一、单片铁氧体存储器（论文文献综述）
高熠斌[1]（2021）在《Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22铁氧体薄膜制备工艺以及磁性能研究》文中认为本论文研究了Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22Y型六角铁氧体靶材和薄膜的制备工艺及磁性能。主要研究内容及结论如下:利用传统固相法烧结法制备Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22块材,并探究了Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22块材微观结构和性能。研究发现,在磁性方面,Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22铁氧体在90 K附近主要是一种自旋玻璃态存在,330 K附近的磁相变对应锥形磁结构转变。Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22铁氧体锥形磁相变的磁有序温度高于室温,有希望应用于非易失性存储器。采用脉冲激光沉积法制备Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜,通过使用X射线衍射、综合物性测量系统以及场发射扫描电镜等测试手段对铁氧体薄膜外观以及性能进行表征,探索了制备Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜的沉积工艺参数;研究了在Sr Ti O3（111）基底上制备的Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜,不同的基底温度对薄膜生长的影响;最后,通过在不同沉积时间下得到的Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜厚度,并探索薄膜厚度对薄膜取向生长及磁性能的影响,制备出了c轴垂直膜面高度取向生长的Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜。研究结果表明:溅射频率为10 Hz,溅射氧气压为20 Pa,基底温度为720℃,沉积时长为20 min,退火温度为1170℃时,所制备的Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜具有最佳性能;随着薄膜厚度的增加会使生长在Sr Ti O3（111）基底上的Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜的晶粒c轴取向生长逐渐变差。沉积时间与基底温度能有效改善Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜的c轴垂直膜面取向生长。Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜在300nm-500 nm的厚度下仍然表现出了较高的磁晶各向异性,这对于Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22薄膜应用于单片微波集成电路具有重要意义。
仲佼佼[2]（2020）在《含铁氧体、磁光材料层状结构的光学拓扑转换和双曲频带特性研究》文中研究表明双曲超材料是人造的亚波长结构的介质,具有异常的光学特性,在远场亚波长成像、纳米光刻和发射工程等领域有着广泛的应用。双曲超材料是各向异性的介质,其特点是色散关系等频面为双曲型,而非传统材料的椭球型。正如费米表面的拓扑形状定义了金属和半导体中自由电子的特性一样,传播电磁波的相空间中等频表面的几何形状也决定了这些材料的光学特性。此外,类比凝聚态物理中的Lifshitz跃迁,等频表面拓扑结构的转换对电磁波的发射、传播和散射都产生了巨大影响。近年来,超材料的研究重点已转移到有源和可调谐特性上。保留许多异常特性和功能的简化结构也是超材料的研究热点之一。本文将用存在外加磁场的特殊材料取代传统的各向同性材料层构造双曲材料,并通过调节外加磁场强度,研究双曲材料的等频面拓扑结构转换、双曲频带等光学特性,具体的研究工作如下:首先了解双曲超材料的相关特性,不同于以往的各向同性材料,本文采用各向异性层构造双曲超材料。在外加磁场下铁氧体、磁光材料分别表现出磁各向异性和电各向异性,深入了解铁氧体、磁光材料的光学特性和材料参数随外加磁场变化的规律。然后对两种常用的求解色散方程的方法的原理以及其优缺点进行介绍。等效介质理论是把复合结构当成一个均匀的材料,求出其等效参数,代入Maxwell方程,从而得到色散方程。传输矩阵法是考虑到复合结构的层状特点,用传输矩阵将相隔一个周期的两个界面的波振幅联系起来,再结合Bloch定理推导色散方程。本文在已有的研究基础上基于传输矩阵和Bloch定理,对各向异性层构造的双层周期结构的色散方程进行推导,为后面对色散特性的仿真分析做准备。接下来对铁氧体单个材料的双曲特性进行研究,分析等频面拓扑结构变化规律。仿真发现外加磁场可以改变双曲带宽范围,能够调节频带宽度,这对双曲材料具有重要意义。接下来,考虑各向同性铁氧体材料与电介质构造双层周期结构以及各向异性铁氧体材料的双层周期结构,用两种方法求出色散方程并分析光学拓扑转换和双曲频带等特性。这种复合结构由于表面等离子体激元可以产生新的拓扑结构。该拓扑结构是椭球面和单叶双曲面的混合。最后研究磁光材料和磁光材料-电介质复合结构的色散特性,根据色散方程画出等频面拓扑转换图并总结其频带宽度随外加磁场变化的规律。磁光材料构造的电双曲中,同样可以产生新的拓扑结构并实现双曲带宽的调控,与铁氧体构造的磁双曲相比,又有独特之处,综上对特殊材料层构造电、磁双曲总结了共性并分析各自材料特点,为后续的各向异性材料在双曲领域的应用奠定基础。
王梦帆[3]（2020）在《轴类零件校直机智能检测模块研究设计》文中研究指明轴类零件在生产加工和热处理的过程中,会产生弯曲变形,需要用校直机对其进行校直处理,以保证轴件能够正常使用。国外校直机的技术水平远超国内,国产校直机和外国的水平差距在于智能化、自动化和测量精度。检测部分是校直机的重要部分,直线度检测工作为校直工作提供轴件的弯曲值,也用以进行校直效果的检验。本文提出一种轴类零件校直机智能检测模块设计,以降低校直机设计开发周期,降低制造成本,提高设备维护效率。根据校直机检测工作的过程,本文进行直线度检测方法的理论分析研究,从硬件软件两方面进行智能检测模块的设计。主要研究内容如下:（1）理论分析研究。直线度检测时工作环境的噪声,工件表面的毛刺凹坑,传感器的误差,都会导致测量误差。硬件方面使用高分辨率高线性度的传感器,增加降耦去噪电路,降低误差。软件方面使用限幅滤波法和傅里叶拟合方法除噪。对校直机夹具的两个顶尖未对齐时,对检测过程的影响进行分析,使用最小二乘法计算截面圆心,使用两端连线法建立轴线的数学模型,采用将空间曲线进行平面拟合后再合成空间曲线的方法拟合轴线。（2）硬件设计。选择DSP（数字信号处理器）芯片TMS320F28335作为主处理芯片,选择逐次逼近型模数转换器作为模数转换芯片,选用精度高的差动变压式位移传感器和16位精度6通道的A/D7656-1芯片进行数据采集,通讯方案选择以太网网络接口,以W5100网络接口芯片和上位机通信交换信息,选择可以控制步数精度高的步进电机,配有驱动器,用串口通信的方式就可以控制电机运行。（3）软件设计、调试。在CCS（Code Composer Studio）集成开发环境下进行程序设计和调试。实现了采集轴件表面信息,处理计算最大弯曲度信息,并和上位机通讯,完成了轴类零件校直机智能检测模块的工作。
兰冉冉[4]（2020）在《稀土元素改性钡铁氧体/PVDF复合薄膜的制备及其性能的研究》文中研究表明聚偏氟乙烯（PVDF）材料具有优良的铁电与压电性能,可制作传感器、存储器和多功能膜器件等。因此,聚偏氟乙烯材料被广泛应用于医疗、通讯、新能源和环境保护等领域。铁电陶瓷/聚合物复合材料是一种新型的聚合物复合材料,具有良好的耐力和较宽工作温度范围,通过掺杂磁性材料（如铁酸钡Ba Fe12O19）等制备PVDF复合薄膜,不仅可以使得材料的介电及热力学性质有很大的改善,而且可以实现铁电和铁磁共存。这种材料未来有望用于制造新型能量转换材料、高效能传感器和高密度数据存储设备等,因而开展相关研究在基础理论和实际应用上均具有重要意义。本论文中,PVDF为铁电基体,以高温固相法制备出用稀土元素镧和铈改性钡铁氧体的两种无机粉体Ba0.8Ce0.2Fe12O19（简写BCFO）和Ba0.8La0.2Fe12O19（简写BLFO）。通过流延法制备了BLFO/PVDF、BCFO/PVDF复合薄膜。本论文研究了无机粉末含量的变化对复合膜多铁性的影响,以及温度变化和磁场对复合膜稳定性的影响。研究发现我们获得了磁学性能、介电性能以及力学性质均有所提高的复合薄膜。同时,考察了磁场对介电性质的影响,在磁场作用下,复合膜介电常数明显提高,介电损耗相对较小。BLFO/PVDF复合薄膜的拉伸强度比纯PVDF薄膜大幅度增强。研究中利用电子扫描显微镜,原子力显微镜,X射线衍射仪,DSC以及傅里叶红外光谱等手段对复合膜的微观结构和热力学性质等进行了观察和表征,并且对其机理作了初步的讨论与分析。DSC测试结果显示,BLFO/PVDF复合薄膜样品的焓变值比纯PVDF有所增加,表明可能由于磁性元素的加入,在PVDF分子中形成了新的联接与耦合方式。相关机制的揭示与了解,将有助于今后进一步深入探究该类复合膜的磁学、电学和力学性能及其它们相互之间的耦合效应,为研制和发明具有多功能的新型多铁性聚合物,开发与开拓更广泛的实际应用提供新的途径和方法。
顾健[5]（2020）在《钛酸钡在Si基板上的制备及其作为MOS和磁电耦合单元应用的探索》文中研究指明钛酸钡材料（BaTiO3,BTO）沉积到Si基板之后形成的BTO/Si异质结构在MOS晶体管、太阳能电池等领域表现出了巨大的应用潜力。对于这种氧化物/Si结构来说,界面处形成可控的且强度够高的内建电场至关重要。然而,对于传统的晶态氧化物,受到材料固溶度的限制,通过掺杂的方法难以在不改变材料性能的同时获得满足器件要求的载流子浓度。因而探索一种新的方法来控制材料中产生足量且可控的可参与形成内建电场的有效载流子对拓展相关半导体器件的应用有重大意义。本文以p-Si（111）为基板,利用RF磁控溅射在室温下先沉积而后再进行后续热处理的方法制备出了具有某种特定网络结构的非晶态BTO薄膜。结果发现,非晶态BTO薄膜的网络结构状态可以通过退火进行调整:退火温度从沉积态升高到420℃时,Ti与O之间不断地通过共价键进行键合,Ti-O网络逐渐完整,这将使O 1s与Ti 2p的结合能差从71.53eV升高到71.67eV;当退火温度继续升高时,Ti-O网络畸变程度下降,O 1s与Ti 2p的结合能差开始下降。Ti-O网络的这种不同的形成状态决定了BTO/p-Si界面处内建电场的大小:当退火温度低于340℃时,BTO/p-Si异质结的平带电压仅约为-3V;而当退火温度达到370℃及以上时,平带电压剧烈改变,达到了约-13V;而当退火温度继续升高到500℃时,平带电压恢复为约-3V;对于700℃退火的晶态BTO薄膜,其平带电压仅为-1V左右。另一方面,针对目前难以在Si基板上获得具有1-3型结构复相多铁薄膜的难点,本文利用RF磁控溅射在p-Si（111）基板上制备了BTO与Ni0.5Zn0.5Fe2O4（NZFO）复合形成的BTO-NZFO复相薄膜。结果表明,800～1000℃的退火处理将使薄膜中的NZFO呈独立颗粒状分布,颗粒尺寸约为1μm,使薄膜表现出类似1-3型的结构,并且这些NZFO相具有（100）的晶体学择优取向。
余鸿坤[6]（2019）在《一种新型智能配电控制模块的设计与研究》文中指出固态功率控制器（SSPC）是一种基于MOSFET、IGBT等半导体功率器件,具有功率切换能力且过流保护的无触点开关部件,是智能配电系统中的重要组成部分,被广泛应用于航空航天、兵器船舶等智能配电及控制领域。现有固态功率控制器为订制产品,为满足型号系统的标准化、通用化、小型化的任务要求,固态功率控制器的通用化,集成化设计成为下一步发展的重点。本文以现有固态功率控制器的功能为基础,以FPGA为开发平台,以新型智能配电控制模块的工程研制为应用背景,探索了实现通用化、集成型化的设计思路和方法。基于现有的固态功率控制器发展现状,要进一步做到通用化,集成化,可以从三个方面来进行:功能电路的模块化、外形结构的标准化和时序逻辑电路的集成化。新型智能配电控制模块正是围绕这三个方面,开展了研究和设计工作。基于FPGA开发的软核,可移植性强,允许用户自配置,并且相对于MCU、DSP等芯片FPGA在并行处理上有明显优势,因此采用FPGA作为智能配电控制模块的核心器件,其余功能电路围绕着FPGA单元进行模块化设计。设计过程中,综合各个模块电路的常用设计方案,经过各方案的对比结合具体的使用要求,优化了各模块电路的设计。并依据GJB/Z1391-2009进行可靠性分析,通过故障模式、影响和危害性分析,识别薄弱环节,并采取了冗余设计和降额使用的措施,降低失效的风险。最后采用可靠性预计方法评估智能配电控制模块的可靠性。最后参照电磁兼容项目的测试要求,开展了针对性的电路优化。鉴于现有的固态功率控制器种类繁多,外形不统一,新型智能配电控制模块采用了标准CPCI板卡的外形结构,以符合外形的通用化要求。对常用的材料的成分、抗腐蚀性进行了详细的对比分析,选定满足军用环境使用要求的材料。遵循电磁兼容设计的原则,开展外壳和印制板的设计。采用ANSYS软件仿真的方法,对智能配电控制模块进行强度分析和热分析,分别验证结构设计的强度和散热性能。时序逻辑电路可集成化的部分为短路过流保护和CAN总线控制器。过流保护是基于断路器的热脱扣原理,同时结合了反时限保护算法来实现。CAN总线控制器的设计,参考成熟的独立CAN总线控制器SJA1000的工作原理和寄存器的配置,同时对照CAN通信的标准来进行设计。软件的设计基于Actel公司开发的软件工具套件Libero IDE进行模块建模、仿真及综合。按照以上思路进行了新型智能配电控制模块的工程研制,按预期的目标进行绝缘测试,功能测试、随机振动试验、温升试验,电磁兼容的部分项目测试,以上的测试和试验结果表明,设计的新型智能配电控制模块实现了预期设计指标,在一定程度上实现了现有固态功率控制器的通用化、集成化。
张云[7]（2018）在《MHD角速度传感器微弱信号低噪声提取方法研究》文中进行了进一步梳理空间结构微角振动是限制对地观测系统空间分辨率和平台姿态稳定度的重要因素之一。与传统陀螺仪相比,磁流体动力学（Magnetohydrodynamic,MHD）角速度传感器兼具亚微弧度测量精度和千赫兹带宽的优点,尤其适用于空间结构微角振动的测量。由于MHD角速度传感器内部的敏感元件输出信号微弱,易受噪声干扰,为保证传感器的低噪声特性,本文针对传感器微弱信号低噪声提取方法进行了如下研究:首先,研究了MHD角速度传感器敏感元件模型的低噪声设计方法,在此基础上设计了一种使用有源分立器件并联方式的直接耦合放大电路,来改善放大电路的噪声性能。噪声测量实验表明该直接耦合放大电路的等效输入噪声为（?）量级。其次,提出了一种基于磁场调制的传感器微弱信号提取方法,解决直接耦合放大电路易受运算放大器1/f噪声和其它低频噪声干扰的问题,拟通过调制磁场实现MHD角速度传感器输出信号的幅度调制。最后,设计了MHD角速度传感器的磁场发生装置,用于生成交变磁场。设计了一种增益可自动调节的磁场驱动装置,解决了交变磁场幅值易受外界干扰不稳定问题,系统测试表明螺线管生成的磁场频率为10.6kHz,磁感应强度幅值有效值为16.9mT,满足了理论设计要求,为基于磁场调制的微弱信号提取提供了稳定的高频载波信号。
王旭亮[8]（2018）在《铁酸钇粉体及薄膜的制备与性能研究》文中研究说明铁酸钇（YIG）材料由于其优异的旋波特性而被广泛应用于微波通讯和磁光传感领域,如环行器、移相器、磁光隔离器等。现阶段YIG粉体制备主要存在的问题是粉体烧结温度过高,产物相结构纯度不够,YIG薄膜制备主要存在的问题是传统物理制备法成本较高、工艺复杂、灵活度低,不利于硅基光通讯器件的集成化和微型化。针对以上问题,本文采用溶胶凝胶自蔓延燃烧法在较低的煅烧温度下制备纯相YIG粉体,并利用溶胶凝胶法在Si片上通过生长取向生长的YIP缓冲层制备出了纯相YIG薄膜。采用溶胶凝胶自蔓延燃烧法以柠檬酸作为络合剂在较低的煅烧温度（700度）制得纯相YIG粉体。通过分析不同柠檬酸与金属离子摩尔配比（CA/M）溶胶的红外谱图及产物XRD谱图,找到了柠檬酸的量对产物相纯度的影响规律。通过分析前驱体DTG/DSC图谱制定了前驱体粉体煅烧曲线。通过对比水系溶胶和酒精系溶胶产物SEM图谱,分析了溶胶体系对最终产物的影响规律。通过分析不同煅烧时间产物的XRD图谱,阐明了溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备YIG粉体的相结构形成过程。利用溶胶凝胶法在Si片上通过生长取向YIP缓冲层制备出了纯相YIG薄膜。通过分析不同溶胶配比、不同煅烧气氛和不同升温速率产物的XRD和SEM,优化得到表面平整无开裂的纯相YIP缓冲层制备工艺。通过对比Si衬底YIG生长层在不同煅烧时间下的XRD图谱,分析了利用缓冲层生长YIG薄膜的相结构形成过程。通过对比石英和Si衬底上YIG薄膜以及GGG衬底液相外延YIG薄膜的拉曼光谱,分析了衬底对薄膜生长的影响机制。搭建了一套显微磁光克尔效应测量系统,该系统使用Labview语言编程,同时集成磁场动作及数据采集功能。利用该系统对Si基YIG薄膜上的光斑聚焦区域进行磁光克尔效应测量,发现Si基YIG薄膜在微米尺度具有明显的磁光克尔效应。
彭承尧[9]（2017）在《4.6GHz/250KW环行器温度补偿器的设计与实现》文中认为环行器是4.6GHz/6MW低杂波系统传输线的重要组成部分,在EAST实验放电期间能够吸收从负载反射回来的大功率微波能量,起到了保护速调管的作用。在高功率长脉冲的工作条件下,环行器的性能会受到温度变化的影响。温度补偿器正是为了补偿这种影响而设计的。本文详细阐述了温度补偿器的工作原理以及软硬件设计,研究并解决了环行器性能受温度影响的问题。论文首先简要介绍了 EAST低杂波电流驱动系统,描述了环行器在低杂波系统中的作用以及工作原理,进而详细分析了温度对环行器性能的影响。在此基础上提出了利用温度补偿器来补偿温度对环行器性能造成的影响。温度补偿器的工作原理和软硬件设计是本文的重点。环行器的特性是能够定向传输微波,这种特性主要是靠铁氧体来实现的。铁氧体以及为铁氧体提供偏置磁场的磁钢特性会受到温度的影响,导致环行器的性能受到影响。温度补偿器的原理就是在磁钢的周围缠绕线圈并通以电流,来补偿温度变化对环行器性能造成的影响,电流的大小是通过测量环行器水冷管入水口温度、出水口温度以及环境温度并通过相关的算法计算得到的。温度补偿器的硬件设计包括温度测量模块、信号传输模块、可控直流电流源、主控模块以及显示模块。可控直流电流源和主控模块是温度补偿器硬件设计的主要部分,它们分别是基于TMS320F28027和PIC18F44J11而设计的。温度补偿器的软件设计包括温度补偿算法的研究、电流源软件设计以及主控MCU软件设计。温度补偿算法是在理论推导出的公式模型基础上采用数据拟合的方法研究出来的。电流源的软件设计主要是电流源的控制方法和通信协议,电流源的控制策略是基于数字增量式PI控制,电流源的通信采用基本主从应答模式。主控MCU与温度巡检仪的通信协议采用的是Modbus通信协议,主控MCU软件设计还包括LED驱动程序设计和LCD驱动程序设计。论文的最后介绍了温度补偿器的测试,并给出了测试结果,结果分析表明温度补偿器能够对环行器的性能起到很好的补偿效果。
谭立容[10]（2014）在《基于铁氧体加载基片集成波导的频率可调天线研究》文中研究指明目前,随着无线通信系统中需要的天线数量增多,造成通信系统的整体成本和重量增加、带来了天线之间的电磁干扰等问题,因此人们希望能够用一个天线来实现多个天线的功能。在此背景下,人们提出了"可重构天线"或"可调天线"这个概念。基于基片集成波导技术的可重构天线研究是一个全新的课题。基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide,SIW）技术是近年来提出的一种平面类波导结构,它具有类似于传统矩形金属波导的传播特性,这种特性是通过在上下底面为金属层的低损耗介质基片上利用两侧周期性金属化通孔而实现的。基片集成波导器件具有低剖面、高品质因数、易和平面电路集成等优点。利用这些优点人们已研究了基片集成波导在天线方面的应用,在可重构天线应用研究中目前主要集中在通过电子器件等来实现电可调天线。利用天线中所用材料的本征特性来改变天线的工作频率也是实现频率可调天线的一种有效方法。本论文着重研究了铁氧体加载基片集成波导在低剖面频率可调天线设计中的应用。对比分析了铁氧体加载基片集成波导和普通基片集成波导传输特性,探讨了偏置磁场作用下铁氧体加载基片集成波导传输参数的可调性,研究了基于铁氧体加载基片集成波导天线的工作原理,以及铁氧体加载基片集成波导的馈电结构等。在此基础上设计研究了几种通过磁场调节的新型基片集成波导频率可调天线,取得了以下几个方面的研究成果:（1）在SIW谐振腔理论基础上对铁氧体加载SIW谐振腔进行了理论和仿真分析,证明了磁可调SIW谐振腔的工作频率会随偏置磁场改变而改变。以此为基础,设计研制了一种工作在X波段的双铁氧体片加载频率可调SIW矩形缝隙天线,首次实现了磁可调的SIW天线。测量结果表明,可调频率范围为10.5%（从9.95 GHz到11.06 GHz）,在频率调谐范围内天线增益大于5.0dBi,仿真和测试结果证明了设计方法的有效性。（2）设计了一种改进的铁氧体加载基片集成波导天线。通过改进天线辐射缝隙外形,使用单个铁氧体片,使天线结构更加简单,天线的辐射增益更高。仿真结果表明,该天线具有更好的增益和前后比,当偏置磁场从0变化到0.12 T,我们的天线的频率可调范围约为380 MHz,在可调范围内天线增益高于6 dBi,辐射方向图和增益几乎不受磁场影响。（3）研究了一种新型磁可调双频双极化基片集成波导天线。利用SIW谐振腔的多模特性,实现了天线的多频带特性;通过采用交叉辐射缝隙,实现了天线的双极化特性。通过适当选择交叉缝隙的两个臂的长度,实现了天线在低频工作点的圆极化辐射状态和高频工作点的线极化辐射状态。对实际制备样品的测量结果表明,低频段可调频率范围为8.1%（从8.98 GHz到9.74 GHz）和高频段可调频率范围为5.5%（从9.98 GHz到10.54 GHz）。通过改变磁场大小,不但可以改变天线的工作频率,而且还可以改变它的极化特性。（4）提出并实验证明了一种实现铁氧体加载SIW缝隙天线在宽频率范围内可调谐的方法。通过同时采用改变天线中铁氧体位置（机械调节）和改变偏置磁场（磁场调节）,实现在宽频率范围内的可调性。对设计制备在X波段基片集成波导天线的实验研究表明,该天线最大的频率调谐范围达到14.94%（9.23 GHz-10.69 GHz）。同时,天线辐射特性在频率调谐范围内变化不大,表现出良好的辐射性能。以上工作为低剖面可重构天线的研究和设计提供了一条新的实现途径和天线原型,这种类型的可调天线将在诸如无线通讯等工程领域有着潜在应用价值。
二、单片铁氧体存储器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、单片铁氧体存储器（论文提纲范文）
（1）Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22铁氧体薄膜制备工艺以及磁性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 多铁性材料与磁电耦合 |
| §1.1.1 磁电耦合 |
| §1.2 六角铁氧体 |
| §1.3 六角铁氧体薄膜研究现状 |
| §1.3.1 M相铁氧体薄膜 |
| §1.3.2 Y相铁氧体薄膜 |
| §1.3.3 Z相铁氧体薄膜 |
| §1.4 本论文的主要研究思路及内容安排 |
| 第二章 样品制备方法以及表征技术 |
| §2.1 靶材制备方法 |
| §2.2 铁氧体薄膜制备 |
| §2.3 薄膜制备流程 |
| §2.4 样品表征 |
| §2.4.1 X射线衍射仪 |
| §2.4.2 场发射扫描电子显微镜 |
| §2.4.3 综合物性测量测量系统 |
| 第三章 Ba_(0.4)Sr_(1.6)Mg_2Fe_(12)O_(22)相铁氧体靶材制备及磁性能研究 |
| §3.1 Ba_(0.4)Sr_(1.6)Mg_2Fe_(12)O_(22)铁氧体制备及研究 |
| §3.2 烧结温度对靶材晶相的影响 |
| §3.3 靶材的相关微观结构与磁性能和电性能 |
| 第四章 Ba_(0.4)Sr_(1.6)Mg_2Fe_(12)O_(22)铁氧体薄膜制备 |
| §4.1 Y相铁氧体薄膜的沉积参数探索 |
| §4.1.1 基底温度对薄膜成形的影响 |
| §4.1.2 氧压对薄膜成形的影响 |
| §4.1.3 退火对薄膜成形的影响 |
| §4.2 Y相铁氧体薄膜的沉积参数研究 |
| §4.2.1 基底温度对薄膜成形的影响 |
| §4.2.2 沉积速率 |
| §4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者在攻读硕士期间的主要研究成果 |
（2）含铁氧体、磁光材料层状结构的光学拓扑转换和双曲频带特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 双曲超材料研究概况 |
| 1.2 光学拓扑转换研究意义 |
| 1.3 光学拓扑转换和双曲频带特性的研究进展 |
| 1.4 本文的主要内容和结构安排 |
| 第2章 特殊材料及其特性综述 |
| 2.1 双曲超材料 |
| 2.1.1 双曲超材料简介 |
| 2.1.2 双曲超材料的结构和光学特性 |
| 2.2 铁氧体 |
| 2.2.1 铁氧体简介 |
| 2.2.2 铁氧体光学特性 |
| 2.3 磁光材料 |
| 2.3.1 磁光材料简介 |
| 2.3.2 磁光效应 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 各向异性材料及其与电介质构成的层状结构的色散方程 |
| 3.1 基于等效介质理论的色散方程 |
| 3.2 基于传输矩阵和Bloch定理的色散方程 |
| 3.3 各向异性层构成的双层周期结构的色散方程 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 铁氧体及其与电介质构造的双层周期结构的光学拓扑转换和双曲频带特性 |
| 4.1 铁氧体的色散特性 |
| 4.1.1 铁氧体的光学拓扑转换 |
| 4.1.2 铁氧体的双曲频带特性 |
| 4.2 各向同性铁氧体材料与电介质构造双层周期结构的光学拓扑转换 |
| 4.2.1 双层周期结构模型 |
| 4.2.2 基于等效介质理论的光学拓扑转换 |
| 4.2.3 基于传输矩阵和Bloch定理的光学拓扑转换 |
| 4.3 各向异性铁氧体材料与电介质构造双层周期结构的色散特性 |
| 4.3.1 铁氧体与电介质构造的双层周期结构的光学拓扑转换 |
| 4.3.2 铁氧体与电介质构造的双层周期结构的双曲频带特性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 磁光材料及其与电介质构造的双层周期结构的光学拓扑转换和双曲频带特性 |
| 5.1 磁光材料的色散特性 |
| 5.1.1 磁光材料的光学拓扑转换 |
| 5.1.2 磁光材料的双曲频带特性 |
| 5.2 磁光材料与电介质构造的双层周期结构的色散特性 |
| 5.2.1 磁光材料与电介质构造的双层周期结构的光学拓扑转换 |
| 5.2.2 磁光材料与电介质构造的双层周期结构的双曲频带特性 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（3）轴类零件校直机智能检测模块研究设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 校直机的研究现状 |
| 1.2.2 直线度误差测量方法的研究现状 |
| 1.3 本课题主要研究内容 |
| 2 智能检测模块总体方案设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 直线度检测工作分析 |
| 2.3 整体设计方案 |
| 2.4 主要芯片选型方案 |
| 2.4.1 主处理器选型方案 |
| 2.4.2 模数转换芯片选型方案 |
| 2.4.3 通信方式 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 直线度检测理论分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 直线度检测时会出现的问题 |
| 3.3 顶尖未对齐对检测的影响 |
| 3.4 直线度误差评定的方法 |
| 3.4.1 圆心坐标的确定 |
| 3.4.2 直线度误差判别方法 |
| 3.4.3 空间曲线的拟合方法 |
| 3.4.4 轴线测量拟合比较实验 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 智能检测模块硬件设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 主要器件选型 |
| 4.2.1 传感器选型 |
| 4.2.2 主处理芯片选型 |
| 4.2.3 A/D芯片选型 |
| 4.2.4 以太网接口芯片选型 |
| 4.2.5 控制电机选型 |
| 4.3 硬件电路设计 |
| 4.3.1 DSP最小系统 |
| 4.3.2 A/D芯片电路设计 |
| 4.3.3 网络接口芯片电路设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 智能检测模块软件设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 系统初始化 |
| 5.3 软件开发环境 |
| 5.4 软件设计 |
| 5.4.1 通讯模块 |
| 5.4.2 数据采集模块 |
| 5.4.3 数据处理模块 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 智能检测模块测试 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 测试 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及取得的研究成果 |
（4）稀土元素改性钡铁氧体/PVDF复合薄膜的制备及其性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 多铁性材料的概述 |
| 1.3 PVDF材料的概述 |
| 1.4 BaFe_(12)O_(19) 概述 |
| 1.4.1 钡铁氧体的晶体结构 |
| 1.4.2 钡铁氧体的性能特点 |
| 1.5 稀土元素改性材料的概述 |
| 1.6 论文的选题意义与研究内容 |
| 1.6.1 选题意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第2章 样品的制备与表征 |
| 2.1 实验部分 |
| 2.1.1 实验药品与试剂 |
| 2.1.2 实验主要仪器 |
| 2.1.3 制备Ba_(0.8)La_(0.2)Fe_(12)O_(19)和Ba_(0.8)La_(0.2)Fe_(12)O_(19) 两种粉体 |
| 2.1.4 制备复合薄膜的工艺流程 |
| 2.2 性能测试与表征 |
| 2.2.1 介电性能的测试 |
| 2.2.2 磁滞回线 |
| 2.2.3 无机粉体和复合膜的微观形貌(SEM)测试 |
| 2.2.4 红外吸收光谱(IR)分析 |
| 2.2.5 X射线衍射(XRD)测试 |
| 2.2.6 焓变表征 |
| 2.2.7 力学稳定性的研究 |
| 第3章 BLFO/PVDF表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 BLFO粉末的表征 |
| 3.3 BLFO/PVDF的复合膜的表征 |
| 3.3.1 BLFO/PVDF复合薄膜的X射线衍射 |
| 3.3.2 BLFO/PVDF复合薄膜不同掺杂含量的红外分析 |
| 3.3.3 BLFO/PVDF复合薄膜的微观形貌分析 |
| 3.3.4 BLFO/PVDF复合薄膜不同掺杂含量的磁性能测试分析 |
| 3.3.5 BLFO/PVDF复合薄膜不同掺杂含量的介电性能测试分析 |
| 3.4 温度对PVDF/BLFO的复合膜的影响 |
| 3.4.1 恒温对PVDF/BLFO拉伸强度的影响分析 |
| 3.4.2 恒温影响下复合膜断裂伸长率变化 |
| 3.4.3 恒温影响下复合膜焓变变化分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 BCFO/PVDF表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 BCFO粉末的表征 |
| 4.3 PVDF/BCFO的复合膜的表征 |
| 4.3.1 PVDF/BCFO的 X射线衍射(XRD)分析 |
| 4.3.2 复合膜红外分析在温度条件下探究 |
| 4.3.3 BCFO/PVDF复合薄膜不同掺杂含量的磁性能测试分析 |
| 4.3.4 PVDF/BCFO介电性能测试分析 |
| 4.4 温度对BCFO/PVDF的复合膜的影响 |
| 4.4.1 温度影响下复合膜拉伸强度变化 |
| 4.4.2 温度影响下复合膜断裂伸长率变化 |
| 4.4.3 温度影响下复合膜焓变变化分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 对今后的工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录:攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（5）钛酸钡在Si基板上的制备及其作为MOS和磁电耦合单元应用的探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 绪论 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 氧化物在Si基板上的沉积及其应用 |
| 1.1.1 Si基板上常见的氧化物材料及相关应用 |
| 1.1.2 半导体的表面电场效应 |
| 1.1.3 氧化物/Si异质结处的内建电场及应用 |
| 1.2 晶态BaTiO_3材料在Si基板上的沉积及其应用 |
| 1.3 非晶态BaTiO_3材料在Si基板上的沉积及其应用 |
| 1.3.1 非晶态BaTiO_3的短程有序结构 |
| 1.3.2 非晶BaTiO_3的能带结构 |
| 1.3.3 非晶态BTiO_3在Si基板上的应用 |
| 1.4 复相多铁材料简介 |
| 1.4.1 多铁性及复相多铁薄膜材料简介 |
| 1.4.2 Si基板上沉积复相多铁薄膜材料的磁电耦合应用 |
| 1.5 本课题的研究意义和内容 |
| 第二章 实验方法与测试过程 |
| 2.1 实验原料与仪器 |
| 2.1.1 药品与试剂 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.1.3 测试仪器 |
| 2.2 样品制备过程 |
| 2.2.1 BTO溶胶先驱体的制备 |
| 2.2.2 NZFO溶胶先驱体的制备 |
| 2.2.3 BTO粉体的制备 |
| 2.2.4 NZFO粉体的制备 |
| 2.2.5 BTO靶材以及BTO-NZFO复相靶材的制备 |
| 2.2.6 基板的处理 |
| 2.2.7 射频磁控溅射法制备BTO以及BTO-NZFO薄膜 |
| 2.3 材料表征方法 |
| 2.3.1 XRD测试 |
| 2.3.2 TEM测试 |
| 2.3.3 SEM形貌测试 |
| 2.3.4 薄膜厚度测试 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 |
| 2.3.6 傅里叶红外光谱测试 |
| 2.3.7 紫外-可见漫反射吸收光谱测试 |
| 2.3.8 介电性能测试 |
| 第三章 BTO薄膜在Si基板上的沉积与非晶网络结构的形成 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Si基板上BTO薄膜的去反溅射沉积 |
| 3.3 BTO薄膜无序非晶态结构的形成 |
| 3.4 BTO非晶薄膜的钛氧键合近程序分析 |
| 3.5 非晶BTO薄膜Ti-O网络的形成与控制 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 非晶BTO薄膜特定网络结构与氧空位含量的调控研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 非晶BTO薄膜的Ti-O网络结构氧氛围控制 |
| 4.3 非晶BTO薄膜Ti-O网络结构和氧空位含量的温度调控 |
| 4.4 非晶BTO薄膜Ti-O网络结构和氧空位含量的溅射时长影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 非晶BTO薄膜的电容-电压特性 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 非晶BTO/p-Si异质结处内建电场的形成与调控 |
| 5.3 BTO/p-Si界面结构对异质结内建电场的影响 |
| 5.4 非晶BTO中氧空位含量对BTO/p-Si异质结处内建电场的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 复相BTO-NZFO薄膜在Si基板上的沉积以及在MOS和磁电耦合上的应用初探 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 溅射粒子轰击对复相BTO-NZFO薄膜形貌的影响 |
| 6.3 Si(111)基板对BTO-NZFO薄膜中NZFO(400)取向生长的诱导作用 |
| 6.4 复相BTO-NZFO/p-Si异质结处内建电场的形成 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 研究总结 |
| 7.2 存在问题与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 |
（6）一种新型智能配电控制模块的设计与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的来源 |
| 1.2 研究背景及意义 |
| 1.3 国内外研究对比 |
| 1.3.1 国外情况 |
| 1.3.2 国内现状 |
| 1.4 课题主要研究内容 |
| 1.5 论文结构与安排 |
| 第二章 智能配电控制模块的电路设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 智能配电控制模块的工作原理 |
| 2.3 电路设计及元器件选型 |
| 2.3.1 主控模块 |
| 2.3.2 功率开关 |
| 2.3.3 功率开关驱动 |
| 2.3.4 电流采集 |
| 2.3.5 触点检测 |
| 2.3.6 总线接口 |
| 2.3.7 电源模块 |
| 2.3.8 连接器 |
| 2.4 可靠性设计 |
| 2.4.1 故障模式、影响与危害性分析 |
| 2.4.2 冗余设计 |
| 2.4.3 防静电设计 |
| 2.4.4 降额设计 |
| 2.5 可靠性预计 |
| 2.6 电磁兼容设计 |
| 2.6.1 针对CE102 的电路设计 |
| 2.6.2 针对CS101 的电路设计 |
| 2.6.3 针对CS114、CS116和RS103 的电路设计 |
| 2.6.4 针对RE102 的电路设计 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 智能配电控制模块的结构设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 外壳设计 |
| 3.2.1 外形设计 |
| 3.2.2 内部设计 |
| 3.2.3 材料选择 |
| 3.2.4 屏蔽设计 |
| 3.2.5 强度分析 |
| 3.3 印制板设计 |
| 3.3.1 结构设计 |
| 3.3.2 导线设计 |
| 3.3.3 绝缘设计 |
| 3.3.4 极性控制 |
| 3.3.5 电磁兼容设计 |
| 3.4 热设计 |
| 3.4.1 控制功耗的措施 |
| 3.4.2 热设计理论计算 |
| 3.4.3 热设计仿真分析 |
| 3.5 环境适应性设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 智能配电控制模块的软核设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 FPGA的开发流程简介 |
| 4.3 硬件描述语言简介 |
| 4.4 软件总体设计 |
| 4.5 数字滤波模块 |
| 4.6 控制模块 |
| 4.7 反时限保护模块 |
| 4.7.1 理论背景 |
| 4.7.2 设计实现 |
| 4.8 通信模块 |
| 4.8.1 CAN总线简介 |
| 4.8.2 SJA1000 功能结构 |
| 4.8.3 CAN控制器的设计实现 |
| 4.9 本章小结 |
| 第五章 原理样机试制和测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 原理样机的试制 |
| 5.3 原理样机的测试 |
| 5.3.1 绝缘测试 |
| 5.3.2 功能测试 |
| 5.3.3 随机振动试验 |
| 5.3.4 温升试验 |
| 5.3.5 电磁兼容试验 |
| 5.3.6 测试总结 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（7）MHD角速度传感器微弱信号低噪声提取方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 MHD角速度传感器及其微弱信号提取国内外研究现状 |
| 1.3 论文的主要内容 |
| 第2章 微弱信号低噪声提取方法研究 |
| 2.1 MHD角速度传感器工作原理 |
| 2.2 直接耦合方式的微弱信号提取方法 |
| 2.2.1 运算放大器噪声特性及低噪声设计理论 |
| 2.2.2 低噪声预处理电路设计 |
| 2.2.3 预处理电路噪声模型分析 |
| 2.2.4 预处理电路噪声特性测量分析 |
| 2.3 基于磁场调制的微弱信号提取方法研究 |
| 2.3.1 基于调制解调技术的噪声抑制研究 |
| 2.3.2 传感器磁场调制方法研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 MHD角速度传感器交变磁场发生装置的设计 |
| 3.1 多层螺线管磁场的分析设计 |
| 3.2 螺线管磁芯材料的选择 |
| 3.2.1 磁材料的分类 |
| 3.2.2 磁芯磁导率的计算 |
| 3.3 螺线管绕组线圈的设计 |
| 3.3.1 导线承载电流计算 |
| 3.3.2 趋肤效应影响 |
| 3.4 螺线管模型建立及分析 |
| 3.4.1 螺线管线圈电感的设计分析 |
| 3.4.2 螺线管线圈电阻的测试 |
| 3.5 串联谐振电路的设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 MHD角速度传感器交变磁场驱动装置的设计 |
| 4.1 精密振荡器的设计 |
| 4.1.1 压控波形发生芯片 |
| 4.1.2 状态变量型振荡器的设计 |
| 4.1.3 直接数字频率合成技术 |
| 4.2 增益受控放大电路的设计 |
| 4.2.1 可变增益放大器的设计 |
| 4.2.2 功率放大器的设计 |
| 4.3 控制电压形成电路的设计 |
| 4.3.1 探测线圈的设计 |
| 4.3.2 交流-直流转换电路设计 |
| 4.3.3 差动积分器的设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 系统测试与分析 |
| 5.1 交变磁场发生器的调试 |
| 5.2 螺线管磁场测试与分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（8）铁酸钇粉体及薄膜的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 YIG材料的应用 |
| 1.3 YIG材料研究进展 |
| 1.3.1 YIG粉体的研究进展 |
| 1.3.2 YIG薄膜的研究进展 |
| 1.4 论文选题及主要研究内容 |
| 1.4.1 论文选题 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 第二章 YIG粉体及薄膜的制备与研究方法 |
| 2.1 YIG制备方法 |
| 2.1.1 YIG粉体制备方法 |
| 2.1.2 YIG薄膜制备方法 |
| 2.2 实验所需药品和仪器 |
| 2.2.1 实验药品 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.3 本实验用到的分析测试技术 |
| 第三章 YIG粉体的制备与表征 |
| 3.1 YIG粉体的制备工艺 |
| 3.1.1 YIG粉体的制备工艺流程 |
| 3.1.2 络合剂和pH值的选取 |
| 3.2 YIG粉体制备工艺参数选取 |
| 3.2.1 柠檬酸量分析 |
| 3.2.2 升温速率对产物影响 |
| 3.2.3 煅烧气氛和温度对产物影响 |
| 3.2.4 溶胶体系对产物形貌影响 |
| 3.3 YIG相结构形成过程分析 |
| 3.4 YIG粉体铁磁共振分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 YIG薄膜的制备与表征 |
| 4.1 液相外延生长法制备GGG基 YIG薄膜 |
| 4.1.1 液相外延设备简介 |
| 4.1.2 液相外延熔料配比及参数设置 |
| 4.1.3 GGG基薄膜的表征及分析 |
| 4.2 溶胶凝胶法制备Si基 YIG薄膜 |
| 4.2.1 溶胶凝胶法制备Si基 YIG薄膜工艺流程 |
| 4.2.2 YIP缓冲层的制备 |
| 4.2.3 YIG薄膜的制备 |
| 4.3 石英基YIG薄膜的制备与表征 |
| 4.4 不同衬底基YIG薄膜的拉曼光谱研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 显微磁光克尔效应测量系统 |
| 5.1 显微磁光克尔测量系统系统总体结构 |
| 5.1.1 系统硬件 |
| 5.1.2 系统软件 |
| 5.2 显微磁光克尔测量系统程序设计 |
| 5.2.1 串口通讯协议基本设计原则 |
| 5.2.2 可编程直流电源串口程序设计 |
| 5.2.3 采集卡程序设计 |
| 5.3 显微磁光克尔测量系统的光路搭建 |
| 5.3.1 磁光效应测量基本原理 |
| 5.3.2 测量系统的光学元件选型 |
| 5.3.3 测量系统的光路设计 |
| 5.4 薄膜显微磁光克尔效应分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
| 致谢 |
（9）4.6GHz/250KW环行器温度补偿器的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 世界能源问题及其发展趋势 |
| 1.2 核聚变装置与计划 |
| 1.2.1 EAST装置 |
| 1.2.2 JET装置 |
| 1.2.3 Tore Supra装置 |
| 1.2.4 ITER计划 |
| 1.3 低杂波电流驱动( LHCD)系统 |
| 1.3.1 LHCD系统的主要作用 |
| 1.3.2 EAST LHCD系统进展 |
| 1.3.3 4.6GHz/6MW LHCD系统组成部分 |
| 1.4 论文的研究意义和内容 |
| 第2章 温度补偿器的工作原理 |
| 2.1 环行器工作原理 |
| 2.2 铁氧体差相移器 |
| 2.3 铁氧体温度对环行器性能的影响 |
| 2.3.1 铁氧体的温升 |
| 2.3.2 铁氧体温度对差相移量的影响 |
| 2.3.3 差相移量对环行器隔离度的影响 |
| 2.4 环境温度对环行器性能的影响 |
| 2.5 环行器温度补偿器 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 温度补偿器的硬件设计 |
| 3.1 温度补偿器总体框图 |
| 3.2 温度测量模块 |
| 3.2.1 热电偶 |
| 3.2.2 温度巡检仪 |
| 3.3 信号传输模式 |
| 3.4 可控直流电流源 |
| 3.4.1 线圈产生的磁场 |
| 3.4.2 可控电流源原理 |
| 3.4.3 电流源主电路 |
| 3.4.4 半桥驱动电路 |
| 3.4.5 DSP电路 |
| 3.4.6 保护电路 |
| 3.4.6.1 温度保护电路 |
| 3.4.6.2 开路保护电路 |
| 3.4.6.3 输入电压保护电路 |
| 3.4.6.4 输出电流保护电路 |
| 3.4.7 通讯电路 |
| 3.4.8 旋钮调节输入电路 |
| 3.4.9 电压转换电路 |
| 3.5 主控模块 |
| 3.5.1 主控MCU |
| 3.5.2 通讯电路 |
| 3.6 显示模块 |
| 3.6.1 LED数码管显示模块 |
| 3.6.2 LCD液晶显示模块 |
| 3.7 温度补偿器整机 |
| 3.8 本章小结 |
| 第4章 温度补偿器的软件设计 |
| 4.1 温度补偿算法 |
| 4.1.1 温度补偿算法的研究方法 |
| 4.1.2 250KW/4.6GHz高功率测试台 |
| 4.1.3 温度补偿算法数据测试 |
| 4.1.4 温度补偿算法数据拟合 |
| 4.1.4.1 温度补偿算法模型 |
| 4.1.4.2 数据拟合软件Origin |
| 4.1.4.3 数据拟合结果 |
| 4.2 电流源软件设计 |
| 4.2.1 电流源控制方法 |
| 4.2.2 电流源通信协议 |
| 4.2.3 电流源软件开发平台CCS |
| 4.2.4 电流源程序流程图 |
| 4.3 主控MCU软件设计 |
| 4.3.1 主控MCU与温度巡检仪通信协议 |
| 4.3.2 LED驱动程序 |
| 4.3.3 LCD驱动程序 |
| 4.3.4 主控MCU软件开发平台 |
| 4.3.4.1 集成开发环境MPLABX IDE |
| 4.3.4.2 C语言编译器MPLABXC8 |
| 4.3.4.3 编程器PICkit3 |
| 4.3.5 主控MCU程序流程图 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 温度补偿器的测试 |
| 5.1 带温度补偿器的环行器测试 |
| 5.2 不带温度补偿器的环行器测试 |
| 5.3 改变温度补偿算法后的测试 |
| 5.4 测试结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 论文创新点 |
| 6.3 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（10）基于铁氧体加载基片集成波导的频率可调天线研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 本论文的研究背景和意义 |
| 1.2 铁氧体及其在微波器件和天线中的应用现状 |
| 1.2.1 铁氧体及其在微波器件的应用 |
| 1.2.2 铁氧体在天线中的应用 |
| 1.2.3 现有技术的不足 |
| 1.3 基片集成波导天线的研究现状 |
| 1.4 本文的主要内容安排和创新 |
| 1.4.1 本文的主要内容安排 |
| 1.4.2 本文的创新之处 |
| 参考文献 |
| 第二章 铁氧体中电磁波的传播特性 |
| 2.1 微波铁氧体的磁导率 |
| 2.2 微波铁氧体中的电磁波传播 |
| 2.2.1 纵向磁化铁氧体中平面波的传播效应 |
| 2.2.2 横向磁化铁氧体中平面波的传播效应 |
| 2.3 本文所涉及铁氧体的磁导率随磁场变化曲线的计算 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 铁氧体加载基片集成波导的传输特性 |
| 3.1 铁氧体加载基片集成波导器件的研究现状 |
| 3.2 铁氧体加载基片集成波导中的电磁波传播 |
| 3.2.1 基片集成波导SIW的结构和特点 |
| 3.2.2 铁氧体加载基片集成波导中的波传播 |
| 3.3 铁氧体加载基片集成波导SIW与SIW的传播特性比较 |
| 3.3.1 铁氧体加载基片集成波导SIW的传播常数 |
| 3.3.2 铁氧体加载基片集成波导SIW与SIW的传播特性比较 |
| 3.4 偏置磁场下铁氧体加载基片集成波导的可调特性 |
| 3.5 铁氧体加载基片集成波导与微带线的过渡 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 铁氧体加载频率可调线极化SIW缝隙天线的研究 |
| 4.1 频率可调天线的研究现状 |
| 4.2 铁氧体加载磁可调SIW谐振腔的理论分析 |
| 4.2.1 SIW谐振腔理论 |
| 4.2.2 铁氧体加载磁可调SIW谐振腔结构及原理 |
| 4.2.3 磁可调SIW谐振腔的仿真结果 |
| 4.3 铁氧体加载频率可调SIW矩形缝隙天线的设计 |
| 4.3.1 天线的设计思想及结构 |
| 4.3.2 磁场的影响 |
| 4.3.3 缝隙的影响 |
| 4.3.4 天线馈电方式的确定 |
| 4.3.5 铁氧体大小的影响 |
| 4.4 铁氧体加载频率可调SIW矩形缝隙天线的研制 |
| 4.4.1 天线实验装置的确定 |
| 4.4.2 实验结果分析 |
| 4.5 改进的铁氧体加载磁可调SIW天线的研究 |
| 4.5.1 改进的铁氧体加载可调SIW天线的设计思想 |
| 4.5.2 改进的铁氧体加载可调SIW天线的设计分析 |
| 4.5.3 改进的铁氧体加载可调SIW天线的仿真结果 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 磁可调双频双极化SIW缝隙天线的研究 |
| 5.1 圆极化天线的实现方法及其特点 |
| 5.2 磁可调双频双极化SIW缝隙天线的设计思想 |
| 5.3 磁可调双频双极化SIW缝隙天线的设计 |
| 5.4 实验结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 宽频带范围内可调SIW缝隙天线的研究 |
| 6.1 铁氧体位置对铁氧体加载SIW缝隙天线的影响 |
| 6.2 宽频带范围内可调SIW缝隙天线的设计分析 |
| 6.3 机械和磁联合调节实现宽频带范围内可调SIW缝隙天线 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结和展望 |
| 7.1 本文工作的总结 |
| 7.2 未来工作的展望 |
| 攻读博士学位期间研究成果 |
| 致谢 |
四、单片铁氧体存储器（论文参考文献）
- [1]Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22铁氧体薄膜制备工艺以及磁性能研究[D]. 高熠斌. 桂林电子科技大学, 2021
- [2]含铁氧体、磁光材料层状结构的光学拓扑转换和双曲频带特性研究[D]. 仲佼佼. 杭州电子科技大学, 2020(02)
- [3]轴类零件校直机智能检测模块研究设计[D]. 王梦帆. 重庆理工大学, 2020(08)
- [4]稀土元素改性钡铁氧体/PVDF复合薄膜的制备及其性能的研究[D]. 兰冉冉. 上海师范大学, 2020(07)
- [5]钛酸钡在Si基板上的制备及其作为MOS和磁电耦合单元应用的探索[D]. 顾健. 浙江大学, 2020(08)
- [6]一种新型智能配电控制模块的设计与研究[D]. 余鸿坤. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [7]MHD角速度传感器微弱信号低噪声提取方法研究[D]. 张云. 天津大学, 2018(06)
- [8]铁酸钇粉体及薄膜的制备与性能研究[D]. 王旭亮. 河北工业大学, 2018(07)
- [9]4.6GHz/250KW环行器温度补偿器的设计与实现[D]. 彭承尧. 中国科学技术大学, 2017(12)
- [10]基于铁氧体加载基片集成波导的频率可调天线研究[D]. 谭立容. 南京大学, 2014(07)