以及如何去利用这项技术的优势。而与针尖增强拉曼散射技术中光散射过程不同,由于荧光在非常靠近金属时会发生淬灭效应,所以埃级分辨的针尖增强光致荧光成像尚未见报道,近场荧光成像的这一梦想目标还有待实现。在本论文的工作中,我们通过调控纳腔等离激元场的局域增强特性,不仅成功将单分子拉曼成像的空间分辨率推进到1.5 A的单个化学键水平,并据此发展出一种新的分子结构重构方法—“扫描拉曼埃分辨显微术”,而且结合分子电子态的脱耦合调控,实现了亚纳米（8 A）分辨的单分子光致发光成像,为在原子尺度上展现物质结构、揭示光与物质相互作用本质提供了新的技术手段。论文分为以下四个部分:在第一章中,我们介绍了本论文的研究背景与实验基础。首先简要介绍了STM的系统构成与工作原理以及基本应用,然后介绍了等离激元增强的光致荧光和拉曼光谱技术的研究现状,主要包括表面和针尖增强光谱技术。最后简要介绍了本论文所采用的实验装置和实验内容。在第二章中,我们选择镁卟吩（MgP）分子作为模型体系,探讨针尖增强拉曼光谱（TERS）成像的空间分辨率极限问题。我们通过发展液氦条件下工作的TERS系统,不仅对等离激元纳腔的结构有了更好的控制,而且可以将针尖更加逼近分子,使得腔内电磁场更强更局域,从而将单分子拉曼成像的空间分辨率推进到1.5 A的单个化学键水平,并进一步展示了一种新的分子结构重构方法,命名为“扫描拉曼埃分辨显微术（Scanning Raman Picoscopy,简称SRP）”,它可以通过堆积木的方式可视化重构一个分子的化学结构。这项技术主要得益于三个方面的因素。第一,埃级分辨的全拉曼振动模式成像能够可视化地确定原子基团或化学键的位置。第二,对于局域对称和反对成模式,位置依赖的干涉效应能够确认化学基团的连接。第三,光谱显微学成像与拉曼指纹识别的结合确保了单个分子的组成成分。SRP方法充分彰显了基于拉曼信号的针尖扫描技术“锋芒毕显”、在实空间精确确定分子化学结构的能力。通过采用“搭积木”（Lego-like）方式,我们展示了重构MgP模型分子结构只需要少量的振动模式图像,就可以把各个化学基团拼接起来,实现对整个分子化学结构的构建。埃级分辨的扫描拉曼显微术所具备的这种解析未知分子化学结构的能力,如果与人工智能、机器学习相结合,有望发展成为一种通用的技术,将为在单个化学键尺度上确定单分子的化学结构、原位研究表面物理化学过程和表面催化反应等提供新的手段,也为生物分子的高分辨成像和结构确定提供了新的思路。在第三章中,我们选择锌酞菁（ZnPc）分子作为模型体系,研究单分子针尖增强光致荧光（TEPL）成像的空间分辨率问题。由于金属纳腔中分子的辐射特性会受到纳腔光子态密度的直接影响（Purcell效应）,而纳腔光子态密度又与探针尖端的结构密切相关,因此,如何巧妙调控探针尖端的结构和纳腔中分子的电子态便成为克服荧光淬灭、实现高空间分辨光致荧光成像的关键。针对这些挑战,我们对等离激元纳腔结构进行了进一步的精细调控,特别是探针尖端原子级结构的制作与控制。我们通过精致的针尖修饰方法在探针尖端构筑了一个原子尺度的银团簇突起结构,并将纳腔等离激元共振模式调控到与入射激光和分子发光的能量均能有效匹配的状态,再采用超薄的三个原子层厚的氯化钠介电层恰当隔绝酞青分子与银金属衬底之间的电荷转移,既抑制了荧光淬灭效应,又规避了远场背景噪音的干扰,从而成功实现了亚纳米（8 A）分辨的单分子光致发光成像。我们发现,当探针逼近分子时,既便间距在一纳米以下,光致发光的强度还是一直在随间距的变小而单调增强,通常存在的荧光淬灭现象完全消失。进一步模拟和分析表明,原子级突起的探针与金属衬底形成等离激元纳腔时,纳腔等离激元的共振响应和原子级突起结构的避雷针效应会产生协同作用,从而在针尖下方诱导出显着增强和高度局域的电磁场,将腔模式体积压缩到1 nm3以下,使得局域光子态密度极大增加,进而对分子的激发和辐射速率都产生极大的增强。这些效应不仅抑制了针尖逼近分子时的荧光淬灭,而且也使得亚纳米分辨的光致发光成像得以实现。也就是说,要达到亚纳米空间分辨,探针尖端的尺寸及其与样品之间的距离都必须在亚纳米尺度上。此外,我们还进一步实现了亚分子分辨的具有频谱信息的光致发光超光谱成像,在亚纳米尺度上展示了局域等离激元-激子相互作用对分子荧光的强度、峰位和峰宽的空间分布的微妙影响。这些研究结果实现了扫描近场光学显微领域长期期待的用光解析分子内部结构的目标,为在亚纳米尺度上探测和调控分子局域环境、以及光与物质相互作用提供了新的技术方法,对于近场光谱学和显微学的基础认知与技术发展都是至关重要的。在第四章中,我们选择同样的三层NaCl上ZnPc分子作为模型体系,研究脱耦合分子的针尖增强拉曼光谱与成像,探讨TERS中的化学增强问题。我们发现,由于NaCl脱耦合层隔绝了分子与衬底的电荷转移,脱耦合ZnPc分子的TERS光谱与粉末光谱基本一致。TERS成像分辨率同样达到亚纳米分辨的水平,而且不同的振动模式图案与振动所属的对称性有关。我们还进一步测量了不同针尖-分子距离下的拉曼光谱变化,发现当针尖与分子接触前,主要是电磁场增强,而当针尖与分子接触后,出现了化学增强,拉曼强度增强了 15-25倍左右,部分谱峰的峰位出现3 cm-1的蓝移。我们还发现第一和第二倍频和合频区域也出现了化学增强的现象,并且第二倍频和合频区域的拉曼峰居然与第一倍频和合频区域的拉曼峰强度相当,并分析这可能与该区域出现的电子态拉曼散射的增强效应有关。这些结果为界面过程电荷转移现象提供了新的研究方法与途径。
王耿洁[9]（2020）在《碳纳米管/金属复合材料的磁控溅射制备及其力学与电学性能研究》文中研究表明在过去的几十年里,碳纳米管（Carbon nanotube,CNT）/金属复合材料以其优异的力学、电学和热学性能吸引了国内外研究人员的广泛关注,CNT/金属复合材料俨然已成为下一代导体材料的有力竞争者。然而,具有优异综合性能的CNT/金属复合材料在制备中却遇到了许多重大的挑战,例如:复合材料内部应力有效传递、电子的运输、金属与CNT界面剥离等科学问题。这些问题与复合材料界面特性直接相关。因此,通过对CNT与金属界面的设计和调控,成为了制备综合性能优异的CNT/金属复合材料的可靠途径之一。本文首先在单根CNT表面沉积不同的金属,研究金属在CNT表面形核方式及影响因素,建立金属在CNT表面形核模型。然后通过界面设计和调控制备了具有优异性能的CNT/Cu和CNT/Al-Cu复合材料。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等表征了复合材料微观结构,并对其电导率、抗拉强度和疲劳性能等进行了分析测试。系统的研究了不同界面结构对复合材料性能的影响及其增强机制。具体研究内容和主要研究结果如下:（1）CNT与金属界面研究:系统的研究了金属种类、沉积速度、沉积厚度、CNT管径以及合金化对金属在CNT表面形核的影响。研究发现,单质金属在CNT表面主要有三种形核方式,分别是:颗粒生长、岛状生长和薄膜生长。影响单质金属形核方式的因素主要有三个,分别是:沉积到CNT表面之前金属原子的势能（Ev）、金属原子和CNT之间的结合能（Eb）以及金属原子在CNT表面的扩散能(Ediff)。其中,Ev主要由沉积工艺决定,可通过工艺选择和参数调节来改变。Eb由金属种类决定,不同的金属具有不同的Eb,可以通过合金化来调节。Ediff与Eb成正比关系,一般约为Eb的1/4,既Eb/4≈Ediff。在金属形核方式中,随着Eb+Ev增大,逐渐从颗粒生长过渡为薄膜生长。在沉积过程中,可以通过提高沉积速率、沉积时间以及合金化来改善金属在CNT表面的形核方式,提高形核效率。（2）CNT/Cu复合薄膜:系统的研究了界面微观结构和退火温度对CNT/Cu复合薄膜电学性能的影响。结果表明,CNT/Cu复合薄膜的热稳定性和电阻率优于纯Cu薄膜,其电阻率在600℃退火后达到最低值,约4.15μΩ·cm。这主要是因为CNT与Cu之间形成了两种新的外延界面结构。一种是Cu的（111）晶面与CNT的（002）晶面平行,另一种是CNT与Cu形成Covetic结构。这两种界面结构有助于降低CNT和Cu之间的接触电阻,使CNT和Cu晶粒之间形成了局部弹道导体结构,减少了电子在晶界处的散射,从而降低了复合薄膜的电阻率。随后将这种层状复合结构应用于柔性复合薄膜制备,并对其进行了循环弯曲性能测试。发现CNT/Cu复合薄膜具有非常高的疲劳性能,即使循环次数达到105次,复合薄膜的电阻率也不再增加,具有与循环次数无关的特性。这是因为CNT/Cu复合薄膜在循环变形中会形成褶皱,通过褶皱释放弯曲应力来避免裂纹的萌生和扩展。这一结果为设计具有超高抗疲劳性能和优异服役性能的纳米复合薄膜提供了新的思路。（3）CNT/Al-Cu复合纤维:为了提高CNT纤维与Cu层界面结合力,在CNT纤维与Cu层之间引入一层超薄Al层作为过渡层。退火后,Al原子和Cu原子扩散到CNT纤维中,形成了扩散界面和化学反应界面。提升了CNT纤维与Cu层界面结合强度,降低了CNT之间接触电阻,同时增加了CNT之间的摩擦力,获得复合纤维电导率和强度的同时提升。随后对CNT/Al-Cu复合纤维进行致密化处理,获得了具有超高强度和电导率的CNT/Al-Cu-R复合纤维,强度达到6.6GPa、弹性模量达到500 GPa、电导率也达到Cu的水平1.8×107 S/m。这主要归功于Cu原子和Al原子扩散进CNT纤维中,通过“钉扎”和“桥接”作用增强了CNT之间的摩擦力。这种结构为设计具有超高强度和电导率的CNT/金属纳米复合材料提供了新的思路。
吴娟[10]（2020）在《α-Fe2O3基光阳极的制备及其光电化学水氧化性能研究》文中研究表明随着人类社会的发展,能源危机和环境污染问题日益加剧。发展清洁、可持续能源具有重要的战略意义。取之不尽用之不竭的太阳能是最有希望的可持续清洁能源之一。但是,日照的波动性和间歇性使得太阳能不便于直接存储和分配。因此,将太阳能转换成化学能的形式是方便、经济和有效地利用太阳能的有吸引力的方法。在这些方法中,光电化学（photoelectrochemical,PEC）分解水产氢长期以来一直被认为是实现清洁可持续能源的重要途径之一。在光电化学分解水装置中,半导体光电极是PEC水分解中的核心部件,对设备的太阳能转化制氢具有决定性的影响。在众多的半导体中,α-Fe2O3因其带隙窄（1.92.2 eV）对可见光有较好的吸收,价带位置比水的氧化电位正,理论太阳能制氢转化效率达到15.4%,水氧化最大光电流密度达到12.6 mA cm-2,光电化学稳定性强,成本低,自然界储存丰富等优点被认为是最有前景的光阳极之一。但其吸收系数低,电导率差,载流子寿命短,载流子迁移率低,电荷易复合以及水氧化动力学缓慢等缺点严重影响了α-Fe2O3的PEC性能。迄今为止,关于α-Fe2O3的PEC活性的所有报道均远低于其理论值,阻碍了其实际应用。本论文就α-Fe2O3为研究对象,针对其上述存在的缺点,采用钝化层修饰、外来原子掺杂、p-n异质结构筑、助催化剂负载等方法对α-Fe2O3进行优化和改性,来提高其光电催化水氧化性能。研究内容如下:1.通过MIL-125（Ti）衍生的TiO2纳米粒子层和超薄碳层双钝化层共修饰降低α-Fe2O3表面态,并通过β-FeOOH助催化剂负载改善α-Fe2O3的水氧化动力学,降低α-Fe2O3光电极水氧化的起始电压。表面态是光生电荷的复合中心,它的存在不利于电荷的分离,直接影响到α-Fe2O3的光电催化性能。在本论文中,我们制备了MIL-125（Ti）衍生的TiO2层和超薄碳层双钝化修饰,β-FeOOH助催化剂负载的α-Fe2O3/TiO2/C/β-FeOOH光阳极。该光阳极具有高效的水氧化性能。这归因于:具有大比表面积的MIL-125（Ti）衍生的TiO2层作为第一钝化层,很大程度上钝化了α-Fe2O3表面态,抑制了光生电子与空穴的复合,提高了PEC性能,α-Fe2O3水分解光电流密度由初始的0.6mA cm-2增加到1.26 mA cm-2;将具有电子传输特性的超薄碳层作为第二钝化层能够进一步完善表面态的钝化并快速转移电子,从而有效地分离光生电子与空穴,光电流密度增加到1.93 mA cm-2;当进一步负载β-FeOOH助催化剂后,改善了水氧化动力学,在VRHE=1.23V偏压下,光阳极催化剂α-Fe2O3/TiO2/C/β-FeOOH的光电流密度达到2.95 mA cm-2,且起始电压显着负移。2.通过掺杂Ce3+、构筑MOF衍生的p-Cu2O/n-Ce-Fe2O3 p-n结、负载助催化剂,来提高α-Fe2O3光阳极的电导率、电荷分离效率、降低α-Fe2O3水氧化起始电压、提高其光电催化水氧化性能。稀土元素Ce具有丰富的能级和4f电子跃迁特性,实验结果表明掺杂Ce能够显着提高α-Fe2O3电导率和光电流密度。本论文通过将HKUST-1衍生的p型Cu2O与n型的Ce-Fe2O3耦合,构筑p-Cu2O/n-Ce-Fe2O3能级匹配的Ⅱ型p-n异质结光阳极。该p-Cu2O/n-Ce-Fe2O3光阳极具有优异的电荷分离效率和高效的光电催化水氧化性能,在1.23VRHE偏压下,光电流密度达到3.2 mA cm-2。结果分析表明光生电荷在p-Cu2O/n-Ce-Fe2O3形成的p-n结内建电场作用下得到有效地分离。同时,MOF衍生的Cu2O具有大比表面积和富含孔结构,能够为水氧化提供更多的活性位点。进一步负载FeOOH助催化剂后,光电流密度达到4.2 mA cm-2,是未修饰的α-Fe2O3的7.24倍,且起始电压负移80 mV。3.通过将ZIF-67与Ce-Fe2O3耦合提高Ce-Fe2O3光电催化水氧化性能。通过水热和浸渍沉积法制备了Ce-Fe2O3/ZIF-67光阳极,实验结果表明ZIF-67提高了Ce-Fe2O3的光吸收强度,电荷分离效率和光电流密度,降低了表面电荷传输电阻。这是由于ZIF-67具有大比表面积和丰富的孔结构特性,钝化了Ce-Fe2O3表面态提高了光生电荷的分离效率,且ZIF-67与Ce-Fe2O3形成能带匹配的Ⅱ异质结有效的抑制了光生电子与空穴的复合。在1.23VRHE的偏压下,光电流密度达到2.07 mA cm-2,起始电位负移61 mV。
二、扫描电子显微镜中吸收电流像的应用（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、扫描电子显微镜中吸收电流像的应用（论文提纲范文）
（1）ZnIn2S4复合光电极的构筑及其光电催化性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光电催化分解水概述 |
| 1.2.1 光电催化分解水的基本原理及实验过程 |
| 1.2.2 常见的光电极材料 |
| 1.2.3 硫化物光电极的研究进展 |
| 1.3 ZnIn_2S_4光电极的概述 |
| 1.3.1 ZnIn_2S_4的基本性质 |
| 1.3.2 ZnIn_2S_4的制备方法 |
| 1.4 改善ZnIn_2S_4光(光电)催化性能的策略 |
| 1.4.1 提高ZnIn_2S_4对太阳能光的吸收和利用效率 |
| 1.4.2 改善ZnIn_2S_4光生载流子的分离效率 |
| 1.4.3 改善ZnIn_2S_4光生载流子的利用效率 |
| 1.5 课题的提出 |
| 第2章 实验部分 |
| 2.1 实验材料与试剂 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.3.1 实验方案设计 |
| 2.3.2 实验内容及步骤 |
| 2.4 基本表征方法 |
| 2.4.1 X射线衍射分析(XRD) |
| 2.4.2 扫描电子显微镜分析(SEM) |
| 2.4.3 透射电子显微镜分析(TEM) |
| 2.4.4 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.4.5 紫外可见吸收光谱分析(UV-Vis) |
| 2.4.6 表面光电压分析(SPV) |
| 2.4.7 光电化学性能测试(PEC) |
| 第3章 六方晶相/立方晶相ZnIn_2S_4同质结光电极的构筑及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 六方晶相/立方晶相ZnIn_2S_4同质结光电极的光电催化性能研究 |
| 3.2.1 不同前驱体浓度对六方相ZnIn_2S_4形貌结构与性能的影响 |
| 3.2.2 六方晶相/立方晶相ZnIn_2S_4同质结光电极的形貌及物相表征.. |
| 3.2.3 六方晶相/立方晶相ZnIn_2S_4同质结光电极的光电性能研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 Mg:ZnIn_2S_4/Co:ZnIn_2S_4同质结光电极的构筑及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Mg:ZnIn_2S_4/Co:ZnIn_2S_4同质结光电极的构筑 |
| 4.2.1 Mg:ZnIn_2S_4复合光电极的制备 |
| 4.2.2 Mg:ZnIn_2S_4/Co:ZnIn_2S_4同质结光电极的制备 |
| 4.3 Mg:ZnIn_2S_4/Co:ZnIn_2S_4同质结光电极的物相分析 |
| 4.4 Mg:ZnIn_2S_4/Co:ZnIn_2S_4同质结光电极的光电性能分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表论文和申请专利情况说明 |
| 致谢 |
（2）基于银纳米晶的比色和SERS法检测重金属汞离子的研究（论文提纲范文）
| 符号说明 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 原子吸收光谱法 |
| 1.1.2 原子荧光光谱法 |
| 1.1.3 电感耦合等离子体质谱法 |
| 1.2 表面增强拉曼散射概述 |
| 1.3 自组装在表面增强拉曼散射中的应用 |
| 1.4 表面增强拉曼散射基底的概述 |
| 1.5 表面增强拉曼光谱技术用于汞离子检测的方法研究 |
| 1.6 本课题的提出及研究内容 |
| 2 材料与方法 |
| 2.1 试剂与仪器 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 功能化银纳米晶对汞离子的比色检测 |
| 2.2.2 单层银纳米晶薄膜对汞离子的表面增强拉曼散射检测。 |
| 2.2.3 银/纳米纤维素薄膜对汞离子和孔雀石绿的检测 |
| 3 结果与分析 |
| 3.1 三(羟甲基)氨基甲烷修饰的功能化银纳米晶用于检测汞离子 |
| 3.1.1 三(羟甲基)氨基甲烷对汞离子检测的影响 |
| 3.1.2 三(羟甲基)氨基甲烷对银纳米晶的影响 |
| 3.1.3 汞离子浓度对银纳米晶灵敏度的影响 |
| 3.1.4 功能化银纳米晶的动态光散射检测 |
| 3.1.5 功能化银纳米晶吸附汞离子的机理 |
| 3.1.6 不同离子对汞离子检测的影响 |
| 3.2 单层银纳米晶薄膜对汞离子的表面增强拉曼散射检测 |
| 3.2.1 硅片组装法制备的表面增强拉曼散射基底的性质 |
| 3.2.2 硅片组装制备的基底对不同浓度汞离子的表面增强拉曼散射检测 |
| 3.2.3 单层银纳米晶薄膜的性质 |
| 3.2.4 十八胺浓度对界面自组装的影响 |
| 3.2.5 单层银纳米晶薄膜对不同浓度汞离子的表面增强拉曼散射检测 |
| 3.2.6 二维单层银纳米晶薄膜汞离子SERS检测的重现性 |
| 3.2.7 单层银纳米晶薄膜的特异性和回收率实验 |
| 3.3 银/纳米纤维素薄膜对汞离子和孔雀石绿的检测 |
| 3.3.1 银/纳米纤维素薄膜的形貌分析 |
| 3.3.2 银/纳米纤维素薄膜的显色反应 |
| 3.3.3 温度和时间对银/纳米纤维素薄膜的影响 |
| 3.3.4 汞离子浓度对银/纳米纤维素薄膜检测灵敏度的影响 |
| 3.3.5 孔雀石绿浓度对银/纳米纤维素薄膜检测灵敏度的影响 |
| 3.3.6 银/纳米纤维素薄膜的重现性检测和特异性检测 |
| 4 讨论 |
| 4.1 三(羟甲基)氨基甲烷修饰的功能化银纳米晶用于检测汞离子 |
| 4.2 单层银纳米晶薄膜对汞离子的表面增强拉曼散射检测 |
| 4.3 银/纳米纤维素薄膜对汞离子和孔雀石绿的检测 |
| 5 结论 |
| 5.1 三(羟甲基)氨基甲烷修饰的功能化银纳米晶用于检测汞离子 |
| 5.2 单层银纳米晶薄膜对汞离子的表面增强拉曼散射检测 |
| 5.3 银/纳米纤维素薄膜对汞离子和孔雀石绿的检测 |
| 6 创新之处 |
| 7 参考文献 |
| 8 致谢 |
| 9 攻读学位期间发表论文情况 |
（3）GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.2 GaAs基材料纳米结构及应用介绍 |
| 1.2.1 GaAs材料基本介绍 |
| 1.2.2 GaAs基纳米结构介绍 |
| 1.2.3 GaAs基纳米线的应用 |
| 1.3 GaAs基量子阱纳米线 |
| 1.3.1 GaAs基量子阱纳米线研究介绍 |
| 1.3.2 GaAs/GaAsSb量子阱中的能带结构 |
| 1.4 GaAs基纳米结构光学性质研究介绍 |
| 1.5 现有研究结果的不足 |
| 1.6 本文的主要研究内容 |
| 第2章 GaAs基纳米线的生长设备与表征手段 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 GaAs基纳米线的生长设备 |
| 2.3 形貌表征 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)表征 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM)表征 |
| 2.3.3 能谱仪(EDS)表征 |
| 2.4 光致发光光谱(PL)表征 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 GaAs纳米线的生长及表面处理 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 GaAs纳米线生长中的晶相控制 |
| 3.2.1 GaAs纳米线的生长 |
| 3.2.2 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线的形貌的影响 |
| 3.2.3 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线光谱表征的影响 |
| 3.2.4 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线晶体结构的影响 |
| 3.2.5 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线晶相控制的机理 |
| 3.3 GaAs纳米线的表面处理 |
| 3.3.1 湿法钝化对GaAs纳米线光学性质的影响 |
| 3.3.2 等离子体处理对GaAs纳米线光学性质的影响 |
| 3.3.3 核壳结构对GaAs纳米线光学性质的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 GaAs基单量子阱纳米线生长及光学性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 GaAs/GaAsSb/GaAs单量子阱纳米线生长 |
| 4.3 GaAs/GaAsSb/GaAs单量子阱纳米线形貌表征 |
| 4.4 GaAs/GaAsSb/GaAs单量子阱纳米线中的能带结构 |
| 4.5 GaAs/GaAsSb量子阱纳米线PL光谱表征 |
| 4.5.1 GaAs/GaAsSb量子阱纳米线低温PL光谱表征 |
| 4.5.2 单量子阱中激发功率相关的PL谱 |
| 4.5.3 单量子阱中温度相关的PL谱 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 GaAs基量子阱纳米线中组分调控及光学性质表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 GaAs/GaAsSb量子阱纳米线中的组分调控 |
| 5.3 不同Sb组分量子阱纳米线的形貌表征 |
| 5.4 不同Sb组分量子阱纳米线的PL光谱 |
| 5.4.1 不同Sb组分量子阱纳米线的低温PL光谱 |
| 5.4.2 不同Sb组分量子阱纳米线的功率相关PL光谱 |
| 5.4.3 不同Sb组分量子阱纳米线的温度相关PL光谱 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论及创新点 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（4）新型SbTe基相变薄膜与存储器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 新型存储器 |
| 1.3 相变存储器的结构及工作原理 |
| 1.4 相变存储器的研究进展 |
| 1.5 相变存储器的优势和存在的问题 |
| 1.6 本论文的主要工作 |
| 第二章 实验条件和分析测试方法 |
| 2.1 薄膜的制备测试分析 |
| 2.2 器件的制备测试分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 AlSc-Sb_2Te相变材料与存储器件研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 AlSc-Sb_2Te相变薄膜制备过程 |
| 3.3 AlSc掺 Sb_2Te相变材料薄膜性能表征 |
| 3.4 AlSc掺 Sb_2Te器件的制备与性能表征 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 Sb_2Te_3基材料掺杂改性及其器件研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 AlSc合金掺杂Sb_2Te_3相变材料与器件研究 |
| 4.3 硼元素掺杂Sb_2Te_3相变材料与器件研究 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 全文总结和展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术成果 |
| 致谢 |
（5）高压直流电缆半导电屏蔽层PTC效应和抑制空间电荷性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高压直流输电技术 |
| 1.1.1 HVDC输电技术简述 |
| 1.1.2 聚合物绝缘电缆 |
| 1.2 半导电层简述 |
| 1.3 聚合物复合材料的PTC效应 |
| 1.3.1 聚合物复合材料产生PTC效应的机理 |
| 1.3.2 聚合物复合材料PTC效应的影响因素 |
| 1.3.3 电阻率测试 |
| 1.4 空间电荷 |
| 1.4.1 空间电荷的危害 |
| 1.4.2 空间电荷的抑制方法 |
| 1.4.3 空间电荷的测量方法 |
| 1.5 导电聚苯胺 |
| 1.5.1 导电聚苯胺的合成方法 |
| 1.5.2 导电聚苯胺的分子链结构 |
| 1.5.3 导电聚苯胺的掺杂过程和导电机理 |
| 1.5.4 导电聚苯胺的纳米结构形貌 |
| 1.5.5 导电聚苯胺的应用 |
| 1.6 本论文研究目的和意义 |
| 第二章 炭黑的粒径对半导电层的电阻率阈值和PTC效应的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验仪器与材料 |
| 2.3 实验过程与结果分析 |
| 2.3.1 两种炭黑电阻率对比 |
| 2.3.2 半导电层的制备 |
| 2.3.3 两种炭黑在半导电层内的颗粒大小和分散性 |
| 2.3.4 两种炭黑在半导电层内的电阻率阈值 |
| 2.3.5 两种半导电层的PTC效应 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 带状导电聚苯胺/炭黑复合材料的制备及其对半导电层的PTC效应和抑制空间电荷能力的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验仪器和原料 |
| 3.3 实验过程和结果分析 |
| 3.3.1 不同HCl溶液浓度下导电PANI的合成和电阻率测试 |
| 3.3.2 导电PANI/CB复合材料的制备方法和形貌分析 |
| 3.3.3 导电PANI/CB复合材料的红外测试 |
| 3.3.4 导电PANI/CB复合材料的电阻率测试 |
| 3.3.5 掺杂导电PANI/CB复合材料的半导电层的配方改进与PTC效应研究 |
| 3.3.6 导电PANI/CB复合材料弱化半导电层PTC效应的机理 |
| 3.3.7 掺杂PANI/CB的半导电层对绝缘层空间电荷注入的影响 |
| 3.3.8 导电PANI提高半导电层抑制空间电荷能力的机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 TSDC法测试半导电层抑制空间电荷能力过程中的问题研究与方法改进 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备与测试步骤 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.3.1 不同加压场强下20℃至90℃时的TSDC曲线对比 |
| 4.3.2 不同加压场强下20℃至110℃时的TSDC曲线对比 |
| 4.3.3 对于不同加压场强下的TSDC测试结果的成因分析 |
| 4.3.4 对TSDC测试方法的改进 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术成果 |
（6）Al2O3-h-BN/LDPE导热纳米复合材料的电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 |
| 1.1.1 课题研究背景 |
| 1.1.2 研究目的及意义 |
| 1.2 纳米复合薄膜中空间电荷研究进展 |
| 1.2.1 空间电荷产生、迁移及危害 |
| 1.2.2 主要抑制方法 |
| 1.2.3 无机纳米粒子抑制空间电荷的机理 |
| 1.3 纳米复合薄膜导热机理 |
| 1.3.1 导热的基本概念 |
| 1.3.2 导热机理 |
| 1.4 纳米复合薄膜老化特性 |
| 1.5 本文的主要研究工作 |
| 第2章 Al_2O_3-h-BN/LDPE复合薄膜制备与结构表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.2.1 实验原料与设备 |
| 2.2.2 试样制备过程 |
| 2.3 复合薄膜的结构表征 |
| 2.3.1 X射线衍射 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 |
| 2.3.3 傅里叶变换红外光谱 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 Al_2O_3-h-BN/LDPE复合薄膜电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 宽频介电谱测试 |
| 3.2.1 实验设备与试样预处理 |
| 3.2.2 实验原理 |
| 3.2.3 结果与分析 |
| 3.3 纳米复合薄膜的直流击穿测试 |
| 3.3.1 实验设备和Weibull分布 |
| 3.3.2 结果与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Al_2O_3-h-BN/LDPE复合薄膜空间电荷行为特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 空间电荷测试系统 |
| 4.2.1 空间电荷测试系统的主要分类 |
| 4.2.2 电声脉冲法测试系统 |
| 4.3 实验仪器与试样 |
| 4.4 实验结果与分析 |
| 4.4.1 加压和短路过程空间电荷行为 |
| 4.4.2 平均体积电荷密度与衰减速率 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 Al_2O_3-h-BN/LDPE复合薄膜导热性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 复合薄膜的导热理论模型 |
| 5.3 纳米复合薄膜的导热性能测试 |
| 5.3.1 实验仪器与基本原理 |
| 5.3.2 实验结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
（7）液态金、载流气体作用下二维WS2薄膜的生长机理及其蒸发模式的差异（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 几种典型的二维材料制备方法 |
| 1.2.1 机械剥离法 |
| 1.2.2 吹胶法 |
| 1.2.3 化学气相沉积法 |
| 1.3 CVD方法中影响过渡金属硫族化合物二维材料结构形貌的因素 |
| 1.3.1 基片放置方式对薄膜形貌的影响 |
| 1.3.2 前驱体对薄膜形貌的影响 |
| 1.3.3 生长温度对于薄膜形貌的影响 |
| 1.3.4 生长时间对于薄膜形貌的影响 |
| 1.3.5 卤族盐对于薄膜形貌的影响 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 实验仪器及其表征技术 |
| 2.1 实验材料和设备 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 表征技术 |
| 2.2.1 光学显微镜 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 原子力显微镜 |
| 2.2.4 能量色散X射线谱 |
| 2.2.5 拉曼光谱 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 液态金属作用下二维WS_2薄膜的生长机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 吸附W的液态Au基片制备 |
| 3.2.2 薄膜生长 |
| 3.3 液态Au作用下的主要生长参数对于WS_2薄膜的影响 |
| 3.3.1 Au箔状态对于薄膜生长的影响 |
| 3.3.2 Au箔的融化时间对于薄膜生长的影响 |
| 3.3.3 生长温度对于薄膜生长的影响 |
| 3.3.4 W源选择对于薄膜生长的影响 |
| 3.4 液态金属作用下的薄膜生长机理 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 液态金属与载流气体共同作用下二维WS_2薄膜的生长机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 生长参数对于薄膜形貌的影响 |
| 4.3.1 薄膜所处的位置对于薄膜形貌的影响 |
| 4.3.2 生长温度对于薄膜形貌的影响 |
| 4.4 基片表面薄膜的层数、形貌与其分布区域的研究 |
| 4.4.1 基片表面各区域薄膜的AFM、Raman谱研究 |
| 4.4.2 基片表面各区域薄膜的高度统计研究 |
| 4.5 液态金属与载流气体共同作用下的薄膜生长机理 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 两种形貌二维WS_2薄膜在退火时蒸发模式的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.2 退火过程 |
| 5.3 退火过程中的主要参数对于WS_2薄膜形貌的影响 |
| 5.3.1 退火温度对于WS_2薄膜形貌的影响 |
| 5.3.2 退火时载流气体大小、薄膜在基片上的位置对于WS_2薄膜形貌的影响 |
| 5.3.3 退火时间对于WS_2薄膜形貌的影响 |
| 5.4 两种形貌WS_2薄膜在退火时蒸发模式的差异 |
| 5.5 两种形貌WS_2薄膜在生长机理上的差异 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 研究工作总结 |
| 6.2 研究工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 致谢 |
（8）埃级分辨的单分子拉曼和光致发光成像研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 扫描隧道显微镜简介 |
| 1.1.1 扫描隧道显微镜的系统组成与基本原理 |
| 1.1.2 扫描隧道显微镜电子谱学测量 |
| 1.2 等离激元增强拉曼和荧光光谱技术 |
| 1.2.1 表面等离激元简介 |
| 1.2.2 等离激元增强拉曼光谱技术 |
| 1.2.2.1 表面增强拉曼光谱 |
| 1.2.2.2 针尖增强拉曼光谱 |
| 1.2.3 等离激元增强荧光光谱技术 |
| 1.2.3.1 表面增强荧光光谱 |
| 1.2.3.2 针尖增强荧光光谱 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 |
| 1.3.1 仪器设备介绍 |
| 1.3.2 研究内容与意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 埃级分辨的针尖增强单分子拉曼光谱成像研究 |
| 2.1 研究背景介绍 |
| 2.1.1 镁卟吩分子简介 |
| 2.1.2 高分辨针尖增强拉曼散射光谱成像的研究现状 |
| 2.1.3 针尖与分子样品的制备 |
| 2.2 银表面镁卟吩分子的针尖增强拉曼光谱 |
| 2.3 银表面镁卟吩分子的扫描拉曼埃分辨显微术(SRP)成像 |
| 2.4 利用拉曼指纹识别与SRP模式成像可视化重构分子结构 |
| 2.4.1 相邻sp~2C-H伸缩振动的干涉效应 |
| 2.4.2 吡咯环的振动分析 |
| 2.4.3 组装桥接单元与中心金属原子完成整个分子结构的重构 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 埃级分辨的针尖增强单分子光致发光成像研究 |
| 3.1 研究背景介绍 |
| 3.1.1 锌酞菁分子简介 |
| 3.1.2 针尖增强光致荧光的分辨率限制因素 |
| 3.1.2.1 荧光增强与淬灭 |
| 3.1.2.2 背景信号的干扰 |
| 3.1.3 等离激元局域场的限域性 |
| 3.1.4 针尖与样品的制备 |
| 3.2 针尖增强单分子光致荧光光谱和成像 |
| 3.2.1 针尖增强单分子光致荧光光谱 |
| 3.2.2 针尖增强单分子光致荧光成像 |
| 3.2.3 针尖增强单分子光致荧光的激发共振和发射共振影响 |
| 3.2.4 针尖增强单分子光致荧光的激发偏振和发射偏振研究 |
| 3.2.5 针尖增强单分子光致荧光的稳定性研究 |
| 3.3 纳腔等离激元的局域性与纳腔距离的关系 |
| 3.4 纳腔中的分子荧光增强与淬灭 |
| 3.5 亚分子分辨的等离激元与分子相互作用 |
| 3.5.1 针尖增强单分子光致荧光的峰位和峰宽成像 |
| 3.5.2 针尖增强单分子光致荧光的Stark效应 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 脱耦合层上单分子的针尖增强拉曼光谱研究 |
| 4.1 研究背景介绍 |
| 4.1.1 锌酞菁分子的拉曼光谱研究 |
| 4.1.2 等离激元增强拉曼光谱的机制 |
| 4.2 脱耦合层上针尖增强单分子拉曼光谱和成像 |
| 4.2.1 脱耦合层上针尖增强单分子拉曼光谱 |
| 4.2.2 脱耦合层上针尖增强单分子拉曼光谱成像 |
| 4.3 针尖增强单分子拉曼光谱的物理增强与化学增强 |
| 4.3.1 针尖增强单分子拉曼光谱的物理增强 |
| 4.3.2 针尖增强单分子拉曼光谱的化学增强 |
| 4.4 针尖增强单分子拉曼光谱的倍频和合频增强 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表和准备发表的学术论文 |
（9）碳纳米管/金属复合材料的磁控溅射制备及其力学与电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 碳纳米管/金属复合材料概述 |
| 1.2.1 碳纳米管/金属复合材料研究现状 |
| 1.2.2 碳纳米管/金属复合材料制备工艺 |
| 1.2.2.1 粉末冶金工艺 |
| 1.2.2.2 化学沉积工艺 |
| 1.2.2.3 熔炼凝固工艺 |
| 1.2.2.4 喷涂工艺 |
| 1.2.2.5 其它工艺 |
| 1.2.3 碳纳米管与金属界面研究 |
| 1.2.4 碳纳米管/金属复合材料致密化工艺 |
| 1.2.4.1 碳纳米管/金属块体材料致密化工艺 |
| 1.2.4.2 碳纳米管/金属纤维材料致密化工艺 |
| 1.2.5 碳纳米管/金属复合材料应用研究 |
| 1.3 本文主要研究内容和意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 碳纳米管/金属复合材料制备及分析测试方法 |
| 2.1 碳纳米管/金属复合材料制备 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 |
| 2.1.2 磁控溅射工艺 |
| 2.2 碳纳米管/金属复合材料微观结构表征方法 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 |
| 2.2.4 热重分析 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析 |
| 2.2.6 原子力显微镜分析 |
| 2.3 碳纳米管/金属复合材料性能测试方法 |
| 2.3.1 抗拉强度测量 |
| 2.3.2 电学性能测量 |
| 2.3.3 循环弯曲变形寿命测量 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 碳纳米管-金属界面研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 不同金属在碳纳米管表面形核及界面结构 |
| 3.3.2 沉积速率对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.3 碳纳米管管径对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.4 沉积厚度对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.5 合金化对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.6 不同金属在碳纳米管表面形核模型 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 碳纳米管/铜复合薄膜 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 碳纳米管/铜复合薄膜 |
| 4.3.1 碳纳米管/铜复合薄膜微观结构和形貌 |
| 4.3.2 碳纳米管/铜复合薄膜电阻率 |
| 4.3.3 碳纳米管/铜复合薄膜导电机制 |
| 4.4 碳纳米管/铜复合薄膜循环变形稳定性 |
| 4.4.1 碳纳米管/铜复合薄膜微观形貌和结构 |
| 4.4.2 碳纳米管/铜复合薄膜循环弯曲测试及性能 |
| 4.4.3 碳纳米管/铜复合薄膜褶皱形成机理及循环变形机制 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 碳纳米管/铝-铜复合纤维 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 碳纳米管/铝-铜复合纤维 |
| 5.3.1 碳纳米管/铝-铜复合纤维微观形貌和结构 |
| 5.3.2 碳纳米管/铝-铜复合纤维强度与电导率 |
| 5.3.2.1 碳纳米管/铝-铜复合纤维强度与电导率 |
| 5.3.2.2 碳纳米管/铝-铜复合纤维电阻率随温度变化曲线 |
| 5.3.3 碳纳米管/铝-铜复合纤维的界面增强机制 |
| 5.3.3.1 铝层厚度对碳纳米管/铝-铜复合纤维性能的影响 |
| 5.3.3.2 碳纳米管/铝-铜复合纤维界面结构对性能的影响 |
| 5.4 致密化对碳纳米管/铝-铜复合纤维性能的影响 |
| 5.4.1 致密化碳纳米管/铝-铜复合纤维微观形貌和结构 |
| 5.4.2 致密化碳纳米管/铝-铜复合纤维的强度与电导率 |
| 5.4.3 致密化碳纳米管/铝-铜复合纤维增强机制 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（10）α-Fe2O3基光阳极的制备及其光电化学水氧化性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光电化学分解水电池的结构及其工作原理 |
| 1.2.1 光电催化分解水电池的基本结构 |
| 1.2.2 光电化学分解水的原理 |
| 1.2.3 半导体/电解液界面 |
| 1.3 光电催化水分解性能的影响因素 |
| 1.3.1 半导体光电极的光吸收能力 |
| 1.3.2 系统载流子分离效率 |
| 1.3.3 系统界面注入效率 |
| 1.3.4 光电催化分解水性能评价参数 |
| 1.4 α-Fe_2O_3光阳极的研究现状 |
| 1.4.1 形貌调控 |
| 1.4.2 元素掺杂 |
| 1.4.3 异质结构筑 |
| 1.4.4 抑制表面复合 |
| 1.5 本文研究思路 |
| 参考文献 |
| 第二章 MIL-125衍生的TiO_2纳米粒子层和超薄碳层双钝化层协同钝化Fe_2O_3表面态用以提高Fe_2O_3光电化学水氧化活性 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 α-Fe_2O_3NRAs光阳极的制备 |
| 2.2.3 MIL-125(Ti)衍生的α-Fe_2O_3/TiO_2NRA光阳极的制备 |
| 2.2.4 MIL-125(Ti)衍生的α-Fe_2O_3/TiO_2/C光阳极的制备 |
| 2.2.5 MIL-125(Ti)衍生的α-Fe_2O_3/TiO_2/C/β-FeOOH光阳极的制备 |
| 2.2.6 材料的结构及光学性能表征 |
| 2.2.7 光电化学测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 金属—有机框架衍生的p-Cu_2O/n-Ce-Fe_2O_3异质结纳米棒光阳极与FeOOH助催化剂耦合,用于高效的光电化学水氧化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂 |
| 3.2.2 α-Fe_2O_3纳米棒阵列(NRAs)光电阳极的制备 |
| 3.2.3 HKUST-1衍生的Cu_2O/Ce-Fe_2O_3NRAs异质结光电阳极的制备 |
| 3.2.4 HKUST-1衍生的FeOOH/Cu_2O/α-Fe_2O_3NRAs光电阳极的制备 |
| 3.2.5 材料的结构及光学性能表征 |
| 3.2.6 光电化学测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 超薄金属有机骨架(ZIF-67)负载在Ce-Fe_2O_3上用于增强光电催化水氧化性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂 |
| 4.2.2 Ce-Fe_2O_3纳米棒阵列(NRAs)光阳极的制备 |
| 4.2.3 Ce-Fe_2O_3/ZIF-67 NRAs光阳极的制备 |
| 4.2.4 材料的结构与光学性能表征 |
| 4.2.5 光电化学测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 未来研究及展望 |
| 在学期间的科研成果 |
| 致谢 |
四、扫描电子显微镜中吸收电流像的应用（论文参考文献）
- [1]ZnIn2S4复合光电极的构筑及其光电催化性能研究[D]. 钱红霞. 天津城建大学, 2021(08)
- [2]基于银纳米晶的比色和SERS法检测重金属汞离子的研究[D]. 李耀鹏. 山东农业大学, 2021(01)
- [3]GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究[D]. 李浩林. 长春理工大学, 2021(01)
- [4]新型SbTe基相变薄膜与存储器件研究[D]. 梁祺. 东华大学, 2021(01)
- [5]高压直流电缆半导电屏蔽层PTC效应和抑制空间电荷性能研究[D]. 王恩民. 青岛科技大学, 2021(01)
- [6]Al2O3-h-BN/LDPE导热纳米复合材料的电性能研究[D]. 曾均吉. 哈尔滨理工大学, 2021(09)
- [7]液态金、载流气体作用下二维WS2薄膜的生长机理及其蒸发模式的差异[D]. 余彦路. 南京邮电大学, 2020(02)
- [8]埃级分辨的单分子拉曼和光致发光成像研究[D]. 杨犇. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [9]碳纳米管/金属复合材料的磁控溅射制备及其力学与电学性能研究[D]. 王耿洁. 南京大学, 2020(12)
- [10]α-Fe2O3基光阳极的制备及其光电化学水氧化性能研究[D]. 吴娟. 兰州大学, 2020