一、大面积集成电路与电子計算机（论文文献综述）
刘伟岩[1]（2020）在《战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角》文中提出2008年经济危机后,为摆脱经济下行的轨道,美国、日本、德国先后提出了“重振制造业”（2009年）、日本版“第四次工业革命”（2010年）、“工业4.0”（2012年）等战略计划,而我国也于2015年提出了“中国制造2025”的行动纲领。这些战略规划的陆续出台拉开了以大数据、云计算、物联网（Io T）、人工智能（AI）等为标志的新一轮科技革命的帷幕。而作为第二经济大国,我国应如何借助于这一难得机遇来推动国内产业升级则成为亟待思考的问题。回顾日本走过的“路”可知,其也曾作为“第二经济大国”面临过相似的难题,且从中日经济发展历程比较和所面临的“三期叠加”状态来看,我国现阶段也更为接近20世纪70年代的日本,而日本却在当时的情况下借助于以微电子技术为核心的科技革命成功地推动了国内产业的改造升级。基于此,本文以日本为研究对象并将研究阶段锁定在其取得成功的战后至20世纪80年代这一时期,进而研究其所积累的经验和教训,以期为我国接下来要走的“路”提供极具价值的指引和借鉴。在对熊彼特创新理论以及新熊彼特学派提出的技术经济范式理论、产业技术范式理论、国家创新体系理论和部门创新体系理论等进行阐述的基础上,本文借助于此从创新体系的视角构建了“科技革命推动产业升级”的理论分析框架,即:从整体产业体系来看,其属于技术经济范式转换的过程,该过程是在国家创新体系中实现的,且两者间的匹配性决定着产业升级的绩效;而深入到具体产业来看,其又是通过催生新兴产业和改造传统产业来实现的,对于此分析的最佳维度则是能够体现“产业间差异性”的部门创新体系,同样地,两者间的匹配性也决定着各产业升级的成效。回顾科技革命推动日本产业升级的历程可知,其呈现出三个阶段:20世纪50～60年代的“重化型”化,70～80年代的“轻薄短小”化,以及90年代后的“信息”化。其中,“轻薄短小”化阶段是日本发展最为成功的时期,也是本文的研究范畴所在。分析其发生的背景可知:虽然效仿欧美国家构建的重化型产业结构支撑了日本经济“独秀一枝”的高速发展,但在日本成为第二经济大国后,这一产业结构所固有的局限性和问题日渐凸显,倒逼着日本垄断资本进行产业调整;而与此同时,世界性科技革命的爆发恰为其提供了难得的历史机遇;但是这种机遇对于后进国来说在一定意义上又是“机会均等”的,该国能否抓住的关键在于其国内的技术经济发展水平,而日本战后近20年的高速增长恰为其奠定了雄厚的经济基础,且“引进消化吸收再创新”的技术发展战略又在较短的时间内为其积累了殷实的技术基础。在这一背景下,借助于上文所构建的理论分析框架,后文从创新体系的视角解释了战后以微电子技术为核心的科技革命是如何推动日本产业升级以及日本为何更为成功的。就整体产业体系而言,科技革命的发生必然会引致技术经济范式转换进而推动产业升级,且这一过程是在由政府、企业、大学和科研机构以及创新主体联盟等构建的国家创新体系中实现的。战后科技革命的发源地仍是美国,日本的参与借助的是范式转换过程中创造的“第二个机会窗口”,换言之,日本的成功得益于对源于美国的新技术的应用和开发研究,其技术经济范式呈现出“应用开发型”特点。而分析日本各创新主体在推动科技成果转化中的创新行为可以发现,无论是政府传递最新科技情报并辅助企业引进技术、适时调整科技发展战略和产业结构发展方向、制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度、采取措施加速新技术产业化的进程、改革教育体制并强化人才引进制度等支持创新的行为,还是企业注重提升自主创新能力、遵循“现场优先主义”原则、实施“商品研制、推销一贯制”、将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节以及培训在职人员等创新行为,或是大学和科研机构针对产业技术进行研究、重视通识教育和“强固山脚”教育以及培养理工科高科技人才等行为,亦或是“政府主导、企业主体”型的创新主体联盟联合攻关尖端技术、建立能够促进科技成果转化的中介机构、联合培养和引进优秀人才等行为都是能够最大限度地挖掘微电子技术发展潜力的。而这种“追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式间的相匹配正是日本能够更为成功地借力于战后科技革命推动产业升级的根因所在。进一步地从具体产业来看,科技革命引致的技术经济范式转换表现为新兴技术转化为新兴产业技术范式和改造传统产业技术范式的过程,这也是科技革命“双重性质”的体现。而对这一层面的分析则要用到能够体现“产业间差异性”的部门创新体系。在选取半导体产业和计算机产业作为新兴产业的代表,以及选取工业机器产业（以数控机床和工业机器人为主）和汽车产业作为微电子技术改造传统机械产业的典型后,本文的研究发现:由于这些产业在技术体制、所处的产业链位置、所在的技术生命周期阶段等方面的不同,其产业技术范式是相异的,而日本之所以能够在这些产业上均实现自主创新并取得巨大成功就在于日本各创新主体针对不同的产业技术范式进行了相应的调整,分别形成了与之相匹配的部门创新体系。而进一步比较各部门创新体系可知,日本政府和企业等创新主体针对“催新”和“改旧”分别形成了一套惯行的做法,但在这两类产业升级间又存在显著的差异,即:日本政府在“催新”中的技术研发和成果转化中均表现出了贯穿始终的强干预性,尤其是在计算机产业上;而在“改旧”中则干预相对较少,主要是引导已具备集成创新能力的“逐利性”企业去发挥主体作用。作为一种“制度建设”,创新体系具有“临界性”特点且其优劣的评析标准是其与技术经济范式的匹配性。日本能够成功地借力于以微电子技术为核心的科技革命推动国内产业升级的经验就在于其不仅构建了与当时技术经济范式相匹配的国家创新体系,而且注重创新体系的层级性和差异性建设,加速推进了新兴产业技术范式的形成,并推动了新旧产业的协调发展。但是,这种致力于“应用开发”的“追赶型”创新体系也存在着不可忽视的问题,如:基础研究能力不足,不利于颠覆性技术创新的产生,以及政府主导的大型研发项目模式存在定向失误的弊端等,这也是日本创新和成功不可持续以致于在20世纪90年代后重新与美国拉开差距的原因所在。现阶段,新一轮科技革命的蓬勃兴起在为我国产业升级提供追赶先进国家的“机会窗口”的同时,也为新兴产业的发展提供了“追跑”“齐跑”“领跑”并行发展的机遇,并为传统产业的高质量发展带来了难得的机会。由于相较于20世纪70年代的日本,我国现阶段所面临的情况更为复杂,因此,必须构建极其重视基础研究且具有灵活性的国家创新生态体系,重视部门创新体系的“产业间差异性”,形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系,以及建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系等。
吴殿仲[2]（2019）在《基于二维黑磷和硫化钼半导体纳米材料的场效应晶体管》文中研究指明现代信息社会的基石是超大规模集成电路,而集成电路的基本构建单元就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。上个世纪六十年代,英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:一个芯片上所集成的晶体管数目每隔18-24个月增加一倍,其性能增加一倍,而价格减少一倍。商业化的硅基场效应晶体管随着加工工艺和技术创新的不断进步,晶体管尺寸已经接近物理极限,摩尔定律的延续面临着重大挑战,需要寻找新的电子器件技术来继续推动未来集成电路技术的发展。二维半导体材料,包括黑磷和硫化钼,具有优异的静电控制特性和较高的载流子迁移率,可能成为延续摩尔定律的新材料。本文以黒磷、硫化钼为沟道材料采用微纳加工技术制备了高性能场效应晶体管,研究了其输运特性,并构建了简单的集成电路,主要内容如下:（1）黑磷场效应晶体管及其钝化技术。通过机械剥离的方法得到层状黒磷,利用微纳加工的方法制备了黑磷场效应晶体管,通过电子束蒸发在沟道上沉积金属锡薄膜,再经过自然氧化生成一层平整、致密的氧化锡薄膜,能够有效的隔绝空气中的水,从而阻止空气中的水蒸气和氧气联合破坏黑磷,起到了保护黑磷晶体管的作用。利用半导体测试仪器研究了器件在空气中的稳定性,发现沉积了锡的器件,其空穴的迁移率,器件的开关比、最大电流和亚阈值摆幅能在空气中保持15天以上,实现了对黒磷为沟道材料的场效应晶体管的良好的钝化保护作用。（2）基于黑磷的n型顶栅场效应晶体管。采用黑磷作为沟道材料制备场效应晶体管,在沟道上生长氧化锡作为缓冲层,再用原子层沉积（ALD）生长的氧化铪薄膜作为栅介质,制备了顶栅晶体管。氧化锡一方面在ALD生长过程中保护黑磷沟道,另一方面与氧化铪共同实现了对黑磷的电子掺杂,从而实现了高性能的黑磷n型场效应晶体管。（3）基于化学气相沉积（CVD）生长的单层硫化钼晶体管和集成电路。利用CVD的方法在300 nm氧化硅的硅片上生长出了大面积、高质量的单层硫化钼薄膜,用微纳加工的方法,采用了低温生长氧化铪的工艺制备了顶栅的单层硫化钼场效应晶体管,其迁移率达到了36.4 cm2V-1s-1。采用TLM（transfer length method）的方法提取了金属钛与单层硫化钼的接触电阻,研究了接触电阻和沟道长度的关系,并制备了简单的集成电路演示。
吕延晓[3]（2007）在《紫外光/电子束（UV/EB）固化的应用现状与发展前景（十三）》文中研究指明
尹飞飞[4]（2017）在《有机薄膜晶体管模型建立及其集成电路设计》文中研究指明以有机薄膜晶体管（OTFT）为基础的有机电路以其特有的材料和工艺优势,正成为备受关注的研究热点,以有机射频识别标签（ORFID）为代表的有机集成电路将成为传统硅基集成电路的有益补充,乃至进一步的替代。本文基于大规模有机集成电路的EDA设计方法,建立了 OTFT可用于SPICE仿真的器件模型,同时实验制备选取性能最优的OTFT器件,作为基础器件,为其构建器件模型,设计了一款有机模数转换器（OADC）电路,并采用HSPICE软件完成了其功能的验证与性能的仿真,给出了最终工艺掩膜版版图。电路仿真结果满足预期的要求,验证了提出OTFT模型的实用性,为大规模有机集成电路的设计,生产及应用奠定了基础。首先,本文为有机集成电路的基础器件——OTFT,建立了可用于SPICE仿真的器件模型。OTFT器件中,载流子传输机制复杂,用物理方法很难对其进行分析,因此模型基于OTFT沟道中的电流电压传输特性,引入了载流子迁移率的经验公式及迁移率幂律参数γa来研究沟道载流子迁移率μFET随栅压Vgs的变化趋势及其载流子传输机制。此外,考虑到OTFT结构及材料的特性,模型中引入了对其沟道电流的影响不可忽略的漏、源接触电阻RS、RD;同时,基于沟道长度调制效应、沟道中陷阱和表面散射所产生的载流子速度饱和以及泄漏电流的影响,引入了沟道长度调制系数λ、弯曲经验参数m、饱和调制参数αsat、泄漏电流参数SIGMA0、场效应迁移率的特征电压Vaa等经验参数,建立完整的OTFT电流电压模型,并对其提出了一种提取模型中经验参数的方法,通过对实验测得的OTFT器件的输出特性曲线和转移特性曲线进行相应的计算和处理,准确地获得模型中的7个经验参数。实验制备了一种基于并五苯（Pentacene）的底栅顶接触（TC）结构的OTFT,并对其进行参数提取,构建其可用于SPICE仿真的器件模型,对其电流电压特性进行模拟,得到的仿真结果与测试结果相比较发现,该OTFT的输出特性和转移特性曲线无论在线性区还是在饱和区,仿真曲线和测试曲线都具有较强的一致性,验证了建立的OTFT器件模型及其参数提取方法的精确性。其次,本文制备了不同物理参数,不同绝缘层材料的OTFT,通过对其性能进行研究,确定可设计的物理参数,并为设计的有机集成电路选取性能优良的基础器件。首先,为了研究OTFT沟道宽长W/L,以及绝缘层厚度tox等物理参数对器件性能的影响,以Si为衬底,SiO2为绝缘层,Pentacene为有源层,分别制备了不同绝缘层厚度tox的OTFT,和不同沟道宽长W/L的绝缘层,通过对比提取的参数发现,所有OTFT器件均有载流子迁移率幂率参数γaa>0,表现为载流子的有效迁移率随栅压增大而增大,这说明,制作的OTFT表现出与非晶硅和纳米晶硅TFT相类的传输机制,其载流子传输机制中,跳跃机制占据主导地位;此外,对比不同绝缘层厚度的OTFT器件发现,载流子迁移率μFET会随着栅绝缘层厚度的逐渐增加而减小,说明其对绝缘层厚度tox有一定的依赖性,对比其它模型参数发现也存在较大差异,这说明,不同绝缘层厚度的OTFT器件,其模型内的参数值不同,因此,他们在电路设计中不能够应用同一个OTFT器件模型,因此绝缘层厚度tox不能够作为可设计参数。而通过对不同沟道宽长W/L OTFT提取载流子迁移率μFET等参数,并进行对比发现,它们的载流子迁移率μFET以及其他参数均差异很小,说明同种工艺,同种结构的器件,沟道宽长W/L不同,绝缘层厚度相同时,可采用具有相同经验参数的同一个OTFT模型,将沟道宽长W/L作为可设计的参数,进行器件和电路的仿真。此外,实验制备了基于不同栅绝缘层材料的OTFT,并通过提取载流子迁移率等参数对其性能进行比较分析,结果发现,基于PVP栅绝缘层的OTFT器件的性能最优,因而将其选定为设计电路的基础器件。最后,以选取的性能较优的基于PVP绝缘层的OTFT为基础器件,并利用所提取的该器件的经验参数,建立其用于电路设计模拟的SPICE模型,设计了一款4位逐次逼近型（SAR）模数转换电路,采用H-SPICE仿真工具对其性能进行仿真验证,并根据设计的电路完成了相应的掩膜版版图设计。设计的SAR型ADC,在 100Hz 采样频率下,性能如下:DNL=0.55LSB,INL=0.55LSB,SFDR=31.5dB,SNDR=21dB,有效位数3.2位,在60V电源电压下,平均电流298μA,整体电路使用OTFT共409个。设计结果表明所建立的OTFT器件模型及使用的参数提取方法可以有效的应用在有机集成电路设计中,可以为大规模有机集成电路提供较为精确的预测。
王厚邦[5]（1978）在《国外电子计算机发展和化工材料》文中认为有关化工材料和化工产品在电子计算机发展中的作用和它们在电子计算机中的应用还没有见到有专文叙述过。本文对这个问题作一初步探讨。由于篇幅有限,不能对每一材料作较详细的说明,又由于学识有限,遗漏错误之处难免,请读者批评指正。
刘炳坤[6]（1986）在《真空科学在电子器件中应用的新发展》文中研究表明真空科学与技术过去曾经是、将来也必然是许多其它有关科学技术赖以发展的核心。由于真空科学技术的不断发展,真空环境、真空检测与诊断、以及真空中机械运动和监控手段不断得到完善和改进,由此必然引起工艺技术的革命性变化,从而产生新的工艺技术来推动其它学科突飞猛进的变革和前进,而这些新型工艺技术的出现和应用,反过来又推动真空科学技术本身的发展,这就是迄今真空科学技术发展的历史。这一点尤其是在电子学方面表现得更为突出。众所周知,真空的发现曾对白炽灯泡的发明起过决实性的作用,接着电真空器
顾海[7]（2000）在《高新技术产业化论》文中提出本文从理论、实证和实践三个层面对高新技术产业的产生、运行机制和成长路径进行了全面而系统的研究论证，并对推进我国高新技术产业化进程提出了有关对策和建议。 本文共有三个部分十一章 第一部分从第一章至第五章，是理论探索部分。运用了科学技术理论、技术创新理论、国家创新系统理论、产业结构理论、经济增长理论、国际产业转移理论研究了高新技术产业化问题，构建了高新技术产业化问题的理论分析框架，研究内容遵循以下的逻辑思路进行： 科学知识和技术是技术创新和高新技术重要基础和源动力，而技术创新又是经济发展的第一推动力。人们利用现有的科学原理进行创新，而其中突破性创新和根本性创新会诞生高新技术，而且极有可能形成新兴产业，高新技术实现产业化过程是其各个系统如动力系统，转化系统和环境系统以及保护机制等到共同协同的结果，一旦形成高新技术产业化并且发展成熟，又由于是新兴产业具有很强的先导作用，是主导产业，会通过前向联系和后向联系以及旁侧效应对其它新兴产业产生技术带动作用，同时对传统产业进行高技术渗透，从而带动整个产业的技术结构水平提高，实现以产业结构不平衡增长为手段达到平衡增长的目的，使产业结构升级优化。此外，在考虑国际因素时，应充分考虑国际产业转移的有利机遇，适时调整产业结构，推动国民经济持续稳定协调向前发展。 第二部分是实证分析，为第六章。 本章以江苏为例，通过建立数量模型，以近十年的数据统计分析研究了高新技术产业对GDP贡献以及它们之间的相关性；其次以人材、资金、科技成果三要素对高新技术产业产值增长率和不同时期的贡献率影响分析，从而进一步探讨这些要素在高新技术产业化过程不同时期的影响特点。 第三部分从第七章至第十一章，是实践部分 阐述高新技术及产业化的实践中，信息产业及新兴产业占有非常重要的地位和作用，往往以它们的发展为先导和支撑点，带动整个经济协调发展。通一 乙‘过建立高新技术园区，包括科技园区、孵化区、生产力促进中心等，显示了其示范效应和发展模式，同时也促进了非高新区的技术进步和经济发展。而这整个过程都离不开投资凤险基金的扶持，因为高新技术及其产业不仅是知识、技术密集型产业，同时从某种意义上说也是资金密集型产业，这与其自身发育成长的特点有着密切的联系。论文还提出了如何以市场为导向，使更多、更好的高新技术成果尽快地转化为现实生产力，实现产业化，产、学、研结合是最佳现实途径，最后结合中国的国情提出相应发展高新技术及其产业的对策和建议。
谢春蕾[8]（2014）在《应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究》文中研究指明在摩尔定律的驱动下,集成电路的晶体管密度每两年翻一倍,在保持生产成本不变的前提下,提高电路的性能,降低功耗。在过去的五十多年里,作为集成电路生产中的关键技术,光刻技术的发展成功将晶体管的尺寸从毫米级缩小到了纳米级。光刻光源波长的缩小一直是光刻技术发展的主要手段,然而,其缩小速度远小于集成电路特征尺寸的缩小速度。自从250nm工艺节点开始,光刻技术进入了亚波长光刻阶段——光刻光源的波长大于所要生产的图形的最小尺寸。分辨率增强技术也由此应用而生,以解决光刻过程中发生的图形畸变问题。光学邻近校正技术作为应用最为广泛,最为有效的分辨率增强技术之一,通过对光刻掩模板上图形的修改达到提高光刻保真度的目的。发展到目前,最先进的光刻技术在使用193nm波长的光源生产特征尺寸为22nm/17nm的芯片。生产图形的尺寸只有光源波长的十分之一左右,光刻技术发展进入了一个新的阶段——深亚波长光刻阶段。相应的,深亚波长光刻技术对光学邻近校正也提出了新的挑战和要求——新的设计类型和更高的图形密度,更高的校正效率和校正精度。本文分别针对光学邻近校正中光刻仿真、图形切割和层次结构处理三个步骤提出了新的解决方法,以满足深亚波长光刻的需要。这些新方法被应用于自有的光学邻近校正软件ZOPC中,并成功处理了多个工业界产品。本文的主要内容和创新点概括如下：针对一维版图的快速光刻仿真。在现代集成电路生产过程中,快速平面光刻仿真对集成电路版图优化和光刻系统优化都具有至关重要的意义。随着集成电路生产工艺进入“深亚波长光刻”阶段,一维版图设计规则被广泛研究和采用。本文充分利用光刻系统中光源的部分相干特性和一维图形的特性,提出了针对一维版图的快速平面光刻仿真算法。该方法由一维基元图形查表法、最小查找表及其边缘延伸和无切割的大面积版图仿真组成。仿真结果表明,在保证极高准确性的基础上,相比于传统的快速仿真方法,该方法将查找表的建立时间缩短了95%以上、基本图形的仿真速度提高了48%左右、大面积版图的仿真速度提高了70%以上。面向集成电路功能性和成品率的图形切割方法。随着集成电路特征尺寸的不断缩小,集成电路生产过程中掩模数据量的不断增长,极大的增加了生产成本。应用于掩模版图的光学邻近校正增加了版图的复杂度,是成本增长的原因之一。本文提出了一种全新的切分方式,基于对版图中影响成品率的图形的识别,该切分方法可以在保证关键部位的校正质量的同时,简化校正后版图的复杂度,减少最终掩模版图的数据量。实验结果显示使用该切分方法得到的掩模版图数据量大小只有通过传统方法得到的一半左右,校正时间也减少到了传统方式的四分之一左右。针对阵列式版图和随机逻辑电路版图采用不同策略的混合式层次结构处理方法。随着集成电路技术的不断发展,一套集成电路版图中所含有的图形数量在急速增加,数据量也相应的飞速增长。传统的集成电路设计工具往往将设计版图按照一定的层次结构来储存,通过数据的重用来提高存取速度和处理效率。本文提出了针对阵列式版图和随机逻辑电路中不同的版图特点,采用不同策略的混合式层次结构处理方法。该方法在保证校正精度的前提下,最大限度的减少校正过程中的冗余运算,提高校正效率,降低校正时间,并有效减少了校正后版图的数据量。实验结果显示,与传统的扁平式校正方法相比,混合式层次处理方法可以将校正时间和校正后版图数据量分别减少80%和90%以上。实验和流片结果则双双验证了该方法的准确性。
刘尊全[9]（1973）在《电子计算机的发展现状及应用》文中研究指明 近年来由于电子计算机的迅速发展,它的应用范围日益广泛,目前已深入到国民经济的各个领域,越来越多地引起人们的重视。 电子计算机到目前还只有二十多年的历史,但已发展成为一门极其重要的尖端技术。自从1947年美国建造了第一台电子数字计算机ENIAC,到现在,许多国家建立了计算机工业体系,并且从1965年开始形成一门独立的计算机科学。目前全世界约有16万台电子数字计算机在运行,用于科学计算、实时控制、数据处理和生产过程的自动化等方面。近年来电子计算机产量增加非常迅速,每年近2万台之多。
赵长江[10]（2014）在《刑事电子数据证据规则研究》文中认为在2012年刑事诉讼法修订之前,学界关于“电子数据”的研究是纯粹的理论研究,其研究重点是探讨电子数据的独立性及特点,司法实践中对电子数据一般也是通过转化成鉴定意见或书证进行使用。2012年修订的《刑事诉讼法》将“电子数据”明确规定为独立的证据种类,电子数据在法律上的独立性获得肯定。此后,学界在刑事诉讼法这一规定的基础上,基于现行法开始对“电子数据”展开研究。由于法律和相关司法解释并没有对电子数据的内涵和外延进行进一步界定,这对理论研究和司法实践均造成了一定的困扰。特别是在证据法领域,电子数据究竟如何界定,这一新型证据种类对现行的证据概念、证据分类体系有何冲击;与现行证据种类中的视听资料、书证和物证如何区分;什么样的电子数据具有可采性,电子数据的传闻规则、最佳证据规则、排除规则有何种特殊之处;如何应对越来越复杂的新型证据（如云数据、加密数据）;对证明力规则是否有影响等等,这些问题就成为了刑事证据法应关注的重要问题。本论文从电子数据的基本概念入手,重述了电子数据的概念及对证据规则有影响的四个特点和六种分类,在此基础上,对电子数据的鉴真规则、可采规则及证明力评判进行了深入地分析。全文逾十五万字,共有六章十七节:第一章对“电子数据”这一术语在刑事法领域的使用和研究历程进行了回顾,并通过对“电子”和“数据”的深入分析,界定了电子数据内涵和外延,即:借助现代信息技术、利用电子设备生成、存储、传输而成的,以电子形态存在的证明案件事实的数据（包括模拟数据与数字数据）,可简言之为“以电子形态存在的数据”。电子数据是以“数据”形态来证明案件事实的一个证据种类,以材料说的观点来看,证据内容是“信息”,即案件事实的信息;证据载体是“数据”（数字数据或模拟数据）,案件“信息”是依附于“数据”这一载体上。电子数据与相关理论概念有何区别?电子数据与电子证据应等同视之、没有区分的必要,一没有理论价值,二没有实践意义,出于学术研究的习惯性考虑,可以允许电子证据作为“电子数据证据”的简称。电子数据与计算机证据、数字证据是包含关系,计算机证据、数字证据是电子数据的一个类别,是其种概念,不应存在交叉关系。电子数据与科学证据比较,只有“科学检验型”的电子数据才是科学证据,“科学描述型”的电子数据不属于科学证据,两者系交叉关系,上述概念从不同的角度提示了电子数据的不同特性。第二章对电子数据对证据规则有影响的特点和分类进行了详细的分析。电子数据对于传统证据理论的贡献在于产生了新的证据存在形态,即“数据”形态。基于波普尔三个世界的理论,证据除了可以存在于现实空间的人和物之上,还可以存在于虚拟空间之中,从依附于人或物的载体之上,变成了依附于虚拟空间的“数据”的载体之上,因此电子数据的首要特性是“虚拟空间的数据形态”。电子数据具有丰富的表现形态,本身具有“多重证据的属性”。因此,在处理电子数据的证据规则时,先首先对该电子数据进行识别,再分别适用物证、书证和人证的规则。电子数据容易被修改比较脆弱,但由于它同时可以被恢复及记录操作行为,因此系“脆弱性与稳定性并存”矛盾综合体。由于电子数据的脆弱性需要专业判断,因此,脆弱性仍然是电子数据适用时应首要考虑的要素。电子数据与其他类型的证据相比,可实现再生（复制、传输、存储等）无损耗,可实现精确的复制,多次复制也无损耗,可以真实记录原始数据所记载的案件事实信息,实现“无损耗再生”。以上四大特点直接导致了电子数据相关证据规则的特殊性。电子数据依不同的标准可划分为不同类别。根据证明内容的不同,电子数据可划分为事实信息数据和鉴真信息数据。事实信息数据用来证明案件事实的数据;鉴真信息数据是指证明电子数据真实性的数据,一般是指数据电文在生成、存储、传输、修改、增删这一过程中引起的相关记录以及数据运行时所处的系统环境数据,其意义在于证明该电子数据的客观真实性。根据电子数据是否处于形成或传输之中的状态,可以把电子数据分为静态电子数据和动态电子数据,该分类有利于深化对电子取证对人权保障的冲击。根据电子数据生成时电子设备与人的交互关系,可以把电子数据分了电子生成数据、电子存储数据与人机交互证据。电子生成数据系电子设备自动生成,没有人为的因素,适用物证的规则。电子存储数据如果包含了人的陈述,应同时考虑适用书证和人证的规则;电子交互数据系人机交互形成,应考虑适用物证和人证的规则。按电子数据是否直接来自原始出处,可以将电子数据分为原始电子数据与传来电子数据,对于电子数据而言,原始证据与传来证据之区分可能没有意义,因为传来证据可以与原始证据完全一致。根据电子数据是否加密,可以分为加密数据与非加密数据,此类分类主要考虑加密技术对取证难度的增加,进而考虑在嫌疑人拒不提供密码时可做出对其不利的推论。根据电子数据所处的网络环境,可分为封闭电子数据与网络电子数据,此种分类的意义在于提示电子数据取证应提取全面的信息,否则构成证据瑕疵。第三章对电子数据给现行证据分类体系造成的冲击进行了深入地分析。从国际范围上看,电子数据这一证据形态在世界各国的司法实践中均开始大量出现,但从立法上看,大多数国家没有把电子数据作为法定独立的证据形态予以规定,一般通过扩大书证的办法容纳电子数据。我国在立法中明确将电子数据作为一种独立的证据形态,系我国诉讼法特定的证据分类模式下的独创性规定。由于电子数据与其他数据在分类标准上的不同,造成了同一种材料依不同的标准可划分为不同证据种类的尴尬局面,在逻辑上和实践中均造成一定的混乱。为化解此类尴尬局面,应取消视听资料,划入电子数据;凡是以“数据”形态展现的书证、物证均应划分至电子数据这一门类,同时承认电子数据既有“数据”属性,又具有物证、书证、人证的属性,即电子数据系多重证据属性的证据,要考虑适用不同的证据规则。第四章研究了电子数据鉴真规则的可行性。具备关联性的电子数据,应通过鉴真判断其真实性,以此证明证据提出者所提出之证据就是其所主张之证据。电子数据的鉴真是指证据提出者证明其举示的电子数据为所主张电子数据的诉讼行为和义务,实现的方法主要是提出证据形式相关性及过程合法性的证据材料,其目的是确认电子数据真实性,同时确保依据真实的证据而做出裁判。鉴于电子数据的脆弱性以及电子数据中均包括生成、存储、传输等实物证据性质的信息,鉴真应当成为一切电子数据可采的首要规则。电子数据鉴真的证明责任不是由控方、而应由证据举示方承担,辩方在举示电子数据抗辩时也应承担鉴真的责任。鉴真的证明标准达到优势证据即可,无须实现排除合理怀疑。电子数据的鉴真,可以采用实物证据鉴真的通用方法,通过举示合法来源证明、证据保管链证明以及旁证证明实现鉴真,但更应该通过特殊方法进行鉴真。这些方法包括对鉴真信息的使用、特征值的识别与比对以及电子数据专用软件的使用。除此而外,特定类型的电子数据还可以自我鉴真,主要包括电子公文、经公证的电子数据。控辩双方通过合意的方式,也可以对电子数据进行鉴真。第五章探讨了电子数据的可采性规则。在完成鉴真后,对于具备言词证据属性的电子数据,应判断其是否构成传闻,如构成传闻则应当排除,除非构成电子数据传闻的例外。对于具有实物证据属性的电子数据,证据提出者还应解决最佳证据规则的适用问题。在判断电子数据是否适用传闻规则时,应考虑电子数据中是否有传闻的要素,即是否有“陈述”及该陈述系用来证明陈述的内容为真。对于电子存储数据和电子交互数据,其生成之过程包含了人的言词内容,如陈述之表达、权利之主张、事实之描述、默示之行为等,因而应适用传闻证据规则。电子生成数据是完全由电子设备依赖信息技术自动生成的数据,传闻规则的适用基础并不存在。基于诉讼经济的考虑以及特定电子文书的可靠性高,电子数据传闻应设置例外情形。主要包括在日常业务活动中产生的电子业务记录和公共行政管理部门在日常管理过程中产生的电子公共记录,其共同特点在于常规性、完整性以及非特别为个案准备。从最佳证据规则的产生来看,其目的是为司法提供“最好的证据”,最佳证据规则的实质是通过证据的原始性保障了证据的真实性,从而提供了最好的证据。但是对于电子数据这一证据而言,最佳证据规则对原件的要求就面临了尴尬。基于现实空间证据的“复制受损”、依赖“原始载体”的最佳证据规则在电子数据“可复制性”、“无损再生性”面前,明显已经失去了适用的必要性。此外,电子数据的“原件”与“复制件”界限模糊,并且随着云计算技术的发展和应用,原件甚至都不复存在。各国近十几年来均采取了一些变通的措施来解决这一问题,基本上都放弃了对原件的严格要求。电子数据应树立新型的“完整性”标准,不应考虑其是原件还是复制件,只要具备完整性的电子数据,均为原件,并且该标准应适用于一切电子数据,包括具有实物证据特性的电子数据。电子数据的完整性,是指电子数据生成时所含有的全部案件信息的确定状态,包括事实信息与鉴真信息在形成后的完整状态,可以从时间、主体、再生、校验几个方面来判断电子数据的完整性。美国、日本等一些信息技术发达国家专门成立了电子数据收集与保全服务公司,向社会提供电子数据完整性的保全服务,由类似机构认证的电子数据也应视为具备完整性。非法电子数据是否应当排除?从刑诉法及司法解释看,并未考虑具有人证特性的电子数据,而是将其视为物证,划入物证的裁量排除的范围,电子数据的排除规定模糊,并且受到了排除的“优待”——仅有的排除范围小于物证、书证。非法电子数据还享有“排除特权”,使用一般侦查措施所获得的电子数据仅在具有程序性瑕疵且不能“合理说明”时才被排除,“不符合法定程序,可能严重影响司法公正的”也不能成为排除的理由;使用技术性侦查措施所获得的电子数据即便违法也不排除。因此,从严格意义上的排除规则看,电子数据基本处于一种不排除的状态。电子数据不应当成为非法证据排除规则的例外。对于电子形态的言词证据（如录音、录像、电子文书记录、电子邮件、手机短信等）,采用刑讯逼供、暴力、威胁等非法方法取得的应绝对排除,以引诱、欺骗的方式获取的应以合法性、合理性、真实性三标准进行裁量排除。对于电子形态的实物证据,以侵犯宪法权利及基本人权的方式获得的应绝对排除。以违反程序法或程序性规定的方式获得的,应以裁量排除为主,并建立是否影响公正审判及证据真实性的综合考量指标,允许控方对其进行补正（说明或合理解释）,如果能够确认电子数据的真实性完整性的,则该电子数据不排除;如果无法确认电子数据的真实性完整性的,则该电子数据应当排除。对于违反技术操作规范而获得的,一般不予排除,除非无法进行鉴真并且没有做出合理解释或说明。第六章分析了电子数据证明力评判的特殊性。电子数据的科学证据属性以及虚拟证据属性,使得裁判者在衡量其证明力时,其经验与逻辑受到严重的挑战,一是无法解读电子数据中的信息技术信息,二是无法实现虚拟空间数据与现实空间行为的关联。对电子数据这一形态的证据,法官在判断其证明力时,应同时允许法官聘请电子数据专家辅助人,其工作职责不仅是解读司法鉴定意见书,而且还包括对案件中的专业性问题进行分析答疑,为审判法官提供咨询意见。鉴于电子数据本身具有虚拟性与脆弱性以及电子取证技术的发展对人权保护的威胁,电子数据应同时提供辅助证明,一方面确保电子数据的真实可靠,另一方面可间接防止取证措施的滥用造成对人权的侵犯。辅助证据主要有两个方面,一是电子数据与现实空间相联系的证据,主要有电子设备持有或使用证明、排除他人使用证明、成为犯罪工具的能力证明、时间使用证明及环境稳定性证明。二是电子数据取证技术的证据,以该证据来证明电子数据本身的技术可靠性,包括技术通用性、成熟性证明、检测证明、缺陷及容错率证明、技术人员资质证明等等。
二、大面积集成电路与电子計算机（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、大面积集成电路与电子計算机（论文提纲范文）
（1）战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角（论文提纲范文）
| 答辩决议书 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.2.3 国内外研究述评 |
| 1.3 研究框架与研究方法 |
| 1.3.1 研究框架 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.4 研究中的创新与不足 |
| 第2章 科技革命推动产业升级的一般分析 |
| 2.1 科技革命的概念与研究范围界定 |
| 2.1.1 科技革命的概念 |
| 2.1.2 战后科技革命研究范围的界定 |
| 2.2 科技革命推动下产业升级的内涵及研究范围界定 |
| 2.2.1 科技革命推动下产业升级的内涵 |
| 2.2.2 科技革命推动产业升级的研究范围界定 |
| 2.3 科技革命推动产业升级的理论基础 |
| 2.3.1 熊彼特创新理论 |
| 2.3.2 技术经济范式理论 |
| 2.3.3 产业技术范式理论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 科技革命推动产业升级:基于创新体系视角的分析框架 |
| 3.1 科技革命推动产业升级的机理 |
| 3.1.1 科技革命推动产业升级的经济本质:技术经济范式转换 |
| 3.1.2 科技革命推动产业升级的传导机制:“催新”与“改旧” |
| 3.2 创新体系相关理论 |
| 3.2.1 国家创新体系理论 |
| 3.2.2 部门创新体系理论 |
| 3.3 以创新体系为切入点的分析视角 |
| 3.3.1 国家创新体系与技术经济范式匹配性分析视角 |
| 3.3.2 部门创新体系与产业技术范式匹配性分析视角 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 战后科技革命推动日本产业升级的历程与背景 |
| 4.1 科技革命推动日本产业升级的历程 |
| 4.1.1 战前科技革命成果推动下日本产业的“重化型”化(20世纪50-60年代) |
| 4.1.2 战后科技革命推动下日本产业的“轻薄短小”化(20世纪70-80年代) |
| 4.1.3 战后科技革命推动下日本产业的“信息”化(20世纪90年代后) |
| 4.2 战后科技革命推动日本产业升级的背景 |
| 4.2.1 重化型产业结构的局限性日渐凸显 |
| 4.2.2 世界性科技革命的爆发为日本提供了机遇 |
| 4.2.3 日本经济的高速增长奠定了经济基础 |
| 4.2.4 日本的“引进消化吸收再创新”战略奠定了技术基础 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 战后科技革命推动日本产业升级:基于国家创新体系的分析 |
| 5.1 技术经济范式转换的载体:日本国家创新体系 |
| 5.2 科技革命推动日本产业升级中政府支持创新的行为 |
| 5.2.1 传递最新科技情报并辅助企业引进技术 |
| 5.2.2 适时调整科技发展战略和产业结构发展方向 |
| 5.2.3 制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度 |
| 5.2.4 采取措施加速新技术产业化的进程 |
| 5.2.5 改革教育体制并强化人才引进制度 |
| 5.3 科技革命推动日本产业升级中企业的创新行为 |
| 5.3.1 注重提升自主创新能力 |
| 5.3.2 遵循技术创新的“现场优先主义”原则 |
| 5.3.3 实行考虑市场因素的“商品研制、推销一贯制” |
| 5.3.4 将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节 |
| 5.3.5 重视对在职人员的科技教育和技术培训 |
| 5.4 科技革命推动日本产业升级中大学和科研机构的创新行为 |
| 5.4.1 从事与产业技术密切相关的基础和应用研究 |
| 5.4.2 重视通识教育和“强固山脚”教育 |
| 5.4.3 培养了大量的理工类高科技人才 |
| 5.5 科技革命推动日本产业升级中的创新主体联盟 |
| 5.5.1 产学官联合攻关尖端技术 |
| 5.5.2 建立能够促进科技成果转化的中介机构 |
| 5.5.3 联合培养和引进优秀人才 |
| 5.6 日本国家创新体系与技术经济范式的匹配性评析 |
| 5.6.1 日本国家创新体系与微电子技术经济范式相匹配 |
| 5.6.2 “追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式相匹配 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 战后科技革命催生日本主要新兴产业:基于部门创新体系的分析 |
| 6.1 新兴产业技术范式的形成与日本部门创新体系 |
| 6.2 微电子技术催生下日本半导体产业的兴起和发展 |
| 6.2.1 微电子技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.2.2 微电子技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.2.3 微电子技术产业化中科研机构的创新行为 |
| 6.2.4 微电子技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.2.5 微电子技术产业化中的需求因素 |
| 6.3 计算机技术催生下日本计算机产业的兴起与发展 |
| 6.3.1 计算机技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.3.2 计算机技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.3.3 计算机技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.3.4 计算机技术产业化中的需求因素 |
| 6.4 日本部门创新体系与新兴产业技术范式形成的匹配性评析 |
| 6.4.1 部门创新体系与半导体产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.2 部门创新体系与计算机产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.3 部门创新体系与新兴产业技术范式形成相匹配 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 战后科技革命改造日本主要传统产业:基于部门创新体系的分析 |
| 7.1 科技革命改造传统产业的本质:传统产业技术范式变革 |
| 7.2 微电子技术改造下日本工业机器自动化的发展 |
| 7.2.1 工业机器自动化中政府支持创新的行为 |
| 7.2.2 工业机器自动化中企业的创新行为 |
| 7.2.3 工业机器自动化中的创新主体联盟 |
| 7.2.4 工业机器自动化中的需求因素 |
| 7.3 微电子技术改造下日本汽车电子化的发展 |
| 7.3.1 汽车电子化中政府支持创新的行为 |
| 7.3.2 汽车电子化中企业的创新行为 |
| 7.3.3 汽车电子化中的创新主体联盟 |
| 7.3.4 汽车电子化中的需求因素 |
| 7.4 日本部门创新体系与传统产业技术范式变革的匹配性评析 |
| 7.4.1 部门创新体系与工业机器产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.2 部门创新体系与汽车产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.3 部门创新体系与传统产业技术范式变革相匹配 |
| 7.5 本章小结 |
| 第8章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级的经验与教训 |
| 8.1 战后科技革命推动日本产业升级的经验 |
| 8.1.1 构建了与微电子技术经济范式相匹配的国家创新体系 |
| 8.1.2 重视创新体系的层级性和差异性建设 |
| 8.1.3 加速推进新兴产业技术范式的形成 |
| 8.1.4 借力科技革命的“双重性质”推动新旧产业协调发展 |
| 8.2 战后科技革命推动日本产业升级的教训 |
| 8.2.1 创新体系的基础研究能力不足 |
| 8.2.2 创新体系不利于颠覆性技术创新的产生 |
| 8.2.3 政府主导下的大型研发项目模式存在定向失误的弊端 |
| 8.3 本章小结 |
| 第9章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级对我国的启示 |
| 9.1 新一轮科技革命给我国产业升级带来的机遇 |
| 9.1.1 为我国产业升级提供“机会窗口” |
| 9.1.2 为我国新兴产业“追跑”“齐跑”与“领跑”的并行发展提供机遇 |
| 9.1.3 为我国传统制造业的高质量发展创造了机会 |
| 9.2 构建与新一轮科技革命推动产业升级相匹配的创新体系 |
| 9.2.1 构建国家创新生态体系 |
| 9.2.2 重视部门创新体系的“产业间差异性” |
| 9.2.3 形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系 |
| 9.2.4 建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系 |
| 9.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（2）基于二维黑磷和硫化钼半导体纳米材料的场效应晶体管（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景和研究意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究目的和意义 |
| 1.2 场效应晶体管简介 |
| 1.2.1 晶体管发展历程 |
| 1.2.2 场效应晶体管的基本结构 |
| 1.2.2.1 金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构 |
| 1.2.2.2 金属半导体接触 |
| 1.2.2.3 MOS场效应晶体管结构 |
| 1.2.3 场效应晶体管的工作原理 |
| 1.2.3.1 基本概念 |
| 1.2.3.2 场效应晶体管转移和输出特性曲线 |
| 1.2.3.3 反相器基本原理 |
| 1.3 二维黑磷和硫化钼半导体纳米材料 |
| 1.3.1 二维黑磷材料结构和电学特性 |
| 1.3.2 二维黑磷材料的光学特性 |
| 1.3.3 二维黑磷材料的各向异性 |
| 1.3.4 二维黑磷场效应晶体管 |
| 1.3.5 二维硫化钼材料结构和光学、电学特性 |
| 1.3.6 二维硫化钼晶体管和集成电路研究现状 |
| 1.4 本文研究内容和工作量 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 主要工作 |
| 第二章 实验仪器和实验工艺 |
| 2.1 实验仪器 |
| 2.2 晶体管和集成电路测量设备 |
| 2.3 晶体管加工工艺 |
| 2.3.1 二维黑磷的转移 |
| 2.3.2 晶体管的微纳米加工工艺 |
| 2.3.2.1 二维材料的定位 |
| 2.3.2.2 场效应晶体管的制备 |
| 第三章 SnOx钝化的黑磷场效应晶体管 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 黑磷场效应晶体管器件的加工 |
| 3.3 层状黑磷材料表征 |
| 3.4 黑磷场效应晶体管性能表征 |
| 3.4.1 底栅器件的性能表征 |
| 3.4.2 场效应晶体管迁移率的提取 |
| 3.4.3 SnOx钝化的黑磷场效应晶体管性能表征 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 基于黑磷的n型顶栅场效应晶体管 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 顶栅黑磷场效应晶体管的制备 |
| 4.3 底栅黑磷场效应晶体管的测量与分析 |
| 4.4 顶栅黑磷场效应晶体管的测量与分析 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 基于化学气相沉积(CVD)生长的单层硫化钼顶栅晶体管和集成电路 |
| 5.1 化学气相沉积方法制备单层硫化钼 |
| 5.2 单层硫化钼的材料表征 |
| 5.3 单层硫化钼场效应晶体管的制备 |
| 5.3.1 底栅硫化钼场效应晶体管制备及表征 |
| 5.3.2 顶栅器件和集成电路 |
| 5.4 TLM法提取硫化钼场效应晶体管迁移率 |
| 5.5 硫化钼场效应晶体管输出特性曲线拟合 |
| 5.6 基于单层硫化钼场效应晶体管的反相器 |
| 5.7 小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 创新 |
| 6.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（3）紫外光/电子束（UV/EB）固化的应用现状与发展前景（十三）（论文提纲范文）
| 6.8 应用特点与发展趋势 |
| 6.8.1 应用特点 |
| (1) 几乎遍及电子信息的所有领域 |
| (2) 遍及电子产品实施“三级封装”的全过程 |
| (3) 为电子产品的小型化奠定基础 |
| (4) 推进电子产品向光机电计一体化方向发展 |
| 6.8.2 市场趋势 |
（4）有机薄膜晶体管模型建立及其集成电路设计（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 序言 |
| 1 引言 |
| 1.1 有机薄膜晶体管的发展及现状 |
| 1.2 有机集成电路的发展与现状 |
| 1.3 利用OTFT实现有机集成电路的设计的方法 |
| 1.3.1 集成电路的电子自动化设计(EDA)方法 |
| 1.3.2 有机集成电路的EDA设计流程 |
| 1.3.3 EDA电路仿真工具及器件模型的应用 |
| 1.3.4 OTFT器件模型发展及概况 |
| 1.4 有机集成电路设计中的关键问题及本论文的工作 |
| 2 有机薄膜晶体管的工作原理及其模型 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的主要制备材料 |
| 2.1.1 有源层制备材料 |
| 2.1.2 绝缘层制备材料 |
| 2.1.3 漏源电极制备材料 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的的基本结构与工作原理 |
| 2.2.1 OTFT的基本结构 |
| 2.2.2 OTFT的的基本工作原理 |
| 2.2.3 常用的OTFT器件电流电压关系 |
| 2.2.4 OTFT的主要参数常用提取方法 |
| 2.3 有机OTFT的器件特性 |
| 2.3.1 有机半导体的传输模型 |
| 2.3.2 OTFT器件中的寄生效应 |
| 2.3.3 OTFT的寄生器件 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 有机薄膜晶体管SPICE模型及其参数提取方法研究 |
| 3.1 有机薄膜晶体管的模型建立方法 |
| 3.1.1 模型建立方法及其参数提取方法 |
| 3.1.2 有机薄膜晶体管的等效电路模型 |
| 3.2 有机薄膜晶体管的直流电流电压模型 |
| 3.2.1 有机薄膜晶体管直流SPICE模型的建立 |
| 3.2.2 模型中参数的提取方法 |
| 3.3 模型及参数提取方法的实验验证 |
| 3.3.1 OTFT的实验制备及测试 |
| 3.3.2 OTFT的参数提取 |
| 3.3.3 OTFT的模拟仿真 |
| 3.4 OTFT的动态参数模型 |
| 3.4.1 有机薄膜晶体管的寄生电容 |
| 3.4.2 有机薄膜晶体管的交流电阻 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 物理参数对OTFT器件的性能影响研究 |
| 4.1 OTFT器件的制备 |
| 4.1.1 器件材料的选择 |
| 4.1.2 器件的制备工艺 |
| 4.2 绝缘层厚度对OTFT器件的性能影响研究 |
| 4.2.1 基于SiO_2绝缘层的OTFT器件的制备与测试 |
| 4.2.2 不同绝缘层厚度OTFT的参数提取及性能分析 |
| 4.3 沟道几何尺寸对OTFT器件的性能影响研究 |
| 4.3.1 基于SiO_2绝缘层的OTFT器件的制备与测试 |
| 4.3.2 不同沟道几何尺寸OTFT器件的参数提取与性能分析 |
| 4.4 绝缘层材料对OTFT器件的性能影响研究 |
| 4.4.1 基于SiN_x绝缘层的OTFT的制备与测试 |
| 4.4.2 基于PMMA绝缘层的OTFT的制备与测试 |
| 4.4.3 基于PVP绝缘层OTFT的制备与测试 |
| 4.4.4 基于不同绝缘层的OTFT器件性能比较与分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 基于OTFT模型的逐次逼近型ADC电路设计 |
| 5.1 模数转换器基础 |
| 5.1.1 模数转换器基本原理 |
| 5.1.2 模数转换器基本参数 |
| 5.2 基于P-OTFT的逐次逼近型ADC电路设计与仿真 |
| 5.2.1 基于P-OTFT的逻辑门电路设计与分析 |
| 5.2.2 基于P-OTFT的逐次逼近ADC的逐次逼近逻辑设计 |
| 5.2.3 基于OTFT的采样保持和DAC电路 |
| 5.2.4 基于OTFT的比较器电路 |
| 5.2.5 基于P-OTFT的时序控制电路设计 |
| 5.2.6 基于P-OTFT的逐次逼近ADC的电路整体仿真 |
| 5.3 基于P-OTFT的逐次逼近型ADC版图设计 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（7）高新技术产业化论（论文提纲范文）
| 0.0 导论 |
| 0.1 问题的提出 |
| 0.2 研究逻辑思路——本文研究和论述的主线 |
| 0.3 具体框架与研究内容 |
| 0.4 本文可能主要创新之处与不足 |
| 第一章 产业结构理论 |
| 一、 产业分类和产业结构 |
| 1. 产业演进及界定 |
| 2. 产业分类 |
| 3. 产业结构涵义及理论产生 |
| 二、 产业结构理论 |
| 1. 经济发展与配第—克拉克定理 |
| 2. 产业结构演变规律与动因 |
| 3. 产业结构变动与经济增长 |
| 三、 产业结构优化理论 |
| 1. 产业结构合理化界定及标准 |
| 2. 产业结构高度化含义及内容 |
| 3. 主导产业内涵及选择基准 |
| 4. 影响产业结构优化的因素分析 |
| 第二章 技术创新理论 |
| 一、 技术创新概念与特征 |
| 1. 技术创新理论回顾 |
| 2. 创新概念的界定 |
| 3. 创新的本质特征 |
| 二、 技术创新理论及其发展 |
| 1. 创新的动力和环境 |
| 2. 创新的动力模式及组合技术模式 |
| 3. 创新的激励 |
| 4. 创新过程分析 |
| 5. 创新的扩散 |
| 第三章 国家创新理论与中国创新系统 |
| 一、 国家创新理论 |
| 1. 从技术创新到国家创新体系的提出 |
| 2. 国家创新系统定义、结构及功能 |
| 3. 世界主要发达国家创新系统的国际比较 |
| 二、 中国国家创新系统：CNIS |
| 1. CNIS的历史回顾兼机能，绩效与代价分析研究（1949-1978） |
| 2. 转型期CNIS的现状及发展分析（1979至今） |
| 第四章 高新技术产业化—基本内涵及现状分析 |
| 一、 高新技术及其产业化的基本内涵及分类 |
| 1. 技术的基本范式、分类与科学的关系 |
| 2. 高新技术特点和分类 |
| 3. 高新技术产业化内涵及基本条件 |
| 4. 高新技术产业发展总体特征及趋势 |
| 二、 中国高新技术产业化的历程及现状 |
| 1. 历史沿革及现状 |
| 2. 机遇和挑战 |
| 三、 高新技术产业国际经验及比较 |
| 1. 国际高新技术产业化发展背景 |
| 2. 国外高新技术产业化现状分析 |
| 3. 高新技术产业化发展的中外比较研究 |
| 第五章 高新技术产业化——运行机制和成长路径 |
| 一、 技术产业与高新技术产业 |
| 1. 高新技术创新系统 |
| 2. 高新技术孕育与创新方式 |
| 二、 高新技术产业化过程、构成要素、机制分析研究 |
| 1. 高新技术产业化过程解析 |
| 2. 高新技术产业化的要素组成结构 |
| 3. 高新技术产业化动力、转化和保护机制分析研究 |
| 4. 高新技术产业管理、体制、环境系统及产业化模式研究 |
| 三、 高新技术及其产业与产业结构转换、成长关系分析 |
| 1. 高新技术产业——国民经济的先导产业 |
| 2. 高新技术产业化对世界产业结构布局影响 |
| 3. 中国与发达国家产业结构变化态势及特点比较 |
| 4. 高新技术与产业结构优化升级 |
| 5. 产业结构变化的基础推动力 |
| 四、 产业结构优化与经济增长 |
| 1. 产业结构功能与经济增长 |
| 2. 产业结构的平衡与不平衡增长 |
| 3. 经济增长中技术创新动力因素分析 |
| 4. 国际产业转移与产业结构升级 |
| 第六章 高新技术产业化的实证分析——以江苏为例 |
| 一、 高新技术产业对国民经济的贡献分析 |
| 二、 高新技术产业发展的影响因素分析 |
| 三、 不同阶段三种因素对高新技术产业贡献率探讨 |
| 第七章 风险投资——高科技产业的金融激励机制 |
| 一、 风险投资与高新技术产业化的培育 |
| 1. 风险投资概念和特征 |
| 2. 风险投资促进高新技术产业化的作用 |
| 3. 高新技术产业化创业阶段风险表现形式 |
| 4. 风险资本筹措渠道 |
| 二、 国外风险投资实践及经验 |
| 1. 发达市场经济国家风险投资业现状 |
| 2. 发达国家风险投资发展经验 |
| 三、 中国风险投资的制约因素分析与思考 |
| 1. 制约因素分析 |
| 2. 促进我国风险投资业发展之思考 |
| 第八章 高新技术园区——高新技术产业的示范和动力 |
| 一、 高新技术园区的集群理论解析 |
| 1. 高新技术园区的集群效应和发展历程 |
| 2. 高新技术园区在产业化中的主要功能表现形式 |
| 二、 中国高新技术园区现状及发展模式分析 |
| 1. 中国高新技术园区的分布及类型 |
| 2. 高新技术园区发展模式分析 |
| 3. 中国高新技术园区发展评析 |
| 三、 中国高新技术园区发展方向与途径 |
| 1. 中国高新技术园区发展瓶颈制约因素分析 |
| 2. 中国高新技术园区发展方向与途径 |
| 第九章 信息产业——高新技术产业的先导与支撑点 |
| 一、 信息化是高新技术产业发展的客观要求 |
| 1. 信息化是第四次新技术革命的历史使命 |
| 2. 信息化是产业结构高度化的必然结果 |
| 二、 信息产业崛起的成因和条件 |
| 1. 信息产业崛起和发展的成因 |
| 2. 信息技术产业化的实现条件 |
| 三、 信息产业发展的薄弱因素分析 |
| 1. 信息产业发展中的薄弱因素 |
| 2. 发展信息产业的关键环节探析 |
| 第十章 产学研结合——高新技术产业化的现实途径 |
| 一、 高新技术成果转化的新途径——产学研结合 |
| 1. 产学研的基本涵义 |
| 2. 产学研的作用方式 |
| 二、 产学研结合的途径探讨 |
| 1. 发达国家产学研结合的启示 |
| 2. 产学研结合的途径探讨 |
| 第十一章 我国高新技术产业发展对策和建议 |
| 参考文献 |
| 本人相关学术 |
| 致谢 |
（8）应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 插图列表 |
| 表格列表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 信息社会与集成电路 |
| 1.2 集成电路的生产制造 |
| 1.3 光刻技术及其挑战 |
| 1.3.1 印刷术和石板印刷术的历史 |
| 1.3.2 应用于集成电路生产的光刻技术 |
| 1.3.3 光刻技术面临的挑战 |
| 1.4 分辨率增强技术 |
| 1.4.1 分辨率和焦深 |
| 1.4.2 移相掩模技术 |
| 1.4.3 离轴照明技术 |
| 1.4.4 浸润式光刻 |
| 1.4.5 多重成像 |
| 1.5 论文的研究内容及创新点 |
| 1.6 论文的组织结构 |
| 1.7 本章小结 |
| 2 光学邻近校正技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 光学邻近效应 |
| 2.2.1 特征尺寸相关的光学邻近效应 |
| 2.2.2 实际版图图形的光学邻近效应 |
| 2.3 基于规则的光学邻近校正技术 |
| 2.3.1 对各种光学邻近效应的校正方法 |
| 2.3.2 规则的匹配 |
| 2.4 基于模型的光学邻近校正技术 |
| 2.4.1 光刻仿真 |
| 2.4.2 图形切割 |
| 2.4.3 边的平移校正 |
| 2.4.4 层次结构处理 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 一维版图的快速光刻仿真 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 一维版图设计规则 |
| 3.3 光刻系统模型 |
| 3.3.1 光刻成像系统 |
| 3.3.2 部分相干光成像模型 |
| 3.3.3 基于卷积核的快速点光强计算 |
| 3.4 集成电路版图 |
| 3.5 一维版图的快速平面光学仿真 |
| 3.5.1 一维基元函数 |
| 3.5.2 查找表的建立 |
| 3.5.3 大面积版图的光学仿真 |
| 3.6 实验结果 |
| 3.6.1 查找表建立时间 |
| 3.6.2 基本图形仿真比较 |
| 3.6.3 大面积版图仿真比较 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 光学邻近校正的切割 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 版图复杂度与掩模板的生产成本 |
| 4.3 传统的切割以及整边校正 |
| 4.3.1 传统的切割方式 |
| 4.3.2 整边校正 |
| 4.4 版图中的关键点及其切割策略 |
| 4.4.1 晶体管 |
| 4.4.2 连线 |
| 4.4.3 通孔 |
| 4.5 关键点图形的识别 |
| 4.5.1 图形布尔运算 |
| 4.5.2 自身图形分类 |
| 4.5.3 图形环境识别 |
| 4.5.4 完整的基于成品率的切割流程 |
| 4.6 实验结果 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 光学邻近校正中的层次结构处理 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 传统的全版图校正方法 |
| 5.2.1 扁平化的全版图校正方法 |
| 5.2.2 基于单元的光学邻近校正 |
| 5.3 混合式层次结构处理 |
| 5.3.1 阵列式模块电路的层次结构处理 |
| 5.3.2 随机逻辑电路的层次结构处理 |
| 5.3.3 混合式版图的层次结构处理 |
| 5.4 实验结果 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读学位期间取得科研成果 |
（10）刑事电子数据证据规则研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 前言：研究的缘起与意义 |
| 第一章 电子数据概念的重述 |
| 第一节 电子数据概念的引入及发展 |
| 一、“电子数据”术语的发展历程——从混用到统一 |
| 二、电子数据的概念 |
| 第二节 电子数据与相关理论概念的区分 |
| 一、电子数据与电子证据 |
| 二、电子数据与计算机证据及数字证据 |
| 三、电子数据与科学证据 |
| 第二章 电子数据的特点、分类与常见形态 |
| 第一节 电子数据的特点及对证据规则的影响 |
| 一、虚拟的证据存在状态：虚拟空间的数据形态 |
| 二、复杂的证据定位：电子数据的多种特性 |
| 三、矛盾的证据可靠状态：脆弱性与稳定性并存 |
| 四、全新的证据再现方式：无损耗再生性 |
| 第二节 电子数据的理论分类及对证据规则的影响 |
| 一、事实信息数据与鉴真信息数据 |
| 二、静态电子数据和动态电子数据 |
| 三、电子生成数据、电子存储数据与电子交互数据 |
| 四、原始电子数据与传来电子数据 |
| 五、加密数据和非加密数据 |
| 六、封闭电子数据与网络电子数据 |
| 七、其他 |
| 第三节 电子数据的常见形态 |
| 一、计算机数据 |
| 二、智能手机数据 |
| 三、网络数据 |
| 第三章 电子数据对证据分类体系的冲击 |
| 第一节 电子数据独立法律地位之分析 |
| 一、电子数据在其他国家的法律地位 |
| 二、电子数据独立性相关的各类学说评析 |
| 第二节 证据分类体系的混乱与解决 |
| 一、根源：分类标准不一 |
| 二、出路：取消视听资料、缩小物证书证范围、扩充电子数据 |
| 第四章 电子数据与鉴真规则 |
| 第一节 鉴真的概念及性质 |
| 第二节 鉴真规则在英美及我国的规定 |
| 一、英美法代表性国家关于鉴真的规定 |
| 二、中国刑诉法关于鉴真的规定：鉴真规则是否存在？ |
| 第三节 电子数据的鉴真方法：基于美国法的考察与比较 |
| 一、电子数据鉴真的通用方法 |
| 二、电子数据鉴真的特殊方法——基于科学证据的属性 |
| 三、我国电子数据鉴真的现行方法 |
| 第四节 中国电子数据鉴真规则的建构 |
| 一、鉴真是一切电子数据可采的前提 |
| 二、中国电子数据鉴真规则的设置 |
| 第五章 电子数据的可采性规则 |
| 第一节 传闻证据规则与电子数据：适用与例外 |
| 一、传闻证据规则概述 |
| 二、传闻证据规则与电子数据 |
| 三、电子数据传闻规则之设置 |
| 第二节 最佳证据规则与电子数据：扬弃与发展 |
| 一、最佳证据规则及发展概述 |
| 二、最佳证据规则在中国刑诉法中的规定 |
| 三、最佳证据规则调适电子数据时的困境 |
| 四、代表性国家和组织对电子数据“原件”的调整 |
| 五、由“原件”到“完整性”——我国电子数据最佳证据规则的建构 |
| 第三节 非法证据排除规则与电子数据 |
| 一、非法证据排除规则及理论根源 |
| 二、非法电子数据排除的比较法考察 |
| 三、中国非法电子数据排除的现状 |
| 四、非法电子数据排除的原因与构想 |
| 第六章 电子数据证明力的评判 |
| 第一节 自由心证及其例外 |
| 一、证据的可采性与证明力 |
| 二、自由心证及其受到的冲击 |
| 三、中国现行证明力规则的现状及原因 |
| 第二节 电子数据对自由心证的冲击 |
| 一、电子数据的科学属性对自由心证的影响 |
| 二、电子数据的虚拟性对自由心证的影响 |
| 三、司法人员对电子数据证明力评判的规避 |
| 第三节 电子数据证明力评判之应对 |
| 一、电子数据专家辅助人制度的引入 |
| 二、电子数据的辅助证明 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
四、大面积集成电路与电子計算机（论文参考文献）
- [1]战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角[D]. 刘伟岩. 吉林大学, 2020(03)
- [2]基于二维黑磷和硫化钼半导体纳米材料的场效应晶体管[D]. 吴殿仲. 中国地质大学(北京), 2019(02)
- [3]紫外光/电子束（UV/EB）固化的应用现状与发展前景（十三）[J]. 吕延晓. 精细与专用化学品, 2007(14)
- [4]有机薄膜晶体管模型建立及其集成电路设计[D]. 尹飞飞. 北京交通大学, 2017(09)
- [5]国外电子计算机发展和化工材料[J]. 王厚邦. 化工新型材料科技资料, 1978(10)
- [6]真空科学在电子器件中应用的新发展[J]. 刘炳坤. 电子器件, 1986(03)
- [7]高新技术产业化论[D]. 顾海. 南京农业大学, 2000(01)
- [8]应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究[D]. 谢春蕾. 浙江大学, 2014(07)
- [9]电子计算机的发展现状及应用[J]. 刘尊全. 力学情报, 1973(06)
- [10]刑事电子数据证据规则研究[D]. 赵长江. 西南政法大学, 2014(08)