一、电子在一维方势垒顶部的透射（论文文献综述）
李存志,宋金茂[1]（1996）在《电子在一维方势垒顶部的透射》文中认为文中对入射电子能量等于一维方势垒高度时，电子对势垒的透射情况进行了理论分析，导出了这一条件下的电子透射系数与势垒高度及势垒宽度之间的关系，并证明了电子对一维方势垒的透射系数Ｔ是入射电子能量Ｅ的连续函数。
张志远[2]（2020）在《界面调控对二维异质结电学特性影响的理论研究》文中研究指明继石墨烯被发现之后,越来越多的二维材料,比如氮化硼、过渡金属硫化物、黑磷、过渡金属碳化物等,被人们发现和制备出来。其中,Mo Se2是过渡金属硫化物典型的代表之一。与石墨烯零带隙的能带结构不同,Mo Se2是半导体,存在着一定的带隙,因此,在半导体器件方面有着巨大的应用前景。然而,电极与Mo Se2会形成一定的肖特基势垒,影响Mo Se2在电子器件方面的进一步应用。因此,本文利用第一性原理计算,系统地分析了不同电极材料、不同接触构型等各方面因素对于Mo Se2材料电学特性的影响,具体研究内容如下:1. 基于第一性原理分析了采用borophane做电极时不同晶界对Mo Se2电学特性的影响。研究发现Mo Se2与borophane形成不同的边缘接触时,接触区域附近的Mo Se2表现出金属性行为。此外,两种材料的接触为n型的欧姆接触,但是接触构型不同,对应的带阶也各不相同,并且最终的输运特性也会依赖于接触构型。2. 研究了使用三种碱金属原子Li,Na,K对borophane-Mo Se2范德华异质结接触界面修饰前后其肖特基势垒的变化,并研究了界面修饰对该范德华异质结中电输运性质的影响。使用碱金属原子Li,Na,K对接触界面的区域进行修饰会使得接触边缘附近的电荷转移量发生明显的改变,同时,borophane和Mo Se2两者之间的接触类型由原本的p型肖特基接触转变成为了n型欧姆接触。但是在这种情况下,异质结的间距也发生了较为明显的增大,因此透射谱中的电子透射系数也随之而出现了十分明显的降低现象。3. 分析了Nb S2或Ta S2做电极时不同接触构型对Mo Se2电学特性的影响。形成平面异质结后,Nb S2或Ta S2接触Mo Se2时耦合作用非常强烈,Mo Se2会产生额外诱导带隙态,这使得Mo Se2变成了金属性质。Nb S2和Ta S2作为电极时,与Mo Se2接触分别会在界面形成p型欧姆接触和p型肖特基接触,肖特基势垒的高度会随接触构型的不同而产生变化。零偏压电子透射谱中费米能级附近由于诱导带隙态而出现了透射峰,但随偏压升高,透射峰会消失,导致体系中的偏压增加而电流发生降低。4. 采用不同材料构建了范德华异质结,揭示了弱范德华相互作用下不同电极材料对Mo Se2电学特性的影响。不同电极与Mo Se2顶部接触产生的肖特基势垒不同,形成欧姆接触的有Nb S2,Ta S2和VS2三种,而Nb Se2,Ta Se2和VSe2与Mo Se2顶部接触会出现肖特基接触。除此之外,不同体系的隧道势垒也存在差异,会影响到体系输运性质。
施一剑[3]（2015）在《石墨烯纳米器件中的电子输运》文中研究说明随着现代微电子技术的发展和制造工艺的进步,电子器件的特征尺寸在逐年缩小,目前已经进入纳米量级。在这个尺度范围下,由于量子效应的出现,经典电路理论将不再适用。近三十年来一系列的实验在不同的材料和体系下发现了各种新奇量子现象的存在。其中于2004年发现的石墨烯材料由于其优越的电学性能以及稳定性,成为了理论与实验中热门的研究对象,并展现出广泛的应用前景。本文主要从散射矩阵理论以及格林函数方法出发,研究了石墨烯纳米器件中的电子输运性质,旨在为纳米器件的制造与纳米集成电路提供一些理论方面的支持和参考。我们在多端口石墨烯器件动态电流电压响应的探究中,讨论了石墨烯纳米器件的测量、整流、耗散等特性。文中主要内容如下：本文首先介绍了石墨烯材料的电学特性。根据最近邻紧束缚近似计算的结果表明,在不同的宽度、边缘结构下,石墨烯纳米条带展现出不同的色散关系、传播模式、导电特性等。本文同时介绍了研究石墨烯纳米器件动力学电导时所用到的交流输运理论和格林函数方法,并讨论了两种方法之间的联系及其优缺点。基于这些石墨烯纳米条带的基本性质以及电子输运理论,本文研究了石墨烯纳米器件四端测量的阻抗特性。相对于传统的二端测量方法,四端测量消除了引线与导体的接触电阻,使得测量结果更为精确。根据四端测量体系的交流输运特性,我们可以得到体系的阻抗网络矩阵,最后得出的四端测量阻抗表达式与每两个端口间的动力学电导都相关。本文结论说明,在四端口石墨烯纳米条带结构中,能量在狄拉克点附近时四端测量结果可能会出现负电阻与负电抗。当体系费米能远离狄拉克点时,四端电阻在零值附近上下振荡,而四端电抗从峰值迅速缩小到零值附近。这主要是由于电压探测端引入了非弹性散射并改变了导体中的电荷分布,在纳米器件的四端测量结果上表现出电子波动性。本文还研究了石墨烯纳米条带场效应管中的电荷弛豫电阻。不同于直流情形下的Landauer电阻,电荷弛豫电阻伴随着电容在交流电路出现,并决定了电路中的时间常数。本文结论说明,石墨烯纳米条带场效应管中栅极电荷弛豫电阻存在量子化现象,并且随着石墨烯纳米条带结构与栅极电压变化。当石墨烯纳米条带中的通道数分别为0,1,N时,相应的栅极平衡电荷弛豫电阻大小大致分别为1/2,1/4,1/2N的电阻量子（h/e2）,而非平衡电荷弛豫电阻大小接近于零。通过分析石墨烯纳米条带的电导与态密度特性,我们发现电荷弛豫电阻更多地与电子库及引线相关。另外我们可以通过调节栅极电压来改变其大小,从而控制石墨烯纳米条带场效应管栅极的耗散与噪声。
李存志[4]（1999）在《量子力学中的若干问题》文中提出引入虚粒子概念，并在两个公设基础上建立了虚粒子力学，证明了虚粒子力学与量子力学的等价性。虚粒子力学提供了从经典力学过渡到量子力学的一种新方法。与传统量子力学相比，虚粒子力学提供的微观粒子运动图像更为清晰明了，给出了量子力学的一种更易于理解的新诠释。 在虚粒子力学基础上，进一步建立了相对论虚粒子力学，证明了相对论虚粒子力学与Klein-Gordon方程的等价性。相对论虚粒子力学是相对论量子力学的另一种等价表述。 通过推导归纳出粒子在n个方势垒中的隧穿解析公式；提出了计算隧穿问题的若干种新方法，如用一系列方势垒或线性势垒逼近任意给定的势垒，研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响；以高精度的Numerov算法为基础，给出了计算透射系数的两种新方法；针对抛物形量子阱的势垒结构特点，通过求解薛定谔方程得到了计算由一个或若干个抛物阱构成的量子系统的透射系数的一种新方法；对双量子阱系统的伏安特性进行了数值模拟。
窦昊运[5]（2021）在《基于WS2/二维金属范德华异质结电输运特性理论研究》文中研究表明石墨烯的出现掀起了人们对新型材料的研究热潮。二维（2D）材料被各国科学家们发现或合成,如黑磷（BP）、氮化硼（BN）、过渡金属碳化物（TMC）、过渡金属二硫化物（TMD）等。WS2、MoS2都是典型的二维材料,能带中存在一定的带隙,可以代替传统三维半导体。在实际应用中,许多因素会影响器件的性能。如2D半导体与电极接触时会形成肖特基势垒,对制备的电子器件产生不利影响;2D半导体与电极接触时会产生隧穿势垒,也是阻碍器件实际应用的重要因素。为解决上述问题,本文采用第一性原理计算,详细地分析了对于不同电极材料与WS2构成异质结的接触性质、基于WS2构建的双电极体系的电输运特性、研究了1T’/2H MoS2异相结的接触性质并对其进行了有效调控。具体研究内容如下:1.基于上述2D半导体与电极接触时出现的问题,开展了对Graphene/M3C2（M=Cd,Hg,Zn）与2D WS2形成范德华异质结的研究。采用第一性原理计算方法研究了使用Graphene/M3C2做电极时与2D WS2形成范德华异质结的接触性质。当WS2/石墨烯形成范德华异质结时,两种材料的固有性质可以很好的保持;M3C2/WS2范德华异质结的费米能级处出现了混合态,影响了材料固有性质。Graphene/M3C2与WS2形成了n型肖特基接触,对Zn3C2/WS2双电极体系进行评估,体系形成n型接触。上述研究为制作n型WS2半导体器件提供了理论指导。2.基于Graphene/M3C2与WS2存在接触势垒较大的问题,开展了使用金属性过渡金属二硫化物XA2（X=V,Nb,Ta;A=S,Se）与二维WS2形成范德华异质结的研究。研究发现WS2/XA2范德华异质结可以很好的保持两种材料的固有性质。XA2与WS2形成了p型肖特基接触,有趣的是,当VSe2被选作电极时,其双电极体系评估为n型接触。VS2,NbS2和TaS2作为电极时,载流子极性没有改变,双电极体系评估仍为p型接触。在电输运计算中,所有体系的肖特基势垒（SBH）出现明显增加。此研究有效降低了肖特基势垒,并提供了制备p型WS2半导体器件的理论思路。3.基于二维材料的多相性,开展了1T’/2H MoS2异相结接触性质的研究。发现异相结的界面势垒并不均匀,界面局部出现了低于层间间隙势垒的区域电势,这些区域的出现为电子传输提供路径。通过吸附多种金属性原子或者施加应力来调控1T’/2H MoS2异相结接触界面的肖特基势垒,两种方法都可以将肖特基接触转变为欧姆接触,并且施加应力可以拓宽低于平均势垒区域面积。此研究计算出影响1T’/2H MoS2异相结的两个主要势垒,并成功对其进行调控,为实际调控材料接触势垒提供了理论借鉴。
殷澄[6]（2011）在《分析转移矩阵理论在一维波动力学中的应用》文中进行了进一步梳理本文主要讨论了分析转移矩阵（ATM）理论在一维波动力学中的几大应用,分别是精确的量子化条件,超对称量子力学,量子反射,以及精确的反射、透射时间等。在论文的开始部分介绍了ATM理论,包括光学与一维波动力学的相似性,分析转移矩阵的建立,以及最基本的位相方程的推导。ATM理论处理问题的最基本思想在于将势函数进行分层,用一系列的均匀薄层来取代原势函数;当分层的层数趋于无穷,并且每一层的厚度趋向于零的时侯,其极限形式就是原先的势函数。将每一薄层里面的波函数都以三角函数线性表示出来,再结合边界条件上的波函数及其导数的连续条件,就可以方便的用分析转移矩阵来表征每一薄层。同时,在具体的推导过程中,我们引入了等效波函数q （ x ）,它的引入使得边界上的两个连续条件合并成为一个,即等效波函数的连续条件,随后可以推导出最基本的位相方程,等效波函数是联系分析转移矩阵与位相方程的重要纽带。利用超对称量子力学,人们逐渐总结出一整套寻找和归纳精确可解势的办法。1983年,形状不变的概念被提出,人们惊奇地发现所有已知的精确可解势都属于第一类形状不变势,而由超对称概念启发而得到的超对称量子化条件出人意料的给出了所有的精确可解势的正确能谱;在这个问题上,我们利用ATM理论成功的解释了超对称量子化条件对这类势函数精确的原因,并且发现了所有精确可解势都满足的一个条件:子波位相在两转折点的区域内的积分是不变量。接下来,本文利用ATM理论推导粒子隧穿中的透射系数的精确计算公式。利用我们之前引入的散射子波,主波和总波矢等概念可以使分析转移矩阵的透射公式更加简洁,而且物理意义也更加明确。这一公式的最大优点在于将半经典近似理论中的转折点概括在一般的情况中,而不需要特别考虑。因此这一公式可以广泛的适用于各种情况,无论是对粒子能量低于势垒的隧穿情形,还是高于势垒的峰值的量子反射情形,对ATM的透射系数公式来说,对上述两个问题的处理在本质上是一致的。量子反射是近来在超冷原子领域中比较热门的研究课题,它可以发生在能量高于势垒顶部的情况下,也可以发生在吸引势的拖尾区域。用来解释量子反射的理论一直比较含糊,其中WKB近似理论通过利用广义的连接公式将WKB区域的WKB波函数与已知的波函数精确解相连接的办法,构造出近似的全局波函数,通过这个全局波函数来解决量子反射的问题。这种方法不太容易使用,并且使用范围受到很大的局限,物理意义也十分含糊。而我们通过对ATM理论推导的精确反射系数公式研究发现,所谓的量子反射其实完全是子波的反射,并且简化过的反射系数公式可以适用于各种情况下的量子反射。时间问题是一维波动力学中争议最多的问题之一,围绕着隧穿时间这一课题,产生了诸如超光速,Hartman效应等许多争论,尝试解答这一问题而提出的新的时间概念也层出不穷,例如驻留时间,Büttiker-Landauer时间和位相时间。在这一混乱的领域,我们利用ATM理论给出了精确的透射时间和反射时间公式,并且成功的发现了量子反射时间与经典力学中反射时间的内在联系:量子反射时间等于经典的反射时间加上一个由子波确定的修正量。
李佳欣[7]（2020）在《平顶光束操控物质波的理论研究》文中进行了进一步梳理原子光学是研究原子物质波的波动性及其操控的一门学科,在量子信息处理与高精密测量等前沿领域有着重要的作用。在原子光学中,各类激光是操控超冷原子的重要工具。近十几年,随着激光整形技术的快速发展,出现了各种非高斯型光束,如平顶光束,进一步丰富了原子的光力操控技术。由此本文开展了用平顶光束操控原子物质波的研究。首先,我们将原子物质波在外场中的折射率与光在等离子体介质中的折射率进行对比,发现两者的数学形式十分相似。然后,进一步得到原子物质波被蓝失谐光折射类似于光被折射率小于1的等离子体折射,即原子光学中的类等离子体光学机制。其次,我们将类等离子体光学机制应用到原子物质波的研究中,提出用平顶光束中的超高斯光束作为棒形原子透镜的理论方案。我们从理论上研究了远蓝失谐平顶光束对原子物质波的散射问题。研究表明由于原子物质波在光场区域的折射率小于非光场区域折射率,远蓝失谐平顶实心光束可对入射波起分束作用,远蓝失谐平顶空心光束可对入射波起聚焦作用。在合适的参数下,物质波可以聚焦到比光场的一个光波长还小的区域。这些结果不仅在冷原子的聚焦、分束方面有着潜在的应用,而且对等离子体棒透镜的研究也有一定启发。最后,我们提出用蓝失谐超高斯光和超冷原子相互作用产生的超高斯势垒模拟方势垒的理论方案。结果表明方势垒对物质波散射问题在超高斯光场的阶数大于20时能够被有效地模拟。随后我们进一步研究了物质波入射到双超高斯势垒的共振隧穿现象。结果表明通过调整势垒之间的距离可以控制共振峰的位置以及个数。该工作为在实验上验证方势垒、多方势垒的隧穿现象提供了依据。
胡小英[8]（2013）在《GaAs/AlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究》文中研究说明GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（Quantum Well Infrared Photodetectors，QWIP）是先进薄膜生长技术与微电子学相结合的新型红外探测器。具有材料均匀性好，生长制备工艺成熟，价格低，抗辐照性能好，及易于实现多色探测等优点。广泛用于生物医疗成像，空间资源检测，军事领域现代化高科技武器装备、地雷探测、红外制导系统、战场侦察、反坦克导弹热瞄镜等领域，已成为红外探测器的主流技术。但其较大的暗电流，较低的量子效率与过窄的频带宽成为其快速发展的瓶颈。本文以GaAs/AlGaAs QWIP单元探测器为应用背景，从相关器件结构优化设计入手，使用金属有机物化学气相沉积法（Metal Organic Chemical VaporDeposition，MOCVD）进行量子阱材料生长，设计QWIP样品性能参数自动测试系统，利用高分辨透射扫描电镜（High resolution transmissionelectron microscopy，HRTEM）对器件展开微观结构分析研究，采用室温光致荧光谱（Room TemperaturePhotoluminescence，RT-PL）对样品进行势垒与势阱PL谱测试，以对其微观能级结构进行剖析研究。旨在提高光电流，减小暗电流，建立器件微观结构与宏观表征的关系，为实现QWIP能级结构设计与材料生长工艺的优化奠定基础。论文主要研究内容，结论与成果如下：1、采用MOCVD生长3050周期300μm×300μm台面，峰值响应波长8.5μmGaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱样品数件，其电极压焊点面积大小与位置不同。对器件样品进行宏观光电特性测试，实验结果显示：样品暗电流，噪声，响应特性，伏安特性及探测率等呈现正负偏压的不对称性。结合样品的微观结构形貌，研究结果表明：样品界面位错穿过区域靠近AlGaAs层附近衬度区域的加宽，致使Al原子从AlGaAs层析出，导致穿透位错造成相位分离，这是引起量子阱光电性能变差的主要原因；材料生长工艺自身引起不同生长次序中GaAs与AlGaAs界面不对称性与掺杂元素的扩散，及GaAs薄膜中大量缺陷，其中包括有生长技术或掺杂带来的点缺陷及由衬底异质外延晶格失配引起的缓冲层缺陷等。这都是引起器件宏观特性曲线出现不对称的根本原因；样品器件位于台面的电极造成器件结区暗电流增加，表面及压焊点电极漏电也有一定影响。2、根据GaAs/AlGaAs QWIP的结构参数，建立了QWIP理想势阱模型。通过对QWIP样品解理后侧向剖面QW进行PL测试，结合势阱与势垒发光峰的位置，根据理想GaAs/AlGaAs势阱模型与量子阱能带理论进行数值拟合运算，获得QWIP样品的势垒组分、量子阱宽度等各项结构参数，并由此得到量子阱子带间跃迁能量，及其相应的峰值响应波长。实验结果显示：器件结构中势阱宽度偏离设计值12个原子层，势垒中Al组分偏离设计值1%2%。虽然实际值相对于设计值有一定偏差，但该工作有利于防止偏离设计值的晶片流入器件制备工序，另一方面能够促使改进MOCVD生长工艺使其达到设计要求。3、建立QWIP荧光量子阱响应波长能带模型，确定QWIP峰值响应波长与势垒中Al组分关系，建立器件微观结构形貌与宏观光电特性关系。采用MOCVD制备Al摩尔含量为0.23，0.32实验样品。光谱测试结果显示：3#，4#样品峰值响应波长为8.36μm，7.58μm，与据薛定谔方程得到峰值波长9.672μm，7.928μm误差分别为15.6%，4.6%。研究结果表明：铝原子在GaAs与AlxGa1-xAs界面处扩散促使GaAs量子阱由标准方势阱变为余误差决定的形状，导致势阱降低，宽度增加，子能级分布变化，响应波长蓝移。说明光激发载流子正从束缚态到连续态向束缚态到准束缚态跃迁方式转变。HRTEM技术分析发现：位错引起GaAs与AlGaAs晶格不匹配及量子阱材料生长过程中对材料控制精度不够是造成3#样品误差过大主要原因。说明势垒中Al组分减小致使量子阱子带间距离逐渐缩小，导致峰值响应波长红移。RT-PL实验结果与理论计算相符合，说明势垒中Al组分可修饰QWIP光电特性。4、确定QWIP响应波长与GaAs势阱宽度关系。根据理想二维方势阱模型设计器件量子阱能级结构，采用MOCVD生长阱宽为4.5nm，5.5nm GaAs/Al0.3Ga0.7AsQWIP样品，利用傅里叶光谱仪对样品进行77K液氮温度光谱响应及势阱与势垒的PL测试。光谱实验结果显示：5#，6#样品峰值响应波长为8.39μm，7.69μm，与据理想二维方势阱模型获得8.924μm，8.051μm误差为6.36%，4.7%；同时响应光谱半高宽从27.3%上升至44.2%。而PL实验结果则显示：其与二维方势阱模型及薛定谔方程得到的结果一致。结合HRTEM研究样品微观结构形貌，结果说明：若加宽势阱，则光谱响应峰向高能方向漂移，及响应光谱半高宽上升。说明基态E1相对于势阱底而下降，导致子带间距增大，峰值波长蓝移，且在蓝移过程中发生半高宽增加的现象。而激发态E2逐渐从势阱口内向势阱口外移动，即光激发载流子跃迁形式从束缚态到连续态跃迁方式向束缚态到准束缚态跃迁方式的转变。5、样品HRTEM显示：Al原子从AlGaAs层析出将会引起微观领域光生电子与阱中热激发电子运动速度或方向发生变化，从而改变器件宏观光电特性；样品位错沿（100）面无法消除因插入GaAs层而导致GaAs与AlGaAs间晶格失配而起的应力应变，从而使得位错在接近量子阱区域发生微小的弯曲，进而影响器件的输出响应。
胡金棒[9]（2020）在《在典型半金属及贵金属上的表面在位反应机理研究》文中研究表明材料的表界面效应随着半导体产业的飞速发展而越来越受到人们的重视。同时,随着扫描隧道显微镜（STM）技术的快速进步,使得表面在位化学反应制备原子级精确纳米结构的研究方向异军突起。表面在位化学反应方法突破了传统湿法化学合成的限制,主要对分子前驱体进行巧妙设计和反应路径进行合理调控,实现对化学反应的精确控制,促使表面在位反应在制备新型功能界面材料领域取得了巨大的成功。与此同时,如何通过控制分子前驱体的生长、合理调控反应路径来制备大面积、长程有序性的低维纳米结构,仍然是科研人员需要面临的难题之一。近几年,不少课题组尝试通过对分子前驱体生长取向等方面的调控,在一定程度上研究了表面在位反应的内在机理。基于此,本篇博士论文通过研究分子前驱体与界面的相互作用、反应动力学行为以及改变反应基底等来研究表面在位化学反应过程中分子前驱体以及基底表面的作用与贡献。首先,我们选择了2,7-二溴芘这一含有卤素修饰原子的分子前驱体,在贵金属Au（Ⅲ）表面研究了氢卤键对二溴芘分子自组装的调节行为。通过STM直观的表征了Au（Ⅲ）表面Br2Py分子在不同覆盖度下不同类型的自组装及聚合物结构等。进一步退火后,研究了Au表面Br含量减少后氢卤键如何维持自组装及聚合物结构的稳定性,揭示氢卤键与二维结构稳定性间之间的关系。其次,分析了Au（Ⅲ）表面二溴芘不同自组装小岛间衔接关系,并逐步对样品进行退火发现:在Au（Ⅲ）脊骨型再构处,二溴芘分子更易发生聚合反应形成直线型二聚体或者Au原子嵌入的90°或120°夹角二聚体,它们均分布于不同单分子自组装小岛边缘。通过该工作,揭示了Au吸附单原子催化活性比Au（Ⅲ）高,以及Au吸附单原子来源于脊骨型再构。基于Au（Ⅲ）表面上的活性研究与分析,本博士工作进一步探索了半金属表面催化活性的来源及机制。选择半金属基底吸附的酞菁分子体系,通过该体系发现半金属表面同样可以产生表面增原子,光电子能谱结果证实单原子在基底表面扩散最终嵌入到酞菁分子中心催化N-H断裂后囚禁于分子环内,不再扩散至基底表面其他位置。而Au（Ⅲ）表面增原子嵌入的90°或120°夹角二聚体在进一步退火后并不能束缚Au单原子,Au表面增原子在Au（Ⅲ）表面扩散后充当反复使用的催化位点。通过前面的一系列工作,我们发现退火处理可以在基底表面产生游离的增原子,推动表面在位反应的发生。因此,额外沉积少量其它金属原子来作为催化反应的活性位点,可以系统比较、研究不同种类金属原子间的催化活性以及竞争关系。基于此想法,先在Cu（Ⅲ）表面沉积酞菁分子并蒸镀Co原子。对Cu（Ⅲ）/H2Pc体系先退火,实现酞氰分子的金属化形成CuPc,之后,再沉积少量的Co原子来检测Co是否可替换中心原子Cu形成CoPc。总的来说,我的博士工作较为系统的揭示了金属及半金属表面在位反应过程中表面增原子的产生和动力学行为,以及对催化有机分子前驱体断键（C-Br或N-H）的重要性。论文指出对分子前驱体的吸附行为和表面吸附原子活性位的调控（退火或二次沉积）都会对反应的终产物产生影响,二者都是通过表面在位反应制备高质量纳米结构的关键因素。
高雪[10]（2020）在《半导体和有机物材料的自旋注入研究》文中研究说明半导体自旋电子学领域的研究可以将半导体与磁性材料的优势结合在一起。甚至可以在单个芯片上集成存储,检测,逻辑和通信等不同的功能。氮化镓（GaN）是具有高热稳定性的宽带隙半导体,通常被用于光电,高频和高功率微电子领域。GaN具有弱的自旋轨道相互作用,并且具有较长的自旋弛豫时间,这使得GaN成为一种非常适合半导体自旋电子学研究的材料。与无机自旋电子器件相比,有机自旋电子器件也非常吸引人,因为有机材料的电荷载流子的自旋寿命长,而且其成本相对较低,并且具有柔性和化学多样性。近年来,关于半导体自旋电子学和有机自旋电子学的研究引起了人们极大的兴趣。在本论文中,我们研究了包含砷化铟（InAs）/砷化镓（GaAs）量子点和铟镓氮（InGaN）/GaN量子阱的自旋发光二极管（Spin-LED）中的自旋注入。此外,我们还研究了有机多铁性隧道结的铁电性能。首先,我们研究了包含单层p掺杂InAs/GaAs量子点（QD）的spin-LED,在零施加磁场下,其发射光的圆偏振度（Pc）高达18%。与偏置电压的依赖关系表明,在10K时,偏置电压为2.5V（对应于6μA）时,自旋偏振度达到最大值。此外,温度对Pc也有很强的影响,在60K-80K温度范围前后Pc有显着变化。最后,我们从辐射复合时间τr和自旋弛豫时间τs之间的竞争关系讨论了偏振度与偏压和温度的依赖关系。对p掺杂InAs/GaAs QD spin-LED的自旋弛豫机制的理解有助于进一步提高spin-LED的器件性能。另外,我们在GaN上实现了具有垂直磁各向异性的自旋注入结的外延生长,并研究了 GaN spin-LED的自旋注入过程。我们研究了 Fe/MgO和Co/MgO两种自旋注入结。首先,通过使用原位反射式高能电子衍射仪和原子力显微镜研究了温度对MgO生长的影响。然后,我们研究了 Fe或Co在MgO/GaN上的生长。与Fe/MgO相比,Co/MgO自旋注入结具有明显的垂直磁各向异性。此外,我们通过第一性原理计算来了解Co/MgO（111）界面上的垂直磁各向异性的起源。最后,在n-i-p型GaNLED结构上生长了 Co（0001）/MgO（111）自旋注入结并制备了 GaN spin-LED器件。然而,在偏振分辨的电致发光谱测量中未检测到圆偏振光发射。这可能是由于在Co/MgO界面处形成的氧化层或是由于未优化的GaN LED结构导致。最后,我们研究了基于掺杂有四氧化三铁（Fe3O4）纳米颗粒的聚偏二氟乙烯（PVDF）势垒的有机多铁性隧道结。有机多铁性隧道结最近吸引了很多关注,因为它们可以结合自旋电子学,有机电子学和铁电电子学的优点。我们成功地制备了La0.6Sr0.4MnO3/PVDF:Fe3O4/Co有机多铁性隧道结,结果表明,在PVDF势垒层中加入Fe3O4纳米颗粒可以显着改善该有机多铁性隧道结的铁电性能。PVDF:Fe3O4基有机多铁性隧道结在10K时显示出约450%的高隧穿电致电阻（TER）,是纯PVDF基有机多铁性隧道结的6倍。此外,两种极化态之间的高能量势垒（14meV）保证了含有Fe3O4纳米颗粒的有机多铁性隧道结具有更好的热稳定性,即使在室温下也能保持100%的TER。含有PVDF:Fe3O4纳米复合材料的有机多铁性隧道结的铁电性能的提高将促进有机多铁性隧道结在记忆电阻器和自旋电子学中的应用。
二、电子在一维方势垒顶部的透射（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子在一维方势垒顶部的透射（论文提纲范文）
（2）界面调控对二维异质结电学特性影响的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 MoSe_2的研究进展 |
| 1.2.1 MoSe_2的制备 |
| 1.2.2 MoSe_2结构与性质 |
| 1.2.3 MoSe_2的应用 |
| 1.3 其他金属性二维材料简介 |
| 1.3.1 Borophane |
| 1.3.2 金属性过渡金属硫化物 |
| 1.4 异质结 |
| 1.5 本文的研究思路及主要内容 |
| 第2章 理论计算方法 |
| 2.1 密度泛函理论 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 |
| 2.1.3 交换关联泛函 |
| 2.1.4 vdW修正 |
| 2.1.5 赝势方法 |
| 2.2 量子输运理论 |
| 2.2.1 非平衡格林函数 |
| 2.2.2 电导与电流 |
| 2.3 金属-半导体接触 |
| 2.3.1 肖特基接触 |
| 2.3.2 欧姆接触 |
| 2.3.3 隧道势垒 |
| 第3章 边缘接触borophane-MoSe_2体系的电学特性 |
| 3.1 背景介绍 |
| 3.2 计算细节 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 碱金属调节borophane-MoSe_2范德华异质结电学特性 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 计算细节 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 边缘接触NbS_2(Ta S2)-MoSe_2体系的电学特性 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 计算细节 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 XY_2-MoSe_2(X=Ta,V,Nb,Y=S,Se)异质结电学特性 |
| 6.1 背景介绍 |
| 6.2 计算细节 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 本文工作总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间主要研究成果 |
| 一、发表学术论文 |
| 二、其它科研成果 |
（3）石墨烯纳米器件中的电子输运（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文研究内容 |
| 2 基本理论方法与模型 |
| 2.1 散射矩阵理论 |
| 2.2 格林函数方法 |
| 2.3 直流输运理论 |
| 2.4 交流输运理论 |
| 3 石墨烯纳米器件 |
| 3.1 本章引言 |
| 3.2 二维石墨烯材料 |
| 3.3 石墨烯纳米条带 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 基于石墨烯纳米条带结构的四端阻抗 |
| 4.1 本章引言 |
| 4.2 基本模型和研究方法 |
| 4.3 数值结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 石墨烯场效应管顶栅的电荷弛豫电阻 |
| 5.1 本章引言 |
| 5.2 基本模型和研究方法 |
| 5.3 数值结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结和展望 |
| 参考文献 |
| 发表文章目录 |
| 致谢 |
（4）量子力学中的若干问题（论文提纲范文）
| 第一章 引言 |
| 第二章 虚粒子及虚粒子力学 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 虚粒子与虚粒子运动学 |
| 2.3 虚粒子动力学 |
| 2.4 微观粒子运动状态的演化 |
| 2.5 虚粒子动力学方程的分析力学形式 |
| 2.6 一个定理 |
| 2.7 虚粒子力学与波动力学的等价性 |
| 2.8 讨论 |
| 第三章 相对论虚粒子力学 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 相对论虚粒子力学（无电磁场情况） |
| 3.3 相对论虚粒子力学（有电磁场情况） |
| 3.4 结论 |
| 第四章 粒子在N个一维方势垒中的共振隧穿 |
| 4.1 公式推导 |
| 4.2 共振能级结构与数值检验 |
| 4.3 结束语 |
| 第五章 隧穿问题的方势垒逼近 |
| 5.1 变换矩阵与透射系数 |
| 5.2 数值检验 |
| 5.3 结论 |
| 第六章 多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响 |
| 6.1 变换矩阵与透射系数 |
| 6.2 多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响 |
| 6.3 结论 |
| 第七章 双量子阱系统伏安特性的数值模拟 |
| 7.1 变换矩阵和透射系数 |
| 7.2 双量子阱系统伏安特性 |
| 7.3 结论 |
| 第八章 电子隧穿问题的数值算法 |
| 8.1 近似方法与公式 |
| 8.2 巨形双势垒 |
| 8.3 三角形势垒 |
| 8.4 结束语 |
| 第九章 隧穿问题的数值算法 |
| 9.1 理论方法 |
| 9.2 巨形双势垒 |
| 9.3 三角形势垒 |
| 9.4 结束语 |
| 第十章 抛物形量子阱的共振隧穿 |
| 10.1 变换矩阵与透射系数 |
| 10.2 结构变化对抛物形量子共振隧穿的影响 |
| 10.3 结束语 |
| 第十一章 多抛物形量子阱的共振隧穿 |
| 11.1 变换矩阵与透射系数 |
| 11.2 多抛物阱的共振隧穿 |
| 11.3 结束语 |
| 第十二章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 在学期间撰写的论文 |
（5）基于WS2/二维金属范德华异质结电输运特性理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维材料简介 |
| 1.2.1 石墨烯研究进展 |
| 1.2.2 金属性过渡金属碳化物 |
| 1.2.3 过渡金属二硫化物 |
| 1.3 WS_2 的研究进展 |
| 1.3.1 WS_2 的制备 |
| 1.3.2 WS_2 结构与性质 |
| 1.3.3 WS_2 的应用 |
| 1.4 异质结 |
| 1.5 本文的研究思路及主要内容 |
| 第2章 理论计算方法 |
| 2.1 密度泛函理论 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 |
| 2.1.3 交换关联泛函 |
| 2.1.4 vd W修正 |
| 2.1.5 赝势方法 |
| 2.2 量子输运理论 |
| 2.2.1 非平衡格林函数 |
| 2.2.2 电导与电流 |
| 2.3 金属-半导体接触 |
| 2.3.1 肖特基接触 |
| 2.3.2 欧姆接触 |
| 2.3.3 隧穿势垒 |
| 第3章 Graphene/M_3C_2-WS_2(M=Cd,Hg,Zn)异质结电学特性 |
| 3.1 背景介绍 |
| 3.2 计算方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 XY_2-WS_2(X=Ta,V,Nb,Y=S,Se)异质结电学特性 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 计算方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 1T'/2H MoS_2异相结 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 计算方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间主要研究成果 |
| 一、发表学术论文 |
| 二、其它科研成果 |
（6）分析转移矩阵理论在一维波动力学中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 波动方程 |
| 1.1.1 一维标量波动方程 |
| 1.1.2 一维定态Schr(o|¨)dinger 方程 |
| 1.2 光波导与势阱 |
| 1.2.1 非对称光波导 |
| 1.2.2 非对称方势阱 |
| 1.3 隧道效应 |
| 1.3.1 光的耦合结构 |
| 1.3.2 势垒贯穿 |
| 1.4 本论文的主要内容与创新点 |
| 1.4.1 本文的内容安排 |
| 1.4.2 本文的主要创新点 |
| 参考文献 |
| 第二章 分析转移矩阵方法 |
| 2.1 转移矩阵及其基本性质 |
| 2.1.1 转移矩阵的建立 |
| 2.1.2 转移矩阵的基本性质 |
| 2.2 矩阵方法求解一维势场问题的例子 |
| 2.2.1 非对称方势阱 |
| 2.2.2 方势垒的隧穿系数 |
| 参考文献 |
| 第三章 子波以及精确的量子化条件 |
| 3.1 半经典近似理论的量子化条件 |
| 3.1.1 WKB 连接公式 |
| 3.1.2 WKB 近似的量子化条件 |
| 3.2 分析转移矩阵精确量子化条件 |
| 3.2.1 传输型能量本征值方程 |
| 3.2.2 位相型能量本征值方程 |
| 3.3 一维任意势阱 |
| 3.3.1 一维任意势阱的转移矩阵分析（ATM） |
| 3.3.2 转折点处的相移 |
| 3.3.3 子波的位相贡献 |
| 3.3.4 位相积分形式的能量本征值方程 |
| 3.3.5 波函数的计算 |
| 3.4 另一种推导方法 |
| 3.5 一维任意双势阱的能级分裂 |
| 3.5.1 一维方形双势阱 |
| 3.5.2 一维任意对称双势阱 |
| 参考文献 |
| 第四章 超对称量子化条件 |
| 4.1 超对称量子力学 |
| 4.1.1 超对称量子力学简介 |
| 4.1.2 SWKB 近似方法 |
| 4.2 超对称量子化条件解密 |
| 4.2.1 子波概念的引入 |
| 4.2.2 SWKB 量子化条件的解密 |
| 参考文献 |
| 第五章 势垒隧穿 |
| 5.1 有效质量为常数的一维任意形状势垒 |
| 5.1.1 ATM 反射系数 |
| 5.1.2 m=1 和m=2 的实例 |
| 5.1.3 起始点连续的ATM 透射系数 |
| 5.2 有效质量与位置有关的一维任意形状势垒 |
| 5.2.1 反射系数的推导 |
| 5.2.2 半导体单势垒结构 |
| 5.2.3 半导体双势垒结构 |
| 参考文献 |
| 第六章 量子反射 |
| 6.1 子波与量子反射 |
| 6.1.1 量子反射的研究进展 |
| 6.1.2 量子反射理论 |
| 6.1.3 ATM 理论的解释 |
| 参考文献 |
| 第七章 散射时间 |
| 7.1 子波与一维散射过程中的时间问题 |
| 7.1.1 隧穿时间和Hartman 效应 |
| 7.1.2 隧穿时间的相关实验 |
| 7.1.3 Winful 对群延迟的新诠释 |
| 7.2 普适反射时间公式 |
| 7.3 透射时间 |
| 7.3.1 普适的透射时间公式 |
| 7.3.2 子波与Hartman 效应 |
| 参考文献 |
| 第八章 总结与工作展望 |
| 8.1 本文主要工作与创新点 |
| 8.2 今后工作的展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间已发表或待发表的论文 |
（7）平顶光束操控物质波的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 第二章 原子光学概述 |
| 2.1 光和原子相互作用理论 |
| 2.2 原子的激光冷却和囚禁 |
| 2.3 原子光学 |
| 2.3.1 原子光学器件 |
| 2.3.2 原子光学的应用 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 平顶光束 |
| 3.1 平顶光束理论模型 |
| 3.1.1 圆形平顶光束 |
| 3.1.2 矩形平顶光束 |
| 3.1.3 环形平顶空心光束 |
| 3.2 平顶光束制备方法 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 等离子体光学和原子光学的类比 |
| 4.1 光在金属等离子体中的折射率 |
| 4.2 原子物质波在外场中的折射率 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 远蓝失谐平顶光束对原子物质波散射的研究 |
| 5.1 超冷原子与平顶空心光束相互作用 |
| 5.2 远蓝失谐平顶光束对平面物质波的散射 |
| 5.2.1 理论推导 |
| 5.2.2 数值结果和讨论 |
| 5.3 远蓝失谐平顶空心光束对高斯型物质波的散射 |
| 5.3.1 高斯波按平面波展开 |
| 5.3.2 波函数 |
| 5.3.3 数值结果和讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 用超高斯光模拟方势垒的研究 |
| 6.1 一维超高斯势垒散射的理论模型 |
| 6.2 超高斯势垒形状对方势垒模拟的影响 |
| 6.3 双超高斯势垒的共振隧穿现象 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）GaAs/AlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究（论文提纲范文）
| 作者简介 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 红外探测器发展简介 |
| 1.1.1 红外探测器概述 |
| 1.1.2 红外探测器材料 |
| 1.2 量子阱红外探测器材料、结构及器件物理 |
| 1.2.1 量子阱红外探测器概述 |
| 1.2.2 量子阱红外探测器材料与结构 |
| 1.2.3 QWIP 器件物理的研究 |
| 1.3 量子阱红外探测器国内外研究现状 |
| 1.3.1 国外研究的现状 |
| 1.3.2 国内研究的现状 |
| 1.4 量子阱红外探测器优点和不足 |
| 1.5 课题的背景及意义 |
| 1.5.1 课题立项依据 |
| 1.5.2 课题意义 |
| 1.6 课题主要工作 |
| 1.7 小结 |
| 第二章 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器工作原理 |
| 2.2.1 第一个 QWIP |
| 2.2.2 GaAs/AlGaAs QWIP 工作原理 |
| 2.2.3 GaAs/AlGaAs QWIP 跃迁模式 |
| 2.3 GaAs/AlGaAs QWIP 光耦合方式 |
| 2.4 GaAs/AlGaAs QWIP 主要性能参数 |
| 2.4.1 暗电流 |
| 2.4.2 伏安特性 |
| 2.4.3 响应特性 |
| 2.4.4 光谱响应特性 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 量子阱材料制备与测试平台及方法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 金属有机物化学气相沉积法（MOCVD） |
| 3.2.1 MOCVD 技术特点 |
| 3.2.2 MOCVD 设备 |
| 3.2.3 GaAs MOCVD 的生长 |
| 3.2.4 MOCVD 的技术关键 |
| 3.3 QWIP 测试系统设计 |
| 3.3.1 系统硬件设计 |
| 3.3.2 系统测试平台与仪器设备 |
| 3.3.3 系统软件设计 |
| 3.4 测试方法 |
| 3.4.1 光致发光光谱分析 |
| 3.4.2 高分辨透射电子显微技术 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP 光电特性及 HRTEM 研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 样品测试 |
| 4.3.1 量子阱失效测试与分析 |
| 4.3.2 暗电流测试与分析 |
| 4.3.3 伏安特性测试与分析 |
| 4.3.4 积分响应测试与分析 |
| 4.3.5 光谱响应测试与分析 |
| 4.4 实验结果 HRTEM 研究 |
| 4.4.1 样品制样 |
| 4.4.2 实验结果分析与探讨 |
| 4.5 样品 PL 谱研究 |
| 4.5.1 样品 PL 谱实验 |
| 4.5.2 实验结果分析与探讨 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 势垒高度对 GaAs/AlxGa1-xAs QWIP 光电特性的修饰 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 量子阱结构参数设计与制备 |
| 5.2.1 量子阱结构参数设计 |
| 5.2.3 样品制备 |
| 5.3 样品测试与分析 |
| 5.3.1 响应特性测试与分析 |
| 5.3.2 暗电流测试与分析 |
| 5.3.3 伏安特性测试与分析 |
| 5.3.4 峰值探测率 |
| 5.3.5 光谱响应测试与分析 |
| 5.3.6 数据分析与处理 |
| 5.4 实验结果分析与探讨 |
| 5.4.1 样品界面形貌 HRTEM 分析 |
| 5.4.2 实验结果探讨 |
| 5.4.3 样品 PL 分析 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 势阱宽度对 GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP 光电特性的影响 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 量子阱能级设计 |
| 6.3 样品制备 |
| 6.4 样品测试与分析 |
| 6.4.1 暗电流测试与分析 |
| 6.4.2 响应特性测试与分析 |
| 6.4.3 伏安特性测试与分析 |
| 6.4.4 峰值探测率 |
| 6.4.5 光谱响应测试与分析 |
| 6.4.6 光致荧光光谱测试与分析 |
| 6.5 样品 HRTEM 研究 |
| 6.5.1 二维量子阱中的电子态 |
| 6.5.2 样品 HRTEM 形貌 |
| 6.5.3 光谱响应结果 HRTEM 分析 |
| 6.5.4 光致荧光谱测试结果 HRTEM 分析 |
| 6.6 小结 |
| 第七章 结束语 |
| 7.1 本文总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 |
| 学术论文 |
| 参加研究的科研项目 |
（9）在典型半金属及贵金属上的表面在位反应机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 表面在位反应 |
| 1.3 原子级精确制备低维纳米结构 |
| 1.4 课题研究内容及意义 |
| 第2章 实验技术和计算方法介绍 |
| 2.1 表界面电子结构表征方法 |
| 2.1.1 X射线光电子能谱原理 |
| 2.1.2 紫外光电子能谱 |
| 2.2 界面形貌结构表征 |
| 2.2.1 扫描隧道显微镜原理 |
| 2.3 第一性原理计算及相关软件介绍 |
| 2.3.1 密度泛函理论 |
| 2.3.2 第一性原理计算在STM仿真模拟中的应用 |
| 2.3.3 NEB计算反应势垒的原理 |
| 第3章 Au(Ⅲ)表面H-Br辅助的分子自组装相稳定性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验和计算细节 |
| 3.3 结果和讨论 |
| 3.4 结论 |
| 第4章 Au(Ⅲ)表面增原子辅助的2,7-二溴芘乌尔曼反应机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验和计算细节 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.4 结论 |
| 第5章 酞氰分子在半金属表面上的金属化反应及界面电子结构研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验和计算细节 |
| 5.3 结果和讨论 |
| 5.4 结论 |
| 第6章 对金属酞菁分子中心原子的调控及机制研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验和计算细节 |
| 6.3 结果和讨论 |
| 6.4 结论 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（10）半导体和有机物材料的自旋注入研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 金属中的自旋电子学 |
| 1.1.1 巨磁阻效应 |
| 1.1.2 磁性隧道结 |
| 1.2 半导体和自旋电子学 |
| 1.2.1 阻抗失配问题 |
| 1.2.2 半导体材料的自旋注入和探测 |
| 1.3 本文的研究内容和论文结构安排 |
| 1.3.1 本文的研究内容 |
| 1.3.2 论文结构安排 |
| 1.4 总结 |
| 第二章 材料的制备与表征方法 |
| 2.1 分子束外延生长和原位监控 |
| 2.1.1 分子束外延生长 |
| 2.1.2 反射式高能电子衍射仪原位监控 |
| 2.2 薄膜的表征 |
| 2.2.1 透射电子显微镜 |
| 2.2.2 原子力显微镜和压电力显微镜 |
| 2.2.3 振动样品磁强计和超导量子干涉仪 |
| 2.3 器件制备和表征 |
| 2.3.1 器件制备 |
| 2.3.2 器件表征 |
| 第三章 GaAs基自旋发光二极管 |
| 3.1 自旋发光二极管 |
| 3.1.1 自旋发光二极管概念和光选择定则 |
| 3.1.2 自旋发光二级管的潜在应用 |
| 3.2 GaAs基自旋发光二极管的研究现状 |
| 3.2.1 平行于面内的自旋注入结 |
| 3.2.2 垂直于面内的自旋注入结 |
| 3.2.3 具有垂直磁各向异性的CoFeB/MgO自旋注入结 |
| 3.3 包含单层InAs量子点的GaAs spin-LED的自旋注入研究 |
| 3.3.1 样品制备 |
| 3.3.2 磁场依赖关系 |
| 3.3.3 偏压依赖关系 |
| 3.3.4 温度依赖关系 |
| 3.4 总结 |
| 第四章 迈向GaN基自旋发光二极管 |
| 4.1 GaN基自旋发光二极管的研究进展 |
| 4.1.1 GaN基自旋发光二极管的应用优势 |
| 4.1.2 研究进展 |
| 4.1.3 研究工作的局限性 |
| 4.2 在GaN上开发具有垂直磁各向异性的自旋注入结 |
| 4.2.1 研究背景 |
| 4.2.2 GaN基板的表征 |
| 4.2.3 在GaN基板上生长MgO层 |
| 4.2.4 Fe/MgO自旋注入结的生长 |
| 4.2.5 在GaN上开发具有垂直磁各向异性的Co/MgO自旋注入结 |
| 4.3 GaN基发光二极管中的自旋注入 |
| 4.3.1 n-i-p型GaN基发光二极管结构 |
| 4.3.2 GaN spin-LED的器件工艺和电流-电压特性表征 |
| 4.3.3 极化分辨的电致发光谱测量 |
| 4.4 总结 |
| 第五章 有机多铁性隧道结中自旋极化的铁电控制 |
| 5.1 介绍 |
| 5.1.1 多铁性隧道结的原理 |
| 5.1.2 自旋极化的铁电控制 |
| 5.1.3 有机多铁性隧道结 |
| 5.2 PVDF:Fe_3O_4纳米复合物做势垒的有机多铁性隧道结 |
| 5.2.1 研究背景 |
| 5.2.2 器件制备 |
| 5.2.3 形貌表征 |
| 5.2.4 铁电表征 |
| 5.2.5 磁性表征 |
| 5.2.6 磁输运表征 |
| 5.3 总结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
四、电子在一维方势垒顶部的透射（论文参考文献）
- [1]电子在一维方势垒顶部的透射[J]. 李存志,宋金茂. 电子科技, 1996(01)
- [2]界面调控对二维异质结电学特性影响的理论研究[D]. 张志远. 齐鲁工业大学, 2020(02)
- [3]石墨烯纳米器件中的电子输运[D]. 施一剑. 浙江大学, 2015(03)
- [4]量子力学中的若干问题[D]. 李存志. 西安电子科技大学, 1999(01)
- [5]基于WS2/二维金属范德华异质结电输运特性理论研究[D]. 窦昊运. 齐鲁工业大学, 2021(10)
- [6]分析转移矩阵理论在一维波动力学中的应用[D]. 殷澄. 上海交通大学, 2011(12)
- [7]平顶光束操控物质波的理论研究[D]. 李佳欣. 华东师范大学, 2020(11)
- [8]GaAs/AlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究[D]. 胡小英. 西安电子科技大学, 2013(10)
- [9]在典型半金属及贵金属上的表面在位反应机理研究[D]. 胡金棒. 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2020(01)
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