静压下GaP的拉曼散射

一、静压下GaP的喇曼散射（论文文献综述）

张院生^[1]（2009）在《四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP量子阱在组分和压力调制下的能带转型》文中提出四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量,同二元和三元材料相比,其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变。目前,对四元混晶系材料的带隙、晶格振动特性、光学性质及其构成的量子阱器件等已有了较广泛的研究,并得到一些有意义的结果。但是,对于完全由同一种四元混晶系半导体材料组成的量子阱结构还很少有研究,尤其是对能带转型问题的研究至今还未见报道。能带结构的调控（如能带转型）在能带工程中具有重要意义,它是能带剪裁、器件设计和性能优化以及改变掺杂性质的有效途径。能带结构的调控除了组分调制、掺杂调制之外,高压调制目前也已经成为半导体低维结构研究的重要手段。本论文我们通过改变材料组分和引入流体静压力来调控完全由InGaAsP材料组成的量子阱系统的能带结构。本文采用模型固体理论,计算了四元混晶半导体应变量子阱的能带结构,研究组分和流体静压力对能带的调制作用以及对量子阱中应变的调制效应,进而探讨组分和压力调制下能带转型和应变转型的可能性;同时还讨论了量子阱在多层时组分对能带的调制作用。对于完全由InGaAsP四元混晶材料组成的量子阱结构,考虑由于晶格失配而在异质结界面处引起的双轴应变效应的影响,讨论了垒材料与InP衬底晶格匹配情况下的In1-xGaxAsyP1-y量子阱中电子和空穴的能带;计算了导带带阶、价带带阶、晶格失配（应变）、以及带隙随阱材料中Ga组分x和As组分y的变化关系。结果表明:当固定垒材料组分而改变阱材料组分时,量子阱的能带出现类型Ⅰ到类型Ⅱ转变,量子阱内的应变也相应地由压应变转为张应变;当阱材料为多层时,通过控制组分还可以实现抛物阱。对上述量子阱系统,引入流体静压力后,仍采用模型固体理论,考虑压力对晶格常数和弹性常数等物理参数的影响,讨论了量子阱中电子和空穴能带的压力效应;数值计算了导带带阶、价带带阶以及晶格失配随静压力和组分的变化关系。计算时垒层中只考虑静压应变的影响,而阱层中同时计入静压应变和内部双轴应变的影响。结果表明:无论是固定阱材料组分还是固定垒材料组分,压力调制都能够导致量子阱的能带转型;此外,压力调制还能够实现量子阱内的应变转型。进一步计算发现,当固定阱材料组分时,垒材料中的As组分y越小,转变压力越大;Ga组分x越小,转变压力越小。

汪兆平,李国华,韩和相,葛惟锟,林兆斌,苏荫强^[2]（1996）在《静压下ZnS0．02Te0．98混晶的共振喇曼散射研究》文中提出在１５Ｋ和１～３ＧＰａ静压范围内研究了ＺｎＳ０．０２Ｔｅ０．９８混晶的共振喇曼散射，样品用ＭＢＥ方法生长在［００１］晶向的半绝缘ＧａＡｓ衬底上．利用静压调制带隙实现与４８８．０ｎｍ线的共振喇曼散射．观察到类ＺｎＴｅ和类ＺｎＳ两类ＬＯ声子模以及它们的倍频模和组合模．测得类ＺｎＴｅ的ＬＯ声子模的压力系数约为４．５ｃｍ－１／ＧＰａ

张江泉,刘振先,汪兆平,韩和相,李国华,彭中灵,袁诗鑫^[3]（1996）在《静压下（CdSe）m／（ZnSe）n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究》文中认为在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１，反映了（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中ＬＯ声子的限制效应

沙恩^[4]（1993）在《中国科学院半导体所近年论文摘编》文中指出中科院半导体所云集着黄昆、林兰英等一流物理学家和一大批有作为的中青年学者,他们在半导体物理,特别是在半导体超晶格物理的理论研究、半导体超晶格的光谱物理、超晶格低维系统的输运特性、超晶格量子阱中杂质、深能级行为、超晶格、多层异质结构材料诸方面获得众多成果,在世界半导体物理领域占有重要地位.根据灰色文献的定义,我们将该所学者在国际会议报告和将发表的论文有选择地摘录发表.供广大读者参考.

李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫^[5]（1993）在《(CdTe)m（ZnTe）n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究》文中研究说明(CdTe)m（ZnTe）n-ZnTe多量子阱是由（CdTe）m（ZnTe）n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后（CdTe）m（ZnTe）n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与（CdTe）m（ZnTe）n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm-1。反映了在（CdTe）m（ZnTe）n超晶格中LO声子的局域效应。

李国华,韩和相,汪兆平,糜东林,郑健生^[6]（1990）在《静压下GaAs1-xPx混晶的喇曼散射》文中提出在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs1-xPx（0.76 ≤x≤1）混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs1-xPx混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系数计算了类GaP的LO模的模式Gruneisen参数。

徐叙瑢^[7]（1989）在《我国发光学的研究现状》文中研究表明本文以国际科技发展为背景，介绍了我国发光学在物理、材料、器件及应用方面的工作．在结合实际力面（包括应用基础研究），我们虽然影响还小，但已有特点，唯独在基础研究方面逊色明显，而它却孕育着高技术．

李国华,赵学恕,韩和相,汪兆平,唐汝明,胡敬竹^[8]（1983）在《静压下GaP的喇曼散射》文中进行了进一步梳理引言:静压下喇曼散射研究是了解固体中声子性质的重要手段之一,从散射谱线的压力关系可以得到晶体中原子间键合力的性质等各种信息。在固体相变点附近喇曼散射谱的显着变化也常常用来确定固体的相变情况。

二、静压下GaP的喇曼散射（论文开题报告）

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、静压下GaP的喇曼散射（论文提纲范文）

（1）四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP量子阱在组分和压力调制下的能带转型（论文提纲范文）

四、静压下GaP的喇曼散射（论文参考文献）

• [1]四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP量子阱在组分和压力调制下的能带转型[D]. 张院生. 内蒙古师范大学, 2009(06)
• [2]静压下ZnS0．02Te0．98混晶的共振喇曼散射研究[J]. 汪兆平,李国华,韩和相,葛惟锟,林兆斌,苏荫强. 红外与毫米波学报, 1996(04)
• [3]静压下（CdSe）m／（ZnSe）n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究[J]. 张江泉,刘振先,汪兆平,韩和相,李国华,彭中灵,袁诗鑫. 红外与毫米波学报, 1996(02)
• [4]中国科学院半导体所近年论文摘编[J]. 沙恩. 现代物理知识, 1993(06)
• [5](CdTe)m（ZnTe）n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究[J]. 李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫. 半导体学报, 1993(04)
• [6]静压下GaAs1-xPx混晶的喇曼散射[J]. 李国华,韩和相,汪兆平,糜东林,郑健生. 半导体学报, 1990(09)
• [7]我国发光学的研究现状[J]. 徐叙瑢. 物理, 1989(09)
• [8]静压下GaP的喇曼散射[A]. 李国华,赵学恕,韩和相,汪兆平,唐汝明,胡敬竹. 第二届全国光散射学术会议论文集（上）, 1983

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