一、晶体表面微观结构的反射电子显微术观察（论文文献综述）
刘晴晴[1]（2021）在《锰酸锶异质外延单晶薄膜的制备及其界面和缺陷研究》文中研究指明现代微电子及光电子产业中电子晶体管、半导体激光器及半导体太阳能电池等元器件的诞生大都得益于半导体异质界面科学的发展。微电子和光电子产业的巨大进步将人类带入到信息技术时代,从而彻底改变了人类生产和生活方式。不同于传统半导体体系,过渡金属氧化物中的过渡金属离子具有不满壳层的d或者f轨道电子,这些电子具有非常强的关联效应,从而会引发各种新奇的物理效应,如高温超导、磁有序、庞磁电阻和多重铁性等,并将有望应用到下一代新型多功能电子器件中。目前,钙钛矿氧化物中强关联表/界面的外延生长、缺陷机制和物理性能起源等研究中还存在着诸多有待解决的科学问题,尤其是强关联体系中层出不穷的新奇物理特性的研究开展是与材料的结构、表面和界面制备的精细控制密不可分。分子束外延技术（MBE）具有高纯元素原（分）子束、生长过程原位监测/反馈控制、洁净的超高真空环境、灵活的表面和界面精细控制手段等特点,在薄膜材料生长方面有着独特的技术优势,可以实现钙钛矿氧化物异质外延和异质结构中阳离子化学计量、表/界面原子构型和相关缺陷的精确控制。在本论文中,我们基于原位反射高能电子衍射（RHEED）实时监控手段,利用MBE技术分别在Sr Ti O3（STO）和La Al O3（LAO）衬底上实现了Sr Mn O3（SMO）异质外延单晶薄膜的制备,并对薄膜的生长规律、表面/界面、应力应变、缺陷分布以及电学特性开展了研究。主要研究内容和结果如下:一、在STO衬底上运用MBE技术成功实现了SMO单晶薄膜外延制备的化学计量比精确调控,获得了不同阳离子化学计量比制备条件对薄膜表面、结构、缺陷和电学响应特性的影响规律。首先,通过MBE共沉积生长方式探索了SMO/STO异质外延薄膜的生长条件和工艺。随后,在RHEED原位表面检测技术的支持下,通过观测和分析生长过程中RHEED强度振荡变化特性,系统研究并获得了MBE交替制备技术对SMO外延层化学计量比精细调控的规律,并分析了薄膜中不同阳离子化学计量比对薄膜表面和结构组成的影响,尤其对偏化学计量比导致的薄膜晶格膨胀现象和薄膜缺陷分布做了详细的分析和研究。最后,通过研究不同化学计量比SMO薄膜的介电响应的变化,探究了异质外延层中的缺陷状态、分布及其运动对薄膜介电特性的影响。二、通过化学腐蚀和热处理相结合的方法,获得了可控制备具有原子级平整度、单一截止面LAO衬底的工艺条件。通过选取不同的衬底起始面（混合界面和单一界面）和生长起始层（Sr-O和Mn-O）等初始生长条件,采用MBE逐层交替生长方法异质外延了高质量的SMO薄膜。采用TEM、EDS和EELS等微观结构和成分分析手段解释了SMO/LAO界面处晶格膨胀现象的产生机制。对比了不同应力状态下的界面缺陷类型,研究表明,处于拉伸应力状态下的外延薄膜会产生较高浓度的氧空位,而压应力情况下,异质界面处更容易产生阳离子空位。三、采用实验和理论计算相结合的方法,研究了STO衬底上外延SMO薄膜（受拉伸应力）中残余应力的释放机制。通过系统的SEM、TEM和EELS的表征和分析,对薄膜/界面的微裂纹区域进行了细致的微结构表征和成分分析。结合第一性原理对于不同应力状态下、不同晶格取向上氧空位的形成能的计算和分析,总结了不同应力应变条件下,与氧空位定向分布相关的SMO异质外延薄膜的残余应力释放机制。
马秀梅[2]（2021）在《电子显微学专业课的透射电镜样品制备实习课》文中指出电子显微学是一门技术性强、应用广泛的综合性学科,其中的透射电镜样品制备过程复杂。结合教学实践,详细介绍了电子显微学专业课教学过程中的透射电镜样品制备实习课的教学实施过程及其教学效果。透射电镜样品制备实习课的开设,做到了课堂教学与实验教学的紧密结合,以期取得更好的教学效果。
侯宇[3]（2021）在《熔盐堆用镍基高温合金离子辐照效应研究》文中研究表明
屈鹏鹏[4]（2021）在《热压/热变形Nd-Fe-B磁体的制备及晶界改性研究》文中研究指明钕铁硼（Nd-Fe-B）稀土永磁材料第一次面向世人是在20世纪80年代,之后经过不断地完善和研究,成功运用在工业生产上。而且因为其具有优异的磁性能等优势,所以被人们广泛的称为“磁王”。随着社会的不断发展,稀土永磁材料的技术也不断更新,它在一些新兴的朝阳产业中也显示出广阔的市场空间,如在风力发电、新能源汽车、磁悬浮等领域发挥着越来越重要的作用。Nd-Fe-B稀土永磁材料根据工艺生产的工艺方式不同,可分为烧结、粘结和热压热变形Nd-Fe-B三种。与传统的烧结Nd-Fe-B制备工艺相对比,热压热变形Nd-Fe-B磁体的制备方法具有工艺温度低、工艺时间短、晶粒细小等独特优点。热变形法是近30年来唯一一种在纳米晶硬磁性材料中诱导织构取向的实用技术。本文主要通过探索热压工艺参数制备综合性能优越的致密的各向同性热压磁体,再根据不同的热变形速率进行制备磁性能优异且取向良好的各向异性磁体。并且采用了晶界添加RE-Fe（RE为Pr,Nd,Dy）合金和热处理再扩散的方法来进一步提高热变形磁体的磁性能和热稳定性,并对其矫顽力增强机理和微观组织结构进行了研究分析。首先,本文利用商业纯MQU-M磁粉在不同的热压温度下来制备各向同性的热压Nd-Fe-B磁体。热压磁体主要由随机取向的等轴粗晶组成,随着热压温度的升高,其密度逐渐增加。最终发现在热压温度为650 ℃的时候制备的热压磁体,其综合磁性能最为优异。其次,当热变形温度为820 ℃时,选择不同的热变形速率进行制备热变形Nd-Fe-B磁体,实验中发现随着热变形速率的降低,热变形磁体的剩余磁化强度也逐渐变低。这是因为热变形速率的变慢,其保温时间延长,在高温下长时间变形,这很容易导致磁体的晶粒逐渐变大,从而产生了较大的变形阻力,不利于磁体的变形,最终导致了磁体的剩余磁化强度降低。因此我们选择综合性能最好的热变形磁体进行下一步实验。在热变形速率为1.0 mm/s,且热压温度和热变形温度分别为650 ℃和820 ℃的工艺参数下具有最好的综合磁性能,其Jr=1.41 Gs,（BH）max=46.5 MGOe,Hcj=12.55 k Oe。最后,选择变形速率为1 mm/s制备热变形磁体,并添加不同含量的Pr80Fe20、Nd80Fe20和Dy80Fe20合金,发现Dy80Fe20合金的添加效果更为优异。当添加2 wt.%Dy80Fe20合金时,热变形磁体的矫顽力Hcj从12.55 k Oe提高到18.23 k Oe,而Jr和（BH）max分别从14.1k Gs和46.5 MGOe降低到12.9 k Gs和39.3 MGOe。剩余磁化强度Jr的降低是由于取向度的降低和粉末薄片界面上过多的富RE相聚集,导致形成了没有取向的粗大晶粒区域。通过添加2 wt.%Dy-Fe后,剩磁温度系数α和矫顽力温度系数β分别从-0.1268%/℃和-0.6319%/℃增加到-0.1063%/℃和-0.5290%/℃,热稳定性得到了改善。并且添加2 wt.%Dy-Fe的热变形磁体比原时热变形磁体的Tc要高。通过晶间添加Dy-Fe合金,主相晶粒中的Pr或Nd原子被Dy原子部分取代,从而形成了（Pr/Nd,Dy）2Fe14B核壳结构,这也是矫顽力增加的原因之一。此外,通过在600 ℃下进行热处理再扩散,可以再次提高磁体的矫顽力。同时,富RE相的不均匀聚集现象会使得反磁化区域不均匀,从而导致了磁体的磁各向异性不均匀,这也导致了热变形磁体的回复曲线有开口的现象。本文通过研究制备各向异性热变形Nd-Fe-B磁体的制备工艺及其在保证剩余磁化强度不降低的情况下通过晶界添加的方法来进一步提升热变形磁体的矫顽力。该技术对于制备高矫顽力、高剩余磁化强度的热变形Nd-Fe-B磁体极具工业生产价值。
安浩诚[5]（2021）在《基于导电性能的石墨/铝基合金制备工艺研究》文中指出
贺超[6]（2021）在《CuZrAl非晶合金结构不均匀性调控及其对力学性能的影响》文中提出
郝烜宁[7]（2021）在《碱-矿渣混凝土缓凝技术研究》文中指出
谢蕊聪[8]（2020）在《二维金属硫族材料构效关系的电子显微学研究》文中进行了进一步梳理二维层状半导体材料因其在超薄（原子层厚度）的场效应管、异质结及可弯折的透明电子和光电器件等方面的潜在应用而备受关注。然而该类材料中层数、相结构、堆垛方式及缺陷对其性能影响显着。透射电子显微技术（TEM）是材料科学研究领域表征微观原子结构的一种强大手段。基于此,本文应用TEM,以二维SnS2和Pt Se2材料为对象,研究了SnS2应用于锂离子电池负极材料、SnS2的热稳定性及多晶Pt Se2二维材料在晶界处的应变场及其对电荷密度的分布的影响。1.层状SnS2（1T或1H相）由于其高的理论容量和多样化的结构特性,目前作为锂离子电池（LIBs）负极在学术界和工业界都受到广泛的关注。但是,由于在纯相SnS2的制备和原子结构表征方面存在困难,因此依赖于锂化/脱锂的确切的与结构有关的演化过程对我们仍然是未知的。我们在此报告了片状1T SnS2的制备及其在电池循环中作为LIBs负极的结构演变。首次利用原子图像显示出清晰的1T SnS2相。用TEM观察了其伴随着锂化/去锂化的形态和结构演变,并证明了与放电/充电平稳期相对应的清晰的插入-转化-脱插过程。这为将来纯相二维金属硫化物的制备及应用提供了指导。2.加热及电子束辐照是诱导二维（2D）金属二硫族化合物中发生结构相变的一种有效的方法,不同的相结构对材料的电导率,热导率和催化活性等都具有重要影响。在此,我们通过原位扫描透射电子显微镜（STEM）和能量色散谱（EDS）在原子尺度上观察到热处理后的SnS2中1T相和1H相之间的转变。SnS2在原位加热和电子束照射下由纯的1T相变为1T和1H混合相。第一性原理计算表明,1H和1T之间的相变是通过多层相变而不是逐层进行的。此外,发现混合SnS2相的带隙比报道的纯1T相小得多。我们的结果提供了二维SnS2的相转变机理的微观机理,并提出了如何使用加热和辐射来调节层状硫族化合物的光催化和电催化活性。3.应变效应能改变材料的电荷密度,从而影响材料的电特性以及表面的吸附或催化作用。在这里,我们通过原子级分辨率的高角度环形暗场像（HAADF）和差分相位衬度成像（DPC）的方法直接观察到了在应变作用下的多晶Pt Se2二维纳米材料中晶界处的原子排布及原子间电场分布。我们的结果揭示了应变对材料电荷密度分布的影响,为直接检查原子尺度材料中应变处的局部化学性质开辟了新的道路。这对揭示电化学机理,进而设计出性能更加优异的材料具有重要意义。本文研究工作的开展为二维材料在电子显微学中的研究提供了更多的思路,即为纯相二维材料的制备、其作为电极材料在锂电池中的反应机制、热效应及电子束辐照下发生的结构相变路径以及二维材料应变对电荷密度的影响都提供了指导。
童龙刚[9]（2019）在《锆合金相变点测试方法研究》文中认为锆具有优异的核性能,热中子吸收截面小,仅次于铍和镁,与纯铝接近,被誉为“原子时代的第一金属”。出于对中子经济性考虑,大量使用锆合金作为核反应堆包壳管,推动了锆合金的研究与开发。锆材工业化生产中关键工艺过程,包括真空自耗熔炼、高温锻造、β淬火（核级锆材）、高温挤压、轧制、退火等。选则合理加工工艺、热处理工艺可以提高材料应用性能。因此研究测试锆合金相变点,对材料热处理工艺提供理论依据。本文研究了稀有金属锆合金α/α+β相转变点以及β相转变点测试方法,包括金相法、同步热分析法（STA）、X射线衍射（XRD）、电子背散射衍射（EBSD）等多种技术方法。实验结果表明,金相法适用于普通实验室,方法简便,所测结果适合工业生产参考,STA适用于精度较高的科学研究项目,XRD、EBSD等能够为金相法测试结果提供理论保障。通过金相法测得Zr-3合金α/α+β相转变温度为805℃,β相转变温度为935℃;E110合金α/α+β相转变温度为745℃,β相转变温度为895℃;Zr-4合金α/α+β相转变温度为825℃,β相转变温度为975℃。同步热分析法测得Zr-3合金α/α+β相转变温度为816℃,β相转变温度为926℃;E110合金α/α+β相转变温度为758℃,β相转变温度为890℃。
杨光[10]（2018）在《全片层钛铝合金动态变形机制的电子显微学研究》文中研究指明γ-TiAl金属间化合物有高弹性模量、高强度、高硬度等特点,即使在高温使役环境下依然如此。由于这些出色的机械性能,基于γ-TiAl金属间化合物的钛铝合金成为了一种前景广阔的高温结构材料,一个典型的应用就是飞机发动机的低压涡轮叶片。由于钛铝合金全片层组织的PST（Polysynthetic twinned）晶体在高温下具有优良的力学性能,PST晶体表现出了提升TiAl低压涡轮叶片高温性能的潜力。低压涡轮叶片的开发需要材料冲击响应的有关知识,因此需要研究PST晶体的冲击（或者动态）变形行为。本文主要使用了透射电子显微术（Transmission electron microscopy,TEM）和球差校正扫描透射电子显微术等先进的材料学表征手段,研究了名义成分为Ti-49.5Al的PST晶体的动态变形行为。（1）发现了γ-TiAl金属间化合物动态变形的主要变形形式是变形孪晶、孪晶交截、剪切带和位错滑移。剪切带这种非晶体学的变形形式表明了 PST晶体的动态变形行为和准静态变形存在显着区别。在动态变形过程中发生了沿（111）主孪生面和（111）次孪生面的孪生过程,并观察到大量主次孪生面孪晶片层交截的现象。在变形的PST晶体中主孪生面孪晶片层可能是生长孪晶也有可能是变形孪晶,而次孪生面孪晶片层肯定是变形孪晶。主孪生面孪晶界上存在柏氏矢量为1/3<111>和1/6<112>的位错。1/6<112]真孪生不全位错可以独立地存在于孪晶界,然而1/6<211]伪孪生不全位错会与1/2<101]超不全位错共存于孪晶界。在实验中观察到两种类型的剪切带。类型Ⅰ剪切带主要是由孪晶片层组成的,其传播方向倾斜于剪切带内部的孪晶片层。类型Ⅰ剪切带是由相应的{111}晶面剪切而形成的,并且新的孪生过程发生在这些被剪切的{111}晶面上。由主孪生面剪切而形成的类型Ⅰ剪切带最常见,其数量远高于由其它{111}晶面剪切而形成的类型Ⅰ剪切带。类型Ⅰ剪切带带间的交互作用的主要形式是形成新的孪生过程,该孪生过程可以释放带间局部应力。类型Ⅱ剪切带是由严重畸变的次孪生面孪晶片层组成的,其传播方向近似平行于次孪生面。类型Ⅱ剪切带应该是由预先产生的次孪生面孪晶片层演化而来的。柏氏矢量为1/2<101]的超不全位错在滑移的过程中会产生反相畴界并发生交滑移。折线状的柏氏矢量为<011]的超晶格全位错贯穿了主孪生面孪晶片层。另外,弧形位错贯穿了主次孪生面孪生片层。（2）研究了原子尺度下位错和孪晶界的交互作用。在孪晶界上观察到了三类台阶位错,这些台阶位错揭示了位错和孪晶界间的交互作用。柏氏矢量为1/2<110>的台阶位错来源于孪晶界和相应可动位错的交互作用。在共格孪晶界残余的1/3<111]和1/6<211]位错揭示了可动的1/2<101>位错与晶界的交互作用。在实验中观察到紧邻共格孪晶界的反常堆垛层错。当沿[110]晶向观察时,反常堆垛层错的两个紧邻的（111）晶面原子层有相同的原子堆垛顺序但不同的原子种类,然而事实上沿[110]方向存在1/4[110]的位移。该反常堆垛应该是由1/12[112]位错的滑移而产生的。几何相位分析（Geometric phase analysis,GPA）的结果显示反常堆垛区域没有明显的应变。当交截前后入射孪晶的数目不一致时,动态变形可以促进在孪晶交截区域处非共格孪晶界的形成,这可以释放交截区域处的复杂应力。当交截前后入射孪晶的数目一致时,入射孪晶的传播常常是通过孪生位错在障碍孪晶片层的{111}晶面上滑移并贯穿障碍孪晶的方式完成的。另外,二次孪晶可以在孪晶交截区域形成。样品在冲击变形的过程中形成了透镜状的孪晶,这种孪晶应该是通过位错的极轴机制形成的。限于冲击应力状态的影响,这种孪晶的尺寸较小。（3）揭示了动态变形过程中孪晶片层特殊的变形形式。观察到了扭折的孪晶片层。当扭折的孪晶片层只有垂直于[101]晶向（即观察方向）的应变时,这些片层在高分辨TEM图像下的两个{111}晶面所成的夹角接近于70.5°。孪晶片层的扭折可以导致孪晶界上1/3<111>或1/6<112>的台阶位错、片层内部的层错和1/2<011>位错的形成。当扭折的孪晶片层沿[101]晶向（即观察方向）有扭折位移时,扭折孪晶片层在高分辨TEM图像下两个{111}晶面所成的夹角偏离70.5°,并且该角度随着片层位置的不同而发生变化。事实上这些扭折片层并没有发生晶体结构上的改变,角度变化只是TEM产生的假象。线衬度近似平行于[011]超位错的晶界贯穿了主次孪生面孪晶片层。一系列距离较近且近似平行的这种晶界可以造成主次孪生面孪晶片层呈现出S型起伏的形貌。在实验中观察到了由迹线近似平行的[011]超位错、晶界和严重扭曲的次孪生面孪晶界组成的变形带。晶界、孪晶片层的S型起伏和变形带这三种变形形式体现了冲击变形的不均匀性。观察到孪晶片层的三种非晶体学塑性变形形式:第一种是相同孪生面孪晶片层的小角度取向差异的交叠;第二种是孪晶片层的蜈蚣状弯曲的形貌;第三种是主孪生面孪晶界在应力作用下发生了迁移,由平直形貌转变成凸起状形貌。
二、晶体表面微观结构的反射电子显微术观察（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、晶体表面微观结构的反射电子显微术观察（论文提纲范文）
（1）锰酸锶异质外延单晶薄膜的制备及其界面和缺陷研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 SrMnO_3 薄膜的物理性能 |
| 1.2.1 界面电子态 |
| 1.2.2 电极化及磁学特性 |
| 1.3 SrMnO_3 薄膜的制备 |
| 1.3.1 SrMnO_3薄膜的PLD法制备 |
| 1.3.2 SrMnO_3薄膜的MBE法制备 |
| 1.4 钙钛矿氧化物薄膜的缺陷类型及形成机制 |
| 1.4.1 RP层错缺陷 |
| 1.4.2 A空位团簇与BO_x析出缺陷 |
| 1.4.3 氧空位缺陷 |
| 1.4.4 应力导致的阵列缺陷 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要内容 |
| 1.5.1 研究意义与目的 |
| 1.5.2 主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 研究方法与实验技术 |
| 2.1 分子束外延 |
| 2.1.1 分子束外延系统原理与特点 |
| 2.1.2 分子束外延系统组成 |
| 2.2 反射高能电子衍射 |
| 2.2.1 反射高能电子衍射的概述和结构 |
| 2.2.2 反射高能电子衍射的原理和振荡模型 |
| 2.3 薄膜表面和结构表征方法 |
| 2.3.1 原子力显微镜 |
| 2.3.2 X射线衍射技术 |
| 2.3.3 电子显微镜 |
| 2.3.4 聚焦离子束 |
| 2.4 基于综合物性测量系统的介电测试平台 |
| 参考文献 |
| 第三章 SrMnO_3/SrTiO_3异质外延生长及介电响应特性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SrMnO_3/SrTiO_3(001)的外延生长流程 |
| 3.2.1 Sr Ti O3 衬底的预处理 |
| 3.2.2 MBE薄膜制备实验步骤 |
| 3.3 SrMnO_3/SrTiO_3(001)的共生长探究 |
| 3.3.1 SrMnO_3/SrTiO_3(001)共生长过程 |
| 3.3.2 化学计量比对薄膜应变弛豫和生长的影响 |
| 3.4 交替生长MBE技术制备SrMnO_3异质外延层 |
| 3.4.1 基于RHEED的 SrMnO_3薄膜化学计量比的精确调控 |
| 3.4.2 化学计量比对SrMnO_3薄膜表面和结构的影响 |
| 3.4.3 偏化学计量SrMnO_3薄膜晶格膨胀现象探究及缺陷分析 |
| 3.5 不同阳离子化学计量比SrMnO_3薄膜的介电响应特性研究 |
| 3.5.1 阳离子化学计量比对SrMnO_3薄膜室温介电响应的影响 |
| 3.5.2 符合化学计量比SrMnO_3薄膜的介电响应特性研究 |
| 3.5.3 偏化学计量比SrMnO_3薄膜的介电响应特性研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 SrMnO_3/LaAlO_3异质外延生长及界面缺陷 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 SrMnO_3/LaAlO_3(001)的外延生长 |
| 4.2.1 LaAlO3 衬底处理 |
| 4.2.2 SrMnO_3/LaAlO_3的外延生长与基本表征 |
| 4.3 SrMnO_3/LaAlO_3的界面晶格膨胀现象探究 |
| 4.4 SrMnO_3薄膜的氧空位浓度分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 SrMnO_3异质外延层中残余应力的释放机制 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 微裂纹的形成与表征 |
| 5.3 微裂纹形成机理探究与第一性原理计算 |
| 5.4 氧空位浓度和应力状态对微裂纹形成的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 成果总结 |
| 6.2 展望 |
| 附录 Ⅰ 图表清单 |
| 附录 Ⅱ 作者简历及在学期间所取得的科研成果 |
| 作者简历 |
| 已发表的学术论文情况 |
| 获奖情况 |
| 附录 Ⅲ 致谢 |
（2）电子显微学专业课的透射电镜样品制备实习课（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 电子显微学课程特点 |
| 2 透射电镜及其样品制备简介 |
| 3 透射电镜样品制备实习课 |
| 4 结 语 |
（4）热压/热变形Nd-Fe-B磁体的制备及晶界改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 稀土永磁材料的发展 |
| 1.3 Nd-Fe-B永磁材料的类型 |
| 1.3.1 烧结Nd-Fe-B |
| 1.3.2 粘结Nd-Fe-B |
| 1.3.3 热压热变形Nd-Fe-B |
| 1.4 Nd-Fe-B类永磁材料中的相组成 |
| 1.4.1 Nd_2Fe_(14)B主相 |
| 1.4.2 富Nd相 |
| 1.4.3 富B相 |
| 1.5 热压热变形Nd-Fe-B磁体的制备 |
| 1.6 热变形工艺对热压热变形Nd-Fe-B磁体性能的影响 |
| 1.6.1 温度对热压热变形Nd-Fe-B磁体性能的影响 |
| 1.6.2 变形量对热压热变形Nd-Fe-B磁体性能的影响 |
| 1.6.3 变形速率对热压热变形Nd-Fe-B磁体性能的影响 |
| 1.7 晶界添加方法的研究进展 |
| 1.7.1 高熔点物质的添加 |
| 1.7.2 低熔点合金的添加 |
| 1.8 晶界扩散方法的研究进展 |
| 1.8.1 贴片法 |
| 1.8.2 磁控溅射法 |
| 1.9 热变形Nd-Fe-B磁体的蠕变本构方程 |
| 1.9.1 蠕变现象和蠕变曲线 |
| 1.9.2 蠕变产生的机理 |
| 1.9.3 蠕变本构方程 |
| 1.10 论文选题意义与主要内容 |
| 1.10.1 本论文的选题意义 |
| 1.10.2 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验技术路线及研究方案 |
| 2.1.1 实验技术路线 |
| 2.1.2 实验方案 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 样品制备设备 |
| 2.3.1 高真空电弧熔炼系统 |
| 2.3.2 高真空快淬系统 |
| 2.3.3 热压烧结炉系统 |
| 2.3.4 高真空管式烧结炉系统 |
| 2.3.5 电火花数控线切割机床 |
| 2.4 样品表征设备 |
| 2.4.1 综合物性测量系统(PPMS) |
| 2.4.2 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.4.3 差示扫描量热仪(DSC) |
| 2.4.4 扫描电子显微镜(SEM) |
| 第三章 热压温度对热变形Nd-Fe-B磁体组织演变及磁性能的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 不同热压温度对热压Nd-Fe-B磁体的影响 |
| 3.2.1 不同热压温度对热压Nd-Fe-B磁体密度的影响 |
| 3.2.2 不同热压温度对热压Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 3.2.3 热压Nd-Fe-B磁体的断口微观组织形貌 |
| 3.3 不同热压温度的磁体对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 3.4 热变形Nd-Fe-B磁体的断口微观组织形貌 |
| 3.5 热压磁体和热变形磁体的表面微观组织形貌 |
| 3.6 热处理对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 3.7 结论 |
| 第四章 热变形速率对热变形Nd-Fe-B磁体组织演变及磁性能的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 热变形速率对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 4.3 热变形速率对热变形Nd-Fe-B磁体晶粒取向的影响 |
| 4.4 热变形速率对热变形Nd-Fe-B磁体热稳定性的影响 |
| 4.5 热变形速率对热变形Nd-Fe-B磁体微观结构的影响 |
| 4.6 热变形速率对热变形Nd-Fe-B磁体回复曲线的影响 |
| 4.7 蠕变本构方程在热变形Nd-Fe-B中的探索 |
| 4.8 结论 |
| 第五章 添加RE_(80)Fe_(20)合金对热变形Nd-Fe-B磁体组织演变和磁性能的影响 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 不同二元合金RE_(80)Fe_(20)添加对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 5.3.1 不同二元合金Pr_(80)Fe_(20)添加量对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 5.3.2 不同二元合金Pr_(80)Fe_(20)添加量对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 5.3.3 不同二元合金Pr_(80)Fe_(20)添加量对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 5.4 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体的影响 |
| 5.4.1 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体磁性能的影响 |
| 5.4.2 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体热稳定性的影响 |
| 5.4.3 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体晶粒取向度的影响 |
| 5.4.4 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体微观结构的影响 |
| 5.4.5 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体回复曲线的影响 |
| 5.4.6 Dy_(80)Fe_(20)合金添加对热变形Nd-Fe-B磁体居里温度的影响 |
| 5.5 结论 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（8）二维金属硫族材料构效关系的电子显微学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维材料 |
| 1.2.1 二维材料的发展历程 |
| 1.2.2 二维材料的电子显微学研究现状及优势 |
| 1.3 本论文的研究内容及意义 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究意义 |
| 第二章 结构及性能表征仪器设备 |
| 2.1 实验仪器 |
| 2.2 结构表征设备和研究方法 |
| 2.2.1 透射电子显微镜的原理及相关技术 |
| 2.2.1.1 透射电子显微镜的原理与结构 |
| 2.2.1.2 高分辨电子显微术 |
| 2.2.1.3 选区电子衍射 |
| 2.2.1.4 扫描透射电子显微术 |
| 2.2.1.5 X射线能谱分析 |
| 2.2.1.6 电子能量损失谱 |
| 2.2.1.7 差分相位衬度分析 |
| 2.2.1.8 原位电子显微学 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜的原理 |
| 2.2.3 X射线衍射图谱分析 |
| 第三章 1T-SnS_2负极锂化/脱锂化结构演变的TEM研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 1T-SnS_2纳米片的制备 |
| 3.2.2 电池的制备 |
| 3.2.3 样品的表征 |
| 3.3 实验结果 |
| 3.3.1 1T-SnS_2与混合相SnS_2的形貌与结构表征 |
| 3.3.2 1T-SnS_2锂化/脱锂化过程中的结构演变表征 |
| 3.4 讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 层状SnS_2相变的原位TEM研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 纯1T SnS_2纳米片TEM样品的制备 |
| 4.2.2 TEM实验 |
| 4.2.3 第一性原理计算 |
| 4.3 实验结果 |
| 4.3.1 SnS_2形貌与结构表征 |
| 4.3.2 SnS_2相变过程的原位表征 |
| 4.3.3 第一性原理计算 |
| 4.3.4 SnS_2相变过程的模拟 |
| 4.4 讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 PtSe_2晶界处应变和电荷密度分布的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 PtSe_2晶界处应变分析 |
| 5.3.2 PtSe_2晶界处微观结构表征及电荷密度分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间取得的科研成果和科研情况说明 |
| 致谢 |
（9）锆合金相变点测试方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 核电的发展 |
| 1.2.1 世界核电的发展 |
| 1.2.2 我国核电的发展 |
| 1.3 核反应堆与燃料包壳材料 |
| 1.4 锆及其合金概述 |
| 1.4.1 锆的发现 |
| 1.4.2 锆的冶炼 |
| 1.5 锆及其合金的应用 |
| 1.5.1 核工业的应用 |
| 1.5.2 化工行业的应用 |
| 1.5.3 锆的化合物及其应用 |
| 1.6 锆的基础知识 |
| 1.6.1 晶体学 |
| 1.6.2 锆的性能 |
| 1.7 本文研究意义及内容 |
| 1.7.1 研究意义 |
| 1.7.2 研究内容 |
| 2 研究方案与实验方法 |
| 2.1 研究方案 |
| 2.2 合金牌号选择 |
| 2.3 试验方法 |
| 2.3.1 热处理 |
| 2.3.2 金相制样 |
| 2.3.3 光学显微镜观察分析 |
| 2.3.4 扫描电镜技术 |
| 2.3.5 XRD技术、EBSD表征 |
| 2.4 同步热分析表征 |
| 3 金相法测试锆合金相变点 |
| 3.1 锆合金原始组织形貌 |
| 3.2 锆合金热处理 |
| 3.3 热处理温度与锆合金组织演变规律 |
| 3.4 淬火组织定量分析 |
| 3.5 扫描电镜观察淬火组织 |
| 3.6 XRD分析 |
| 3.7 EBSD分析 |
| 3.8 本章小结 |
| 4 同步热分析法测试锆合金相变点 |
| 4.1 分析方法参数设置 |
| 4.1.1 参数设置 |
| 4.1.2 试验方法 |
| 4.2 DSC曲线分析 |
| 4.2.1 DSC曲线 |
| 4.2.2 测定结果 |
| 4.3 金相法与同步热分析法对测定结果的影响 |
| 4.3.1 相转变机理 |
| 4.3.2 金相法特点 |
| 4.3.3 同步热分析法特点 |
| 4.3.4 两种方法测试结果的比较 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读硕士期间获奖及发表论文情况 |
| 攻读硕士期间申请的发明专利 |
（10）全片层钛铝合金动态变形机制的电子显微学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 金属间化合物概述 |
| 1.2 TiA1合金的发展和应用 |
| 1.3 TiAl合金的制备 |
| 1.4 TiAl合金显微组织的控制 |
| 1.5 TiAl合金的合金化 |
| 1.6 两相片层结构中板条间的取向关系 |
| 1.7 TiAl合金的位错、孪晶和相变 |
| 1.7.1 TiAl中的位错 |
| 1.7.2 TiAl中的孪晶 |
| 1.7.2.1 孪晶的种类 |
| 1.7.2.2 变形真孪晶的形成方式 |
| 1.7.2.3 变形真孪晶的交截 |
| 1.7.2.4 变形伪孪晶 |
| 1.7.3 TiAl中的相变 |
| 1.8 本研究的目的和意义 |
| 第2章 实验方法及原理 |
| 2.1 实验样品制备的方法和原理 |
| 2.1.1 光学浮区熔炼法及原理 |
| 2.1.2 冲击实验及原理 |
| 2.2 透射电子显微术 |
| 2.2.1 透射电子显微镜的原理和构造 |
| 2.2.2 电子和物质的交互作用 |
| 2.2.3 电子衍射和衍衬分析 |
| 2.2.4 高分辨透射电子显微术 |
| 2.2.5 扫描透射电子显微术 |
| 2.2.6 像差及其矫正的原理 |
| 2.2.7 电子显微学表征工具 |
| 第3章 TiAl合金PST晶体的动态变形行为 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 材料和实验方法 |
| 3.3 生长和变形样品中的孪晶片层 |
| 3.3.1 生长样品的实验观察 |
| 3.3.2 变形样品的实验观察 |
| 3.3.2.1 孪晶和变形带 |
| 3.3.2.2 孪晶片层及其交截 |
| 3.3.2.3 孪晶界上的台阶 |
| 3.4 倾斜的主孪生面片层组成的剪切带 |
| 3.5 近似平行于次孪生面传播的剪切带 |
| 3.6 冲击变形样品中的位错 |
| 3.6.1 超晶格不全位错 |
| 3.6.2 折线状位错 |
| 3.6.3 弧线状位错 |
| 3.6.4 分析与讨论 |
| 3.7 由{111}晶面剪切而形成的剪切带 |
| 3.7.1 类型Ⅰ剪切带的形成方式 |
| 3.7.2 类型Ⅰ剪切带的交互作用 |
| 3.8 动态变形与准静态变形 |
| 3.9 本章小结 |
| 第4章 TiAl合金PST晶体中位错和孪晶界的交互作用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品和实验方法 |
| 4.3 位错和孪晶界的交互作用 |
| 4.3.1 主次孪生面孪晶片层 |
| 4.3.2 孪晶界上的台阶位错 |
| 4.4 反常堆垛 |
| 4.5 孪晶片层的交截 |
| 4.6 极轴孪晶 |
| 4.6.1 孪晶的实验观察 |
| 4.6.2 孪晶的宏观形成过程 |
| 4.6.3 孪晶的微观形成机制 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 TiAl合金PST晶体中孪晶片层的动态变形行为 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 孪晶片层的扭折 |
| 5.2.1 第一类扭折片层 |
| 5.2.2 第二类扭折片层 |
| 5.2.2.1 HRTEM观察 |
| 5.2.2.2 HAADF STEM观察 |
| 5.2.2.3 孪晶片层扭折的讨论 |
| 5.3 晶界和变形带 |
| 5.3.1 贯通孪晶片层的晶界 |
| 5.3.2 孪晶片层的S型起伏 |
| 5.3.3 孪晶片层中的变形带 |
| 5.4 孪晶片层的非晶体学变形形式 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 创新点和后续工作展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 作者简介 |
四、晶体表面微观结构的反射电子显微术观察（论文参考文献）
- [1]锰酸锶异质外延单晶薄膜的制备及其界面和缺陷研究[D]. 刘晴晴. 华东师范大学, 2021
- [2]电子显微学专业课的透射电镜样品制备实习课[J]. 马秀梅. 实验室研究与探索, 2021(11)
- [3]熔盐堆用镍基高温合金离子辐照效应研究[D]. 侯宇. 江苏科技大学, 2021
- [4]热压/热变形Nd-Fe-B磁体的制备及晶界改性研究[D]. 屈鹏鹏. 江西理工大学, 2021(01)
- [5]基于导电性能的石墨/铝基合金制备工艺研究[D]. 安浩诚. 重庆交通大学, 2021
- [6]CuZrAl非晶合金结构不均匀性调控及其对力学性能的影响[D]. 贺超. 哈尔滨工业大学, 2021
- [7]碱-矿渣混凝土缓凝技术研究[D]. 郝烜宁. 哈尔滨工业大学, 2021
- [8]二维金属硫族材料构效关系的电子显微学研究[D]. 谢蕊聪. 天津理工大学, 2020(05)
- [9]锆合金相变点测试方法研究[D]. 童龙刚. 西安建筑科技大学, 2019(06)
- [10]全片层钛铝合金动态变形机制的电子显微学研究[D]. 杨光. 东北大学, 2018(01)