一、DZL25-200大功率漏电断路器（论文文献综述）
周允红[1]（2015）在《原位反应合成AgCuO复合材料中立方氧化铜的形成机制及性质研究》文中进行了进一步梳理银氧化铜（AgCuO）电触头材料是一种新型环保的颗粒增强体金属基复合材料。它拥有银的高导电导热性、易加工性,以及氧化物（CuO）的高稳定性、与银基体界面结合好、抗熔焊性好等,因而备受关注。在前期原位反应合成法制备AgCuO中,发现所得到的AgCuO电触头材料组织中有立方、单斜两种晶体结构的CuO颗粒存在；并且立方晶体结构CuO颗粒在随后的大塑性变形中,易产生变形,形成纤维状的CuO增强相,有益于AgCuO电触头材料性能的提高。但立方CuO的形成机制尚不清楚,这对制备纤维状CuO增强相及数量调控至关重要。因此,本论文采用了第一性原理模拟计算,及热力学计算分析,并与实验验证相结合的手段,对原位反应合成AgCuO复合材料中立方CuO的形成热力学条件、机制及性质进行了研究,最终得到了如下结论：根据第一性原理,对两种晶体结构CuO的热力学性质进行了计算,通过声子谱分析发现两种CuO结构的热力学不稳定性主要是由O原子造成的,其中单斜CuO的热力学性质无论是低温时还是高温时都由Cu原子和O原子共同主导,而立方CuO的热力学性质在低温时由Cu原子主导,高温时由O原子主导。同时还获得了两种结构CuO的热力学性质（包括熵（S）、焓（H）、自由能（G）、热容（Cp））以及与温度的变化关系；并根据吉布斯自由能差,计算得出了两种晶体结构CuO之间的相转变热力学温度为1013.28K（即740.13℃）。通过对原位反应合成法制备AgCuO中,有关CuO反应的热力学计算与分析后,发现采用原位反应合成法制备AgCuO过程中,形成立方氧化铜的方式有以下三种：a)Cu与O2直接反应合成立方CuO,合成温度应低于883K（即609.85℃）；b)烧结反应过程中生成部分的Cu2O与O2反应合成立方CuO,该方式的反应温度应低于742.99K（即469.84℃）；c)Cu与O2反应合成单斜的CuO后,在后期烧结时发生相转变得到立方CuO,该方式的转变温度应低于1048.49K（即775.3℃）。通过相关实验论证结果表明：Cu与O2直接反应合成立方CuO（即第一种合成方式）与烧结反应过程中生成部分的Cu2O与O2反应合成立方CuO（即第二种合成方式）这两种方式发生的可能性小,或者不发生；而以Cu与O2反应合成单斜的CuO后,在后期烧结时发生相转变生成立方CuO（第三中方式）是原位反应合成法制备AgCuO中立方CuO的主要形成方式。实验还证实了1048K（即775℃）左右的温度即是单斜CuO与立方CuO之间相转变温度,这一温度与模拟和理论计算温度十分接近。实验结果还发现,Ag的存在对形成立方CuO的相变以及形成量有一定的影响。最后,研究了这两种晶体结构CuO的力学和微观性质。得出立方CuO的延性好于单斜CuO的延性；立方CuO为间接带隙半导体,单斜CuO为直接带隙半导体,立方CuO中的Cu原子与O原子之间无明显相互作用,而单斜CuO中的Cu原子与O原子之间有相互作用；立方CuO的导电性优于单斜CuO导电性,其导电性主要来自于Cu原子的3d10轨道贡献。
付文[2]（2008）在《漏电保护器专用芯片的设计与标准研究》文中研究指明随着我国经济的迅速发展,人民生活水平的显着提高,家用电器和工业电器的数量迅速增加,人们的日常生活与工作已经离不开各种各样的电气设施与电子装备,这使得人们对用电的安全性和供电的可靠性方面提出了更高的要求。作为保护用户人身安全的漏电保护器,得到了空前广泛的使用。但是,目前市场上主流的漏电保护器采用的是进口芯片（如日本三菱公司的M54123）。该类芯片由于在适用标准及设计思想方面的原因,并不适合中国现有的输电线路状况,导致在实际的运行中误动作频繁,影响了漏电保护器的实际投运率。近年来虽然也有一些国产芯片（如FM54123）替代进口芯片以降低保护器成本,但都是进口芯片的仿制品,不但没有自主知识产权,而且仍然存在抗干扰能力弱等诸多进口芯片同样的问题。因此国内市场亟需一款自主研发、适应中国国情的漏电保护专用芯片。本论文对漏电保护器的国际标准和中国国家标准进行了深入研究,通过对国际标准和中国国家标准中关键指标参数的比较和分析,结合输电线路上干扰信号的特点,从理论上解释了进口芯片不适应中国现有输电线路的原因,并在符合中国国家标准的前提下,提出了在直接接触保护中引入10毫秒不驱动时间的抗干扰方法等,并在芯片中一一加以实现。本论文设计了HH系列漏电保护器专用集成电路芯片,其中包括HH-1家用漏电保护器专用集成电路和HH-2总级漏电保护器专用集成电路两块芯片,两块芯片配合使用,可以构成末级-中级-总级三级保护,芯片的主要优点和创新点包括:1.抗干扰能力强。通过对输电线路上的干扰信号的观察和分析,总结出电网干扰信号的规律,并有针对性地采取抗干扰措施,如引入10毫秒不驱动时间、尖峰脉冲滤除、信号连续性检测及引入固定延时等创新的抗干扰方法。2.延时精度高。采用高精度可微调内置振荡器,可获得精确的振荡频率,并利用数字模块产生延时,有效地提高了延时的精确度,使得多级保护之间的匹配更加方便。3.可编程应用。HH-1芯片通过编程可以在直接接触用的一般型和间接接触用的S型之间进行切换;HH-2芯片通过编程可以切换触发阈值电压的范围。通过编程使用可以大大提高芯片适用的范围和应用的灵活性4.多功能、低功耗。在基本的漏电保护功能之外,HH-1芯片集成了过电压保护功能,HH-2芯片集成了自动重合闸功能,丰富了芯片的应用。HH-1芯片的功耗仅为1.75mW,HH-2芯片的功耗仅为2mW,不到进口M54123芯片功耗的十分之一。HH系列芯片参加了由上海集成电路中心组织的MPW（多项目晶圆）计划,采用无锡上华0.6um混合信号CMOS工艺进行流片,并对芯片进行封装与测试,测试结果理想,达到了设计所要求的全部功能和性能指标。并通过了包括电磁兼容测试在内的第三方检测认证,获得了合格的用户使用报告。
章柏良[3]（2001）在《建筑施工用电中漏电保护器的选择》文中研究指明
姜尚文[4]（1993）在《DZL25-200大功率漏电断路器》文中进行了进一步梳理 温州市低压开关厂研制成功的“DZL25-200大功率漏电断路器”,适合于交流50Hz,额定电压380V,额定电流100—200A,电流中性点接地的电路中,作为人身触电保护之用,也可用来保护线路和电动机的过载和短路,以及作为线路的不频繁转换及电动机的不频繁起动之用。产品具有体积小,容量大,漏电电流分级可调,接通分断能力高,并有电流过载、短路、漏电保护功能齐全等
万绍尤[5]（1992）在《我国低压电器的现状及其发展建议》文中指出 八十年代是我国低压电器发展史上极其重要的十年,通过“六五”和“七五”计划的实现,使我国低压电器的面貌为之一新,改变了过去的落后状况。通过整顿老产品,开发新产品,引进国外先进技术多种途径,使我国低压电器行业的设计能力与制造工艺水平有了很大的提高。对老产品(大多数是
DZL25联合设计组[6]（1990）在《DZL25系列漏电断路器》文中提出 DZL25系列漏电断路器是国家经委“七五”重大技术开发项目之一,由机电部上海电器科学研究所负责设计,上海市漏电保护电器厂、苏州电器一厂、杭州漏电开关厂、温州市低压开关厂和上海立新电器厂等单位参加,经过调访、技术攻关、模型及样机的设计和制造、型式试验、试运行等阶段,完成了全部试制工作,于1988年底在温州市通过了机电部和能源部两部联合鉴定。DZL25系列漏电断路器主要用于交流
二、DZL25-200大功率漏电断路器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、DZL25-200大功率漏电断路器（论文提纲范文）
（1）原位反应合成AgCuO复合材料中立方氧化铜的形成机制及性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电触头材料研究的形成与发展 |
| 1.2.1 电接触现象的形成 |
| 1.2.2 电接触材料的发展 |
| 1.3 银金属氧化物电触头材料的发展 |
| 1.3.1 AgCdO |
| 1.3.2 AgSnO_2 |
| 1.3.3 AgCuO |
| 1.3.4 AgZnO、AgREO |
| 1.4 银金属氧化物电触头材料的制备方法及影响因素 |
| 1.4.1 粉末冶金法 |
| 1.4.2 合金内氧化法 |
| 1.4.3 预氧化法(雾化工艺) |
| 1.4.4 原位反应合成法 |
| 1.4.5 化学共沉积法 |
| 1.4.6 其他方法 |
| 1.4.7 银金属氧化物电触头材料性能影响因素 |
| 1.5 模拟计算在银金属氧化物电触头材料中的应用 |
| 1.6 课题的提出、目的和意义 |
| 1.7 本论文主要研究内容及课题来源 |
| 1.7.1 本论文主要研究内容 |
| 1.7.2 本论文课题来源 |
| 1.8 本章小结 |
| 第二章 研究路线和实验方案 |
| 2.1 研究路线 |
| 2.2 实验材料、设备等 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.2.3 热重-差示扫描分析原理 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 单斜与立方氧化铜的热力学性质模拟计算 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 计算方法和理论 |
| 3.2.1 第一性原理 |
| 3.2.2 密度泛函理论 |
| 3.2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 |
| 3.2.2.2 Kohn-Sham方程 |
| 3.2.2.3 交换关联函数 |
| 3.2.2.4 赝势 |
| 3.2.3 声子谱与热力学的关系 |
| 3.3 单斜与立方氧化铜热力学性质计算与分析 |
| 3.3.1 单斜与立方氧化铜的模型及参数 |
| 3.3.2 单斜与立方氧化铜结构几何优化 |
| 3.3.2.1 交换-关联函数选择 |
| 3.3.2.2 K点的选择 |
| 3.3.2.3 截断能的选择及优化结果 |
| 3.3.3 单斜与立方氧化铜结构的声子相关计算与分析 |
| 3.3.4 单斜与立方氧化铜结构的热力学性质计算与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 原位反应合成立方氧化铜的热力学分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 原位反应合成法中的热力学计算理论 |
| 4.2.1 原位反应合成可行性热力学判断依据 |
| 4.2.2 Gibbs自由能公式 |
| 4.2.3 氧分压计算依据 |
| 4.3 原位反应合成立方氧化铜的热力学计算与分析 |
| 4.3.1 吉布斯自由能的计算与分析 |
| 4.3.2 氧分压的计算与分析 |
| 4. 4本章小结 |
| 第五章 实验 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 热重-差示扫描分析实验 |
| 5.2.2 反应烧结实验 |
| 5.2.3 结果分析 |
| 5.2.3.1 热重-差示扫描结果分析 |
| 5.2.3.2 XRD结果分析 |
| 5.2.3.3 TEM结果分析 |
| 5.2.4 结果讨论 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 两种CuO结构的弹性常数及微观性质 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 两种结构CuO的弹性常数及微观性质计算理论 |
| 6.2.1 弹性常数计算理论 |
| 6.2.2 电子结构计算理论 |
| 6.3 计算结果与分析 |
| 6.3.1 弹性常数计算与分析 |
| 6.3.2 电子结构计算与分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表论文及奖励 |
（2）漏电保护器专用芯片的设计与标准研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的背景及意义 |
| 1.2 漏电保护器在各国的发展历程 |
| 1.3 漏电保护器的分类 |
| 1.3.1 根据动作方式分类 |
| 1.3.2 根据漏电保护器的功能分类 |
| 1.3.3 根据漏电保护器的使用场合分类 |
| 1.3.4 根据漏电保护器动作是否具有延时时间分类 |
| 1.4 漏电保护器的分级保护 |
| 1.5 单相式电流型漏电保护器的原理 |
| 1.6 漏电保护器集成电路市场现状 |
| 第二章 漏电保护器标准研究 |
| 2.1 漏电保护器涉及的标准总汇 |
| 2.2 电气安全标准研究 |
| 2.2.1 电流对人体的作用 |
| 2.2.2 人体阻抗 |
| 2.2.3 人体的时间/电流效应曲线 |
| 2.3 国外漏电保护器标准研究 |
| 2.4 中国漏电保护器标准研究 |
| 2.4.1 GB6829 |
| 2.4.2 GB16916 |
| 2.4.3 GB13955 |
| 2.4.4 DL/T736 |
| 2.5 现有标准中存在的问题及本文提出的解决方法 |
| 2.5.1 中国电网上干扰信号介绍 |
| 2.5.2 标准的不足及解决方法 |
| 第三章 芯片的系统设计 |
| 3.1 HH系列芯片的整体功能定义 |
| 3.1.1 HH-1家用漏电保护器芯片的功能定义 |
| 3.1.2 HH-2总级漏电保护器芯片的功能定义 |
| 3.1.3 HH系列漏电保护器芯片的构成的分级保护 |
| 3.2 HH系列芯片的管脚定义 |
| 3.2.1 HH-1家用漏电保护器芯片的管脚定义 |
| 3.2.2 HH-2总级漏电保护器芯片的管脚定义 |
| 3.3 HH系列芯片的系统结构及信号处理流程 |
| 3.4 HH系列芯片的应用电路图 |
| 第四章 芯片模拟电路设计 |
| 4.1 运算放大器电路的设计 |
| 4.1.1 运算放大器电路设计 |
| 4.1.2 运算放大器电路的仿真 |
| 4.2 比较器电路的设计 |
| 4.2.1 NMOS输入管比较器 |
| 4.2.2 PMOS输入管比较器 |
| 4.3 带隙基准源电路的设计 |
| 4.3.1 带隙基准源电路的原理 |
| 4.3.2 带隙基准源的电路设计 |
| 4.3.3 带隙基准源电路的仿真 |
| 4.4 电压偏置电路的设计 |
| 4.4.1 电压偏置电路的原理 |
| 4.4.1 电压偏置电路的仿真 |
| 4.5 精确电流产生电路的设计 |
| 4.5.1 精确电流产生电路的原理及电路图 |
| 4.5.2 精确电流产生电路的仿真 |
| 4.6 振荡器电路的设计 |
| 4.7 电压缓冲电路的设计 |
| 4.7.1 电压缓冲电路的原理及电路图 |
| 4.7.2 电压缓冲电路的仿真 |
| 4.8 上电复位电路的设计 |
| 第五章 芯片数字电路设计 |
| 5.1 芯片数字电路常用基本模块的介绍 |
| 5.1.1 D触发器电路 |
| 5.1.2 分频器电路 |
| 5.2 干扰滤除功能的设计与实现 |
| 5.2.1 脉冲宽度调整电路的设计 |
| 5.2.2 信号连续性检测电路的设计 |
| 5.2.3 10毫秒不驱动电路的设计 |
| 5.2.4 精确延时电路的设计 |
| 5.2.5 输出驱动电路的设计 |
| 5.3 重合闸功能的设计与实现 |
| 5.3.1 脉冲滤除电路的设计 |
| 5.3.2 上电合闸电路模块的设计 |
| 5.3.3 状态提取电路模块的设计 |
| 5.3.4 稳定性判断模块的设计 |
| 5.3.5 30秒延时模块的设计 |
| 5.3.6 报警模块的设计 |
| 5.3.7 重合闸功能的总体实现 |
| 第六章 芯片的实现与测试 |
| 6.1 芯片的版图实现 |
| 6.1.1 上华0.6um工艺介绍 |
| 6.1.2 芯片的整体版图介绍 |
| 6.2 芯片的测试 |
| 6.2.1 芯片的测试方案 |
| 6.2.2 漏电保护功能测试 |
| 6.2.3 过电压保护功能测试 |
| 6.2.4 重合闸功能测试 |
| 6.2.5 温度特性测试 |
| 6.2.6 电磁兼容测试 |
| 6.2.7 CCC认证项目测试 |
| 6.3 芯片的应用 |
| 回顾与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的成果 |
| 致谢 |
| 附件一:EMC试验报告 |
| 附件二:第三方检测报告 |
| 附件三:科学技术成果鉴定证书 |
四、DZL25-200大功率漏电断路器（论文参考文献）
- [1]原位反应合成AgCuO复合材料中立方氧化铜的形成机制及性质研究[D]. 周允红. 昆明理工大学, 2015(01)
- [2]漏电保护器专用芯片的设计与标准研究[D]. 付文. 浙江大学, 2008(09)
- [3]建筑施工用电中漏电保护器的选择[J]. 章柏良. 建筑安全, 2001(02)
- [4]DZL25-200大功率漏电断路器[J]. 姜尚文. 今日科技, 1993(01)
- [5]我国低压电器的现状及其发展建议[J]. 万绍尤. 建筑电气, 1992(02)
- [6]DZL25系列漏电断路器[J]. DZL25联合设计组. 低压电器, 1990(05)