一、《Motorola集成电路应用技术丛书》即将出版（论文文献综述）
刘欣[1]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中认为有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
王鹏飞[2]（2014）在《中国集成电路产业发展研究》文中认为当今世界,在经济社会现代化发展过程中,信息越来越展示出其无所不在的特征,电子信息产品已经在日常生活与工作中起到越来越重要的作用。集成电路是处理信息的基础设备,因此,集成电路被公认为信息技术革命、信息化、信息时代的动力系统。进入21世纪以后,随着全球信息化、网络化和知识经济的迅速发展,集成电路产业在国民经济中的地位越来越重要,它以其无穷的变革、创新和极强的渗透力,推动着电子信息产业的快速发展。就电子信息产品而言,集成电路不仅是电子信息设备的核心,同时也会起到很明显的辐射效应。据国际货币基金组织测算,集成电路产业1元的产值可以带动相关电子信息产业10元的产值,带来100元的国内生产总值（GDP）。电子信息技术的战略性、基础性、渗透性首先体现在集成电路产业,很多精密设备都需要性能强大的集成电路产品作为坚强后盾。集成电路产业是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心和基础,是转变经济发展方式、调整信息产业结构、扩大信息消费、维护国家安全的重要保障。集成电路产业是现代电子信息产业的基础和核心,其发展程度会对中国在全球经济一体化和信息化竞争中所处的地位造成极大的影响。一方面,工业化社会的各个领域都会应用到集成电路产业的发展成果,集成电路产业的发展影响和推动了-系列传统产业的革新和升级；另一方面,信息化和网络化的发展都是需要建立在集成电路技术进步的基础之上的,集成电路产业的发展能够有力地推动国家信息化进程,这就使得集成电路在经济发展中的战略地位愈发重要。经过几十年的发展,特别是2000年6月,国务院发布了《关于鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（国发[2000]18号）,自文件颁布以来,中国的集成电路产业发展速度加快,投资环境不断改善,产业规模迅速扩大,技术水平显着提升。此后十几年间,中国集成电路产业获得了长足进步。从产业规模来看,中国集成电路产量增长11倍,占全球产量近10%,销售收入翻了三番,占全球产业比重达8.6%,已经成为世界集成电路产业的重要一极。从产业链来看,在一系列重大科技专项的支持下,中国集成电路产业在设计、制造、封测、材料和设备方面形成了较为完整的产业体系,技术水平与国际先进水平的距离逐步缩小,企业实力得到明显提升。中国集成电路产业经历几十年的发展,尽管取得了长足进步,但是在未来的发展道路上也会面临着巨大的挑战,仍然面临着诸多制约因素。美国、欧洲、日本等国家和地区在高端集成电路产品及技术方面对中国仍然实行禁运政策,使中国对近邻国家和地区的竞争处于不利地位,这也对中国集成电路产业自主发展能力提出更高要求。企业技术创新力量薄弱,能与国际领先水平抗衡的国家队尚未形成,致使中国集成电路市场长期大量依靠进口,国内产品能满足国内市场需求的尚不足20%。集成电路产品高度对外依存严重影响了中国电子整机产业以及经济信息安全等领域的自主可控发展。中国要以新的面貌、新的视角、新的思路,追赶和缩短与世界集成电路产业水平的差距,走上自强、自立、自主地快速发展中国集成电路产业的大道。党的“十八大”提出实施创新驱动发展战略,明确指出：“提高原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新能力,深化科技体制改革,推动科技和经济紧密结合,加快建设国家创新体系,着力构建以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系。完善知识创新体系,强化基础研究、前沿技术研究、社会公益技术研究,提高科学研究水平和成果转化能力,抢占科技发展战略制高点。加快新技术新产品新工艺研发应用,加强技术集成和商业模式创新。”与此同时,移动互联网、两化融合、三网融合、物联网和云计算、电动汽车、新能源等战略性新兴产业快速发展,成为推动集成电路产业持续、健康发展的新动力,中国集成电路产业的广阔前景正在逐步实现。展望未来,中国集成电路产业的发展将迎来一个新的发展时期。在新的历史征程开始之前,需要认真梳理中国集成电路产业所面临的机遇和挑战,沉着应对国际风云变幻,抓住技术升级和商业模式转变所带来的历史性发展契机,充分发挥后发优势,推动中国集成电路产业实现跨越式发展,让集成电路产业在实现中国工业化和信息化、带动其他产业转型升级方面发挥排头兵的作用,为中国在全球信息化的竞争中占据有利地位,实现由中国制造向中国创造转型提供保障。中国集成电路产业研究既是一个重要的理论研究课题,也是一个具有很强现实指导意义的研究课题。本论文应用相关经济学理论,采取规范分析与实证分析相结合、定量分析与定性分析相结合、及比较分析的研究方法,进行系统分析,在现有集成电路发展问题研究成果的基础上,研究了中国集成电路的发展现状、产业结构、区域布局等,论述了集成电路产业的地位和作用,并对集成电路产业发展存在的问题和原因进行了分析,总结了国际集成电路产业发展的经验和启示,分析了国际集成电路产业的发展趋势,重点研究了中国集成电路产业的发展现状及其发展所面临的机遇和挑战。在此基础上从政策扶持、技术创新、产业链、区域布局、商业模式、市场环境、人才激励、国际化等角度提出了中国集成电路产业发展的政策建议。论文除绪论外,共分为六章。论文阐述了研究背景和研究意义,国内外研究现状,研究的理论基础,研究的思路、主要内容和研究方法,并提出了研究的创新点及进一步研究的问题。论文阐述了集成电路产业的相关概念和发展情况,介绍了集成电路产业在对电子信息产业、国民经济发展以及国防与信息安全的地位和作用,并结合国际上先进国家和地区集成电路产业的发展经验及启示,客观分析了集成电路产业的发展趋势。论文研究了中国集成电路产业的发展历程,从国家相关政策、技术创新、公共服务、人才培养、产业链、区域分布等角度评价了中国集成电路产业的发展现状。论文研究了中国集成电路产业发展中存在的问题和差距,分析了造成中国集成电路产业发展中存在问题和差距的历史原因和现实原因。论文研究了美国、欧洲、日本、韩国和中国台湾地区集成电路产业的发展状况,总结出集成电路产业发展的主要经验和对中国集成电路产业发展的启示。论文重点从全球产业转移带来的发展机遇、国内巨大市场需求带来的发展机遇、国际政策支持带来的发展机遇、技术进步和两化融合带来的发展机遇、以及商业模式创新带来的发展机遇等客观分析了中国集成电路产业面临的战略机遇；与此同时,分别从全球市场平缓增长、国际竞争更加激烈,产业模式不断创新、全球产业加快重组,技术革新步伐加快、资金门槛不断提高,以及知识产权竞争加剧、产业生态深度演变等方面分析了中国集成电路产业发展面临的挑战。论文在全面分析国际集成电路产业发展趋势及中国集成电路面临的发展机遇与挑战的基础上,有针对性地提出了对策建议,包括加大政策扶持、完善配套政策体系,强化技术创新、增强企业核心竞争力,整合产业资源、做大做强产业链,优化区域布局、统筹规划资源投入,创新商业模式、实现产业跨越式发展,改善投融资体系、培育健康市场环境,健全激励机制、吸引聚集高端人才,着眼国际市场、积极实施国际化战略等。
王媛媛[3]（2019）在《智能制造发展的国际比较与中国抉择》文中认为当前移动互联网、大数据、云计算、人工智能等新一代信息技术蓬勃发展,并加速向制造业渗透,制造业领域将迎来一场智能化革命,进而引发新一轮的工业革命。美欧等发达国家和地区纷纷出台应对新工业革命和智能制造的发展战略。我国也迎来新工业革命和转变经济发展方式的历史交汇期,由此提出以智能制造作为主攻方向,推动产业技术变革和优化升级,进而建设制造强国的发展目标。因此,研究智能制造这一主导新工业革命发展的新型制造模式具有重要意义。本文以智能制造作为研究对象,以马克思技术进步及资本有机构成理论、熊彼特和新熊彼特学派技术创新及演化经济学等理论为研究基础,运用系统分析、实证分析、比较分析以及实地调查等研究方法,对智能制造进行全面而深入的研究。主要研究内容包括:一是,探索智能制造发展演化的机理及其技术-经济范式。对智能制造的内涵、产生动力、生产组织模式创新以及技术-经济范式进行分析;二是,对智能制造发展的关键基础性产业——集成电路、智能传感器、高档数控机床、工业机器人以及软件和信息技术服务业的全球发展态势进行比较分析;三是,对G20国家智能制造发展水平进行实证分析。在投入产出分析方法基础上,建立“制造业智能化指数”衡量智能制造发展水平,并进行国别和分行业的比较分析;四是,对美国、德国、日本智能制造发展的典型模式进行分析、比较,并得出有益的经验借鉴。首先对其智能制造赖以发展的国家创新体系和创新政策演变进行分析,其次对其推动智能制造发展的具体政策措施进行深入研究,再次对这三个国家智能制造的发展模式进行比较,分析异同点,并得出可供我国借鉴的有益经验;五是,分析我国智能制造发展的现状。从顶层设计、标准体系建设、基础产业发展、企业以及地方政府推动等方面分析我国智能制造发展取得的进展和成就,同时剖析了中国智能制造在发展基础、创新能力、推进机制、企业主体引领、政策规划以及人才等方面存在的问题,明确努力的方向;六是,提出我国智能制造发展的创新路径和对策。即要以建设制造强国为目标的智能制造发展导向;建设政府引领、产业界主导、研究机构和大学紧密合作的智能制造创新网络;要涵盖重要战略性新兴产业的智能制造发展领域;以及实施面向不同发展优势和水平的差异化发展战略。总之,发展智能制造是我国实现技术跃升及经济实力赶超的重要契机,应密切关注和研究新工业革命发展趋势以及智能制造技术-经济范式发展演化特征,把握各国智能制造发展的态势、能力水平以及具体的推进战略,同时深入了解我国智能制造发展的优劣势,构建与我国经济社会发展相适应的智能制造发展路径和政策体系,抓住机遇加快发展,早日实现制造强国的目标和国家实力的历史性跨越。
王金龙[4]（2019）在《印刷电路板布图设计知识产权保护研究》文中提出印刷电路板（PCB）被称为电子行业的塔基,是电子产业不可或缺的中间体。从现行法律体系看,中国尚不存在单独法律或者其它法律条款规定来保护PCB布图设计的知识产权。然而,实际上,现实中却时有PCB布图设计知识产权纠纷发生。对于PCB布图设计知识产权的保护,中国法律还处于空白状态,诉讼失败在所难免。一般情况下,原告会以侵犯PCB布图设计着作权为由向法院提起诉讼。令人失望的是,权利人却往往不能取得胜诉。既然PCB布图设计知识产权纠纷不断,且权利人往往诉讼失败,那么如何保护PCB布图设计权利人的知识产权呢?这是一个值得思考的问题。对于这个问题,论证思路大致如下:首先,应简要介绍PCB、PCB布图设计、保护PCB布图设计知识产权的正当性和意义,从而引出PCB布图设计知识产权保护问题。其次,从国内外现有法律和国际条约着手,从本国法和域外法两个视角出发,分析论证现有法律保护PCB布图设计知识产权的可行性,研究PCB布图设计知识产权保护的依据与缺陷。结果发现,现有法律并不能为PCB布图设计提供全面完整的知识产权保护。最后,基于现有保护模式不能保护PCB布图设计知识产权的状况,提出了设计PCB布图设计知识产权综合保护机制的构想。试图从内部建设和外部建设两个维度构建这种综合保护机制,外部建设包括实施专门立法和强化PCB布图设计行政救济,内部建设主要是指PCB企业加强知识产权自我保护。其中,实施专门立法是加强保护PCB布图设计知识产权最主要、最重要的的措施。
张礼季[5]（2002）在《塑料封装球栅阵列温度循环可靠性研究》文中进行了进一步梳理本论文通过温度循环（-40～125℃）使两组PBGA器件（充胶／未充胶）加速失效，利用金相检测、染色剂渗透、扫描电镜观察、C模式超声扫描以及有限元分析等手段研究器件的热循环可靠性问题。深入了解充胶对PBGA器件焊点可靠性的影响，为充胶应用提供实验依据。通过一系列的实验，得到以下实验结果： · 在本论文设定的温度循环条件下，未充胶PBGA样品的热疲劳品寿命在500周左右，充胶样品的焊点寿命高于2700周； · 对于未充胶器件，中心距（DNP）是决定焊点应力、应变大小的最主要因素，裂纹总是从中心距较大处萌生并向中心处扩展； · 温度循环的过程中焊盘附近焊料组织明显粗化。充胶样品粗化尤为严重； · Ni-Sn金属间化合物包括两层：其中，靠近Ni焊盘的那层比较平整，同时，EDS结果分析表明其化学式近似为NiSn，而靠近焊料的那层呈板条状，化学式近似为NiSn3，文献表明其为亚稳相； · 充胶使得样品最大应力范围降了接近一个数量级并降低了DNP的作用，同时，器件失效模式变为芯片粘接层分层； · C-SAM结果表明本论文采用的充胶样品，芯片粘接层分层起始于500周左右，而经过2700周循环的样品，分层几乎扩展到整个界面。
姚志坚[6]（2002）在《技术跨越的理论与实证研究》文中进行了进一步梳理发展中国家对先进国家的技术经济赶超是当今世界的普遍现象，但发展中国家和企业面临着比较优势陷阱和后发优势向后发劣势的转换危机。在此背景下，本文研究了技术跨越的理论意义和实践基础，提出技术跨越将是发展中国家和企业经济技术赶超的必由之路和战略选择。 以此为基点，展开研究： 第一，构筑技术跨越的立论基础和概念体系。在理论述评的基础上，研究总结了技术跨越完整的概念体系，提出利用统计学方法对技术代和技术跨越进行测度的方法，并依托移动通信技术发展进行了实证研究。进一步的，按照不同参照系对技术跨越进行分类，从而明晰和丰富了技术跨越的理论和实践内容。 第二，从技术的微观、中观和宏观三个维度研究了技术跨越存在的机会，指出：从技术轨道角度讲，技术的越轨型演变为技术跨越带来发展的技术机会窗口，而在顺轨型演变中，除可利用子技术轨道的跃迁进行技术跨越外，当技术极限临近时应主动寻找关键技术的跨越机会。从技术单元角度讲，随着分工细化技术单元变小，进入壁垒降低，存在着利用后发优势和比较优势的成长型技术跨越机会；随着技术发展技术单元变大，后发国家可以较强的国家意志，大投入实施技术跨越；随着相关技术群体的不匹配使技术单元增大，可以国家行为与市场行为相结合，通过设立技术园区等形成较好的配套环境，实施技术跨越。从技术群体结构角度讲，技术群体在时间上的三种不同演变路径，为不同类型的技术跨越突破提供了时间上的规律。同时，技术群体结构演变理论为企业实施技术跨越战略提示了着眼点和侧重点，存在着先发展基础技术和中间技术，再进行特殊技术突破的成长型技术跨越机会。另外，启示我们要充分利用不同国家、不同产业技术群体结构的差异性和互补性，而带来的技术跨越的机遇。 第三，系统地研究了技术跨越的一般过程和规律。研究提出了技术跨越的整体观模型，指出技术跨越是一个系统的过程、基于知识流的过程和收敛的过程。研究了技术扫描，总结了技术扫描的意义和重要方法。研究了技术跨越的突破点选择问题，明确了突破点选择的内涵，提出了技术跨越点选择的九大原则，并应用现实期权方法对技术跨越中的互斥跨越点选择进行了数理分析。研究了临界点问题，在对临界点进行明确的定义和数理描述基础上，分析临界点出现的机理，并利用临界距概念对临界点进行了定量化的判别研究。研究了技术跨越后的后续工作重点，指出技术扩散和标准之争是技术跨越后续工作的主要内容，并进行了详细探讨，提出了相应的政策和建议。 第四，系统的研究了技术跨越中的技术能力。研究指出，技术跨越过程就是一个技术能力跨越的过程。在此基础上，明确定义了技术跨越中的技术能力概念，研究构建了基于技术跨越的技术能力体系，并对其中的重点问题进行了剖析，指出：技术跨越需要注意核心能力刚性和动态核心能力，要区分不同的知识特征采取不同的知识学习模式，技术跨越要注意技术能力体系的开放性，技术能力不应该只注重内在能力，而应该从考虑技术能力空间。在此基础上，对技术跨越技术能力体系进行了实证研究，重点研究了技术创新和技术跨越中技术能力的不同特征，技术跨越中各技术能力成分的协调性和技术跨越能力的积累模式。在进一步研究总结技术能力积累模式和途径基础上，本文还提出了赶超型国家的技术能力 浙江大学博士学位论文《技术跨越的理论与实证研究》发展模式和与之对应的成长型技术跨越，研究认为，赶超型国家的技术能力发展过程在实践中呈现出从引进到模仿再到顺轨型衍生自主跨越和在新技术上自主跨越的顺序，可称之为成长型技术跨越的四个阶段和四种类型，并利用浙大中控的案例进行了实证分析。 第五，系统地研究了技术跨越的组织。首先研究技术跨越组织的机理及选择。从企业资源观出发，研究提出了技术跨越组织需要解决五大问题，以此为基础，提出了基于资源－目标的四种一般组织模式及选择模型，并研究了其中可能存在的组织陷阶。其次，研究提出了基于资源主体的技术跨越组织模式总体框架，并综合考虑技术单元和外部性角度、转换成本、共生经济性等方面影响因素提出了模式选择的一般模型。再次，研究企业技术跨越组织的模式创新，综合运用数理分析、案例分析和理论分析等方法，重点研究总结了其中的新型创业小组、创新事业部和战略联盟形式，并提出了相应的政策和建议。最后，研究国家层面国家关键技术跨越的组织模式，在研究总结世界各国实施国家关键计划和我国的863高技术计划成败经验的基础上，并提出了我国关键技术跨越的政策建议。 第六，通过实证方法研究了技术跨越的条件。首先通过理论述评等方法研究了技术跨越条件的理论框架。其次利用问卷调查、基本统计分析、因子分析等方法，研究得出了技术跨越条件的结构体系，认为其是一个包括人力资本、技术资源、资金实力在内的内部资源条件，包括经济机制、政策支持和外部创新网络在内的外部环境条件以及技术跨越组织能力条件的这样一个多维度、多层面、系统化的综合?
张孝孝[7]（2020）在《日美半导体贸易摩擦研究》文中指出战后随着日本经济实力的提升、出口能力的增强,日美之间发生了旷日持久的“日美贸易战争”。日美半导体贸易摩擦处于由商品摩擦向结构摩擦转换的阶段,既是高技术商品摩擦的典型代表,也开启了市场开放要求。研究日本半导体贸易摩擦,有利于我们加深对日美贸易摩擦的认识,也对中国应对贸易摩擦有借鉴意义。本文在阐述日美半导体贸易摩擦的背景和过程之后,基于双层博弈模型分析了日美半导体贸易摩擦,研究日美半导体贸易摩擦的影响,并对日美半导体贸易摩擦进行评价,最后得出结论和启示。日本半导体产业国际竞争力迅速提升和美国半导体产业竞争优势降低是日美半导体贸易摩擦发生的背景,日美半导体贸易摩擦划分为三个阶段:1985年MOSS谈判之前可视为前史,至1986年签订第一个日美半导体贸易协议为第一阶段,1986年至1991年为第二阶段,这一阶段是第一个半导体协议的执行期和第二个半导体协议的签订期。通过双层博弈模型分析日美半导体贸易摩擦,在国内层面上利用G-H模型分析出美国利益集团影响美国贸易政策的实施,且与美国相比,日本政府对其利益集团的关注度要低;在国际层面上,通过非对称的演化博弈模型中的市场阻入博弈模型研究发现,短期内日美的策略选择并没有达到均衡,但双方在不断的学习和改进的过程中,日美双方的策略选择逐渐向演化稳定策略靠拢。日美半导体贸易摩擦导致日本半导体企业竞争力降低,市场份额减少,社会福利降低,上下游产业受损;通过日美半导体贸易摩擦,一方面美国半导体企业竞争力提高,市场份额增加,半导体的上游产业获益,另一方面半导体的下游产业短期利益受损,社会福利最终得到提高;从中长期来看半导体产业发生了国际转移。从日美半导体贸易摩擦来看,美国的策略先民间提起后政府跟进且日本基本处于弱势地位,最终日美确立了唯一的一个20%的数值规定,表面上双方在争夺市场,实质是争夺半导体技术制高点。如今中美的贸易关系与当年的日美贸易关系相似,面对美国的打压,中国要做好打持久战的准备,谨防重蹈日本的覆辙。
王丽耘[8]（2012）在《中英文学交流语境中的汉学家大卫·霍克思研究》文中指出一部英国汉学史同时也是一部中英交流史。汉学家在其间承担的是中英文学、文化交流的媒介角色,是比较文学与汉学领域研究者不可忽视的研究对象。尤其,二战后英国专业汉学时代下成长起来的一批专业汉学家,是个极具研究价值的群体。从译介为主到译研并重,是20世纪汉学研究的基本走向,而专业汉学家的出现使得译研工作走上更加专业化与学术化的道路。他们阐释中国文学文化比前辈学者更为理性与精准,他们传播中国文学文化也比前辈学人更为全面与接近源文化的真实状态。汉学家大卫·霍克思（David Hawkes,1923-2009）接受了专业的汉学训练,整个汉学生涯正好活跃在英国的专业汉学时代,是英国第一批专业汉学家中的代表性人物。从交流的角度综合梳理与评述其一生主要的三大汉学活动——汉学教学、汉学研究与汉学翻译,不仅有利于霍克思汉学面貌的清晰呈现,也裨益于中国文学、文化的域外传播以及透视西方人眼中的中国文化。这一交流语境中的霍克思个案研究,目前国内外学术界暂付阙如。论文借鉴历史分析、“推源溯流”及整合描述等传统中西学术研究方法,综合运用西方新史学理论、接受传播学理论、文本发生学理论、文本细读理论、跨文化研究理论、文化诗学及文化传递中的误读、误释理论等汉学领域、翻译领域、社会历史领域和比较文学领域的最新理论成果,结合语料库分析,从中英文学交流的角度契入对霍克思一生三大主要汉学活动进行全景扫描,准确定位其在英国汉学史上的地位,清晰勾勒其汉学活动促进中英文学、文化交流发展的脉络。论文在汉学史大背景下,首先梳理霍克思六十余年的汉学生涯并界定其在英国汉学史中的地位：英国专业汉学的奠基人与中坚力量。其次通过阅读与分析霍克思所撰写的学术论文、书评、译着及其为友人所作序文或前言等一手文献,笔者整理出指导霍克思一生汉学活动的主要汉学观点。霍克思摆脱了英国传统汉学与宗教、政治、经济的密切关系,提倡汉学以文学为内容,主张学习汉学旨在体验人类世界遗产的另一个组成部分,了望“亚洲尽头的另一个欧洲”。霍克思就任牛津汉学讲座教授及汉学科主任后对牛津汉学教学进行了一系列改革,创立了牛津的专业汉学时代,培养与储备了一批后继的专业汉学人才,他们是英国二十世纪下半叶以来传播中国文学文化的生力军。霍克思的汉学研究坚持人文主义原则,广涉《楚辞》、汉赋、杜诗、宋词、元曲、明清小说以及现代文学等领域；研究路径上与前辈学者相比也有较大转向,由传统的史迹考察走向比较思想视野下阐释学术文献的意义。在深厚的汉学修养之上,他对中国文学作品所作的意义解读与文化阐释趋于理性与精准,这有助于中国文学作品在西方的传播与接受。而霍克思的汉学翻译更是其汉学活动中的重中之重。他的译文精准、译笔流畅,在他的努力下,中国的《楚辞》、杜诗、《红楼梦》、《蟠桃会》和《洞庭湖柳毅传书》等相继远游西方,真正实现了中国文学、文化的域外传播。论文逐一解读霍克思中国文学作品的几大代表性译本,通过细读透视译者传播中国文学与文化的拳拳之枕；并借助译本海外接受情况的一手文献探究译本的西方地位,以明确其在中英文学交流中的作用并总结其中的翻译启示；同时对于译本中不可避免的问题翻译进行归类分析。霍克思的专业汉学家身份,虽然使其译文免于政治、宗教或意识形态上的偏见干扰,但仍无法保证他能够完全准确无误地解读中国文学文化。这些语言、文化或美学意味上的误读、误释及误译是中西文学文化互识中不可避免的现象,但同时也是可以不断完善之处,翻译批评的意义也正在于此。有关霍译文问题翻译的讨论既裨益于后人的翻译实践,也为霍克思汉学译本的再版修缮提供了警戒与参考。
宋贻皓[9]（2020）在《《和我说说话：看语音计算如何全面改变我们的生活、工作与思维》（节选）英汉翻译实践报告》文中提出随着科学技术的不断发展,电子计算机也将迎来全新的时代,而语音计算则是新时代必不可缺的元素之一。语音操作相较于其他人机互动方式优势明显——利用人类最常用的自然语言进行沟通。在此背景下,本报告选取《和我说说话——看语音计算如何全面改变我们的生活、工作与思维》一书的第一章作为翻译实践的原文本。原文属于通俗科技文本,其翻译过程除了语言上的转换之外,还应当包括内容、结构和风格的适当优化,故本次翻译实践活动在总体保留原作内容与形式的基础上,以黄忠廉的变译理论为指导,主要运用摘译、编译以及译述和阐译这四种变译方法,对原文本的部分内容进行了段内和段际处理,其中摘译又分句中删词译与句群中摘句译,编译又分微观层面的编译和宏观层面的编译。这些方法的灵活运用使本次翻译活动得以顺利进行。本项翻译实践活动的意义主要有以下三点:第一,向国内读者普及语音计算方面的知识;第二,促使更多青少年对语音计算产生兴趣,以期为相应领域提供更多的潜在人才;第三,为类似文本的翻译活动提供参考。
任爱青,赵艳秋,曾铭[10]（2003）在《专家点评IC热点 老总纵论企业方略》文中研究说明编者按：我国半导体产业的飞速发展，使中国成为众多集成电路厂商角逐实力的热土。3月24日～25日，中国国际集成电路产业展览暨研讨会在上海举行。许多半导体行业的业内专家和企业老总在包括行业峰会和技术研讨会在内的研讨会上做了精彩演讲。他们独到的见解，精辟的分析，给台
二、《Motorola集成电路应用技术丛书》即将出版（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、《Motorola集成电路应用技术丛书》即将出版（论文提纲范文）
（1）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（2）中国集成电路产业发展研究（论文提纲范文）
| 论文创新点 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 表目次 |
| 图目次 |
| 绪论 |
| 一、研究背景和研究意义 |
| 二、国内外相关研究综述 |
| 三、研究的理论基础 |
| 四、研究内容和研究方法 |
| 五、研究的创新与需要进一步研究的问题 |
| 第一章 集成电路产业概述 |
| 第一节 集成电路 |
| 一、集成电路的涵义 |
| 二、集成电路技术 |
| 三、集成电路的发展历史 |
| 四、集成电路分类 |
| 第二节 集成电路产业 |
| 一、集成电路产业的涵义 |
| 二、集成电路产业的特征 |
| 三、集成电路产业的市场状况 |
| 第三节 集成电路产业的重要地位和作用 |
| 一、集成电路产业是电子信息产业的基础和核心 |
| 二、集成电路产业是国民经济持续增长的推动力 |
| 三、集成电路产业对国防与信息安全具有重要意义 |
| 第四节 集成电路产业的发展趋势 |
| 一、集成电路产业技术发展趋势 |
| 二、集成电路产业结构调整及转移趋势 |
| 三、集成电路产业芯片、整机联动的发展趋势 |
| 四、集成电路产业与资本结合的发展趋势 |
| 五、集成电路产业商业模式的发展趋势 |
| 第二章 中国集成电路产业的发展现状 |
| 第一节 中国集成电路产业发展的总体概况 |
| 一、中国集成电路产业的发展历程 |
| 二、中国集成电路产业的技术创新现状 |
| 三、中国集成电路产业的公共服务现状 |
| 四、中国集成电路产业发展的人才培养现状 |
| 第二节 中国集成电路产业的产业链 |
| 一、集成电路设计产业 |
| 二、集成电路制造产业 |
| 三、集成电路封装与测试产业 |
| 四、集成电路材料与装备产业 |
| 第三节 中国集成电路产业的区域布局 |
| 一、环渤海区域集成电路产业的发展 |
| 二、长三角区域集成电路产业的发展 |
| 三、珠三角区域集成电路产业的发展 |
| 四、西部区域集成电路产业的发展 |
| 第三章 中国集成电路产业发展的问题及原因 |
| 第一节 中国集成电路产业发展存在的问题 |
| 一、市场严重依赖进口 |
| 二、缺乏高端领军企业 |
| 三、工艺水平差距较大 |
| 四、基础技术积累不足 |
| 五、配套技术发展滞后 |
| 六、产业布局尚需优化 |
| 第二节 中国集成电路产业发展存在问题的原因 |
| 一、人才基础相对薄弱 |
| 二、技术创新能力不强 |
| 三、政策支持不能持续 |
| 四、商业模式创新不够 |
| 五、资本投入运作欠缺 |
| 第四章 美、欧、日、韩及中国台湾地区集成电路产业发展的经验和启示 |
| 第一节 美国集成电路产业发展 |
| 一、美国集成电路产业发展历程及现状 |
| 二、美国集成电路产业发展的经验及启示 |
| 第二节 欧洲集成电路产业发展 |
| 一、欧洲集成电路产业发展历程及现状 |
| 二、欧洲集成电路产业发展的经验及启示 |
| 第三节 日、韩集成电路产业发展 |
| 一、日、韩集成电路产业发展历程及经验 |
| 二、日、韩集成电路产业发展特点及启示 |
| 第四节 中国台湾地区集成电路产业发展 |
| 一、中国台湾地区集成电路产业发展历程及经验 |
| 二、中国台湾地区集成电路产业发展特点及启示 |
| 第五章 中国集成电路产业面临的机遇和挑战 |
| 第一节 中国集成电路产业发展面临的环境 |
| 一、宏观环境 |
| 二、市场环境 |
| 三、政策环境 |
| 第二节 中国集成电路产业面临的机遇 |
| 一、全球产业转移带来的发展机遇 |
| 二、国内巨大市场需求带来的发展机遇 |
| 三、国家政策支持带来的机遇 |
| 四、工业化和信息化融合带来的发展机遇 |
| 五、商业模式创新带来的发展机遇 |
| 第三节 中国集成电路产业面临的挑战 |
| 一、全球市场平缓增长,国际竞争更加激烈 |
| 二、产业模式不断创新,全球产业加快重组 |
| 三、技术革新步伐加快,资金门槛不断提高 |
| 四、知识产权竞争加剧,产业生态深度演变 |
| 第六章 中国集成电路产业发展对策 |
| 第一节 加大政策扶持,完善配套政策体系 |
| 一、政策扶持是产业发展的最大助力 |
| 二、产业发展新的突破需要更强力的政策扶持 |
| 第二节 强化技术创新,增强企业核心竞争力 |
| 一、技术创新是集成电路产业快速发展的源泉 |
| 二、鼓励技术创新,促进产业发展 |
| 第三节 整合产业资源,做大做强产业链 |
| 一、资源整合是产业健康发展的必由之路 |
| 二、采取多种措施推动产业做大做强 |
| 第四节 优化区域布局,统筹规划资源投入 |
| 一、集成电路产业群聚效应日益凸现 |
| 二、增强区域聚焦,强化产业协同 |
| 第五节 创新商业模式,实现产业跨越式发展 |
| 一、市场多元化与服务化趋势提供新契机 |
| 二、创新商业模式,实现跨越发展 |
| 第六节 改善投融资体系,培育健康市场环境 |
| 一、改善产业投融资环境,增强市场活力 |
| 二、引导市场规范运作,促进产业良性发展 |
| 第七节 健全激励机制,吸引聚集高端人才 |
| 一、国际竞争需要一流的高端人才 |
| 二、健全激励机制,引进高端人才 |
| 第八节 着眼国际市场,积极实施国际化战略 |
| 一、国际化是产业发展的必然选择 |
| 二、形成产业合力,共同开拓国际市场 |
| 参考文献 |
| 中文部分 |
| 英文部分 |
| 攻读学位期间发表的相关论文 |
| 后记 |
（3）智能制造发展的国际比较与中国抉择（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 绪论 |
| 第一节 研究背景、问题及意义 |
| 一、研究背景 |
| 二、问题的提出 |
| 三、研究意义 |
| 第二节 智能制造研究综述 |
| 一、国外相关研究 |
| 二、国内相关研究 |
| 三、文献评述 |
| 第三节 研究内容、思路及方法 |
| 一、研究内容 |
| 二、研究思路 |
| 三、研究方法 |
| 第四节 主要创新点 |
| 第一章 研究智能制造发展的理论基础 |
| 第一节 马克思技术进步理论及资本有机构成理论 |
| 一、技术进步和机器大工业生产理论 |
| 二、资本有机构成理论 |
| 第二节 西方经济学相关理论 |
| 一、熊彼特创新及经济周期理论 |
| 二、弗里曼工业创新及演化经济学理论 |
| 三、佩雷斯技术-经济范式及技术革命周期演化理论 |
| 四、其他新熊彼特学派学者的创新和演化经济学理论 |
| 第二章 智能制造发展演化的机理及其技术-经济范式 |
| 第一节 智能制造的定义及内涵界定 |
| 一、有关智能制造的定义概述 |
| 二、本文对于智能制造概念的界定 |
| 第二节 智能制造产生的动力分析 |
| 一、技术进步是智能制造产生的根本动力 |
| 二、经济危机是智能制造产生的催化剂 |
| 第三节 智能制造的生产组织模式 |
| 一、制造业生产组织模式变迁 |
| 二、智能制造的生产组织模式创新 |
| 第四节 智能制造的技术-经济范式体系 |
| 一、范式及技术-经济范式概念界定 |
| 二、技术革命的划分及其技术-经济范式变迁分析 |
| 三、第三次工业革命下的智能制造技术-经济范式 |
| 第三章 智能制造关键基础性产业全球发展态势比较分析 |
| 第一节 集成电路和传感器产业 |
| 第二节 高档数控机床产业 |
| 第三节 工业机器人产业 |
| 第四节 软件和信息技术服务业 |
| 第四章 G20国家智能制造发展水平实证分析 |
| 第一节 智能制造发展水平的分析思路及方法 |
| 一、智能制造发展水平的分析思路 |
| 二、投入产出分析方法及直接消耗系数 |
| 三、制造业智能化指数的概念及其对智能制造发展水平的表征 |
| 第二节 相关产业的界定 |
| 一、信息通信技术产业的界定 |
| 二、机械自动化产业的界定 |
| 三、制造业的行业界定 |
| 第三节 制造业智能化指数的计算及数据来源 |
| 一、制造业智能化指数的计算方法 |
| 二、研究的国别及数据来源 |
| 第四节 实证结果分析 |
| 一、各国智能制造总体发展水平比较分析 |
| 二、分行业智能制造发展水平比较分析 |
| 三、中国智能制造发展水平分析 |
| 第五章 典型国家智能制造发展模式比较与经验借鉴 |
| 第一节 美国国家创新体系及先进制造业发展战略 |
| 一、美国国家创新体系和创新政策演变分析 |
| 二、美国先进制造业及工业互联网发展战略 |
| 第二节 德国国家创新体系及工业4.0战略 |
| 一、德国国家创新体系和创新政策演变分析 |
| 二、德国高技术创新战略及工业4.0发展战略 |
| 第三节 日本国家创新体系及新机器人战略 |
| 一、日本国家创新体系和创新政策演变分析 |
| 二、日本新机器人战略及互联工业倡议 |
| 第四节 美、德、日智能制造发展模式比较与启示 |
| 一、美、德、日智能制造发展模式的相同点 |
| 二、美、德、日智能制造发展模式的不同点 |
| 三、几点启示 |
| 第六章 中国智能制造发展现状分析 |
| 第一节 中国智能制造发展情况概述 |
| 一、智能制造发展的顶层设计逐步完善 |
| 二、智能制造标准体系建设全面展开 |
| 三、智能制造关键基础性产业持续发展 |
| 四、企业积极参与推动智能制造发展 |
| 五、各地方政府主动对接智能制造发展 |
| 第二节 中国智能制造发展存在的问题分析 |
| 一、智能制造发展基础薄弱,自主创新意识和能力不强 |
| 二、官产学研的协同创新机制尚未建立起来 |
| 三、智能制造推进平台缺失 |
| 四、企业的主体引领作用不突出 |
| 五、政策规划相对宽泛,没有突出自身特点和优势 |
| 六、相关教育和人才缺失 |
| 第七章 推进中国智能制造发展的创新路径 |
| 第一节 推进中国智能制造发展的基本原则 |
| 第二节 推进中国智能制造发展的路径分析 |
| 一、发展目标:以建设制造强国为目标的智能制造发展导向 |
| 二、创新主导力量:政府引领、产业界主导、研究机构和大学紧密合作的智能制造创新网络 |
| 三、涵盖领域:涵盖重要战略性新兴产业的智能制造发展领域 |
| 四、重点环节和思路:面向不同发展优势和水平的差异化发展战略 |
| 第三节 推进中国智能制造发展的对策建议 |
| 一、深化智能制造相关基础理论体系的研究 |
| 二、加强智能制造关键技术和装备的攻关 |
| 三、健全智能制造发展的体制机制 |
| 四、完善智能制造发展的政策保障 |
| 五、强化智能制造相关人才的教育和培训 |
| 第八章 结论 |
| 第一节 本文的主要结论 |
| 第二节 有待进一步研究的问题 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（4）印刷电路板布图设计知识产权保护研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 一、导论 |
| (一) 研究背景及意义 |
| 1. 研究背景 |
| 2. 研究意义 |
| (二) 国内外相关研究综述 |
| 1. 国内研究现状 |
| 2. 国外研究现状 |
| (三) 研究内容与方法 |
| 1. 研究内容 |
| 2. 研究方法 |
| (四) 可能的创新之处 |
| 二、PCB布图设计保护概述 |
| (一) PCB布图设计的概念及特征 |
| (二) 保护PCB布图设计知识产权的正当性 |
| 1. 法学上的依据 |
| 2. 经济学上的依据 |
| (三) 保护PCB布图设计知识产权的重要意义 |
| 1. 保护设计者智力劳动成果的内在要求 |
| 2. 保护厂商合法权益的应有之义 |
| 3. 保护公众利益的客观需要 |
| 三、PCB布图设计知识产权保护现状与困境 |
| 四、中国PCB布图设计知识产权现有保护模式分析 |
| (一) 着作权法保护模式分析 |
| 1. 适用着作权法保护的法律依据 |
| 2. 适用着作权法保护存在的不足 |
| (二) 专利法保护模式分析 |
| 1. 适用专利法权保护的法律依据 |
| 2. 适用专利权法保护存在的不足 |
| (三) 反不正当竞争法保护模式分析 |
| 1. 适用反不正当竞争法保护的法律依据 |
| 2. 适用反不正当竞争法保护存在的不足 |
| (四) 集成电路布图设计保护模式分析 |
| 1. 适用集成电路布图设计保护的法律依据 |
| 2. 适用集成电路布图设计保护存在的不足 |
| 五、PCB布图设计知识产权保护的域外法考察 |
| (一) 国际条约相关规定 |
| (二) 美国保护模式 |
| (三) 欧共体保护模式 |
| (四) 日本保护模式 |
| (五) 韩国保护模式 |
| (六) 台湾地区保护模式 |
| 六、构建PCB布图设计知识产权综合保护机制 |
| (一) PCB布图设计知识产权的专门立法保护 |
| 1. 权利主体 |
| 2. 权利客体 |
| 3. 权利内容 |
| 4. 权利取得方式 |
| 5. 侵权行为判断以及例外 |
| 6. 权利救济方式 |
| (二) PCB布图设计知识产权的配套保护机制 |
| 1. 加强PCB布图设计知识产权的行政保护 |
| 2. 加强PCB布图设计知识产权的内部保护 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（5）塑料封装球栅阵列温度循环可靠性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路的发展与电子封装 |
| 1.1.1 集成电路的发展 |
| 1.1.2 电子封装的目的、功能及分层 |
| 1.1.3 电子封装的演变及其发展趋势 |
| 1.2 电子封装的新宠儿—球栅阵列封装（BGA） |
| 1.2.1 BGA基本介绍 |
| 1.2.2 塑料封装球栅阵列—PBGA |
| 1.3 BGA器件的可靠性 |
| 1.3.1 可靠性实验分类 |
| 1.3.2 BGA焊点失效的一般规律 |
| 1.3.3 现有文献对PBGA可靠性的研究 |
| 1.3.4 常用的改善BGA器件的方法 |
| 1.3.5 底充胶在C4技术中的应用 |
| 1.4 半导体器件以及集成电路的失效分析技术 |
| 1.5 本论文的目的以及研究内容 |
| 第二章 实验原理与实验方法 |
| 2.1 实验原理 |
| 2.1.1 PBGA器件内的热膨胀失配以及由此产生的应力集中 |
| 2.1.2 温度循环（冲击）实验 |
| 2.1.3 染色剂渗透实验 |
| 2.1.4 失效样品的剖样以及金相观察 |
| 2.1.5 焊料溶解实验 |
| 2.1.6 EDX成分分析的原理简介 |
| 2.1.7 C-SAM检测界面分层原理简介 |
| 2.2 本试验的样品简介 |
| 2.3 试验设备及试验条件 |
| 2.3.1 温度循环试验 |
| 2.3.2 金相样品的制备及观察 |
| 2.3.3 染色剂渗透试验 |
| 第三章 实验结果与讨论 |
| 3.1 裂纹萌生以及焊点的寿命 |
| 3.1.1 无底层填料样品 |
| 3.1.2 有底层填料样品 |
| 3.2 焊料组织粗化 |
| 3.2.1 未充胶样品不同循环周次的样品组织粗化比较图 |
| 3.2.2 同一循环周次，充胶样品和未充胶样品的组织粗化比较 |
| 3.2.3 金属学原理对焊点组织粗化的解释 |
| 3.3 染色剂渗透实验结果以及微裂纹在焊点阵列中的分布情况 |
| 3.3.1 500周循环的未充胶样品的染色实验结果 |
| 3.3.2 1000周循环的未充胶样品染色实验结果 |
| 3.4 染色实验和金相切片实验结果的结合的必要性 |
| 3.5 Ni-Sn金属间化合物的生成 |
| 3.5.1 金属间化合物在微焊接中的作用 |
| 3.5.2 断口分析实验 |
| 3.5.3 实验结果 |
| 3.5.4 对金属间化合物成分的再讨论 |
| 3.5.5 断裂的分类 |
| 3.6 热循环过程中芯片粘接层分层 |
| 3.6.1 C-SAM技术检测界面分层原理简介 |
| 3.6.2 对芯片粘接层分层的讨论 |
| 3.7 本章总结及讨论 |
| 第四章 焊点应力应变分析 |
| 4.1 二维有限元模型 |
| 4.2 构成BGA焊点的各部分材料模式的确定 |
| 4.3 应力应变模拟结果分析 |
| 4.3.1 同一时刻三个焊球的应力应变值比较 |
| 4.3.2 整个温度循环过程中焊球的应力应变值比较 |
| 4.4 本章结论 |
| 第五章 论文总结及对PBGA的展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 对PBGA未来的展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（6）技术跨越的理论与实证研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 第一节 技术经济赶超的困境 |
| 第二节 技术跨越的提出及高技术产业技术跨越 |
| 第三节 本文的研究对象及研究方法 |
| 第四节 本文的研究思路和框架 |
| 本章小节 |
| 第二章 技术跨越的概念、测度和类型 |
| 第一节 几个相关的基本概念 |
| 第二节 技术跨越概念及其测度 |
| 第三节 技术跨越的类型 |
| 本章小节 |
| 第三章 技术跨越的机会研究 |
| 第一节 技术轨道和技术跨越机会研究 |
| 第二节 技术单元与技术跨越机会研究 |
| 第三节 技术群体结构与技术跨越 |
| 本章小节 |
| 第四章 技术跨越的过程研究 |
| 第一节 技术跨越的整体观模型 |
| 第二节 技术扫描研究 |
| 第三节 技术跨越点选择研究 |
| 第四节 技术跨越临界点研究 |
| 第五节 技术跨越的后续工作研究 |
| 本章小节 |
| 第五章 技术跨越中的技术能力研究 |
| 第一节 技术跨越和技术能力 |
| 第二节 技术跨越的技术能力体系构建 |
| 第三节 基于技术跨越技术能力体系的实证研究 |
| 第四节 赶超型国家的技术能力发展和成长型技术跨越 |
| 本章小结 |
| 第六章 技术跨越的组织研究 |
| 第一节 技术跨越组织模式的机理及其选择 |
| 第二节 技术跨越组织主体的选择 |
| 第三节 技术跨越的企业组织模式 |
| 第四节 国家关键技术计划与政府主导型技术跨越组织模式 |
| 本章小节 |
| 第七章 技术跨越的条件研究 |
| 第一节 技术跨越条件的研究综述及理论框架 |
| 第二节 技术跨越条件的实证调研和因子分析 |
| 第三节 技术跨越条件的重要问题政策建议 |
| 本章小节 |
| 第八章 技术跨越战略的经济评估研究 |
| 第一节 技术跨越和市场需求 |
| 第二节 移动通信技术跨越战略概述及其整体商务模型构建 |
| 第三节 整体商务模型的方法、假设和输入数据 |
| 第四节 商务模型结论和技术跨越战略经济评估 |
| 第五节 灵敏度分析和情景分析 |
| 本章小节 |
| 第九章 结论和展望 |
| 第一节 本文的主要结论 |
| 第二节 本文的特点和创新 |
| 第三节 进一步研究展望 |
| 附件： |
| 附件一： 关于技术跨越条件的问卷调查 |
| 附件二： 技术跨越中的技术能力问题测量问卷 |
| 附件三： 移动服务调查表 |
| 主要参考文献 |
| 作者攻读博士学位期间的主要研究工作 |
| 致谢 |
（7）日美半导体贸易摩擦研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| (一)选题背景与意义 |
| 1.选题背景 |
| 2.研究意义 |
| (二)文献综述 |
| 1.日美贸易摩擦研究 |
| 2.日美半导体贸易摩擦研究 |
| 3.双层博弈模型研究 |
| (三)研究思路与方法 |
| 1.研究思路 |
| 2.研究方法 |
| (四)创新与不足 |
| 1.本文的创新之处 |
| 2.本文的不足之处 |
| 一、日美半导体贸易摩擦的背景与过程 |
| (一)日美半导体贸易摩擦的背景 |
| 1.日本半导体产业国际竞争力迅速提升 |
| 2.美国半导体产业竞争优势降低 |
| (二)日美半导体贸易摩擦的过程 |
| 1.日美半导体贸易摩擦前史(20世纪70年代后期至1985年) |
| 2.日美半导体贸易摩擦第一阶段(1985年至1986年) |
| 3.日美半导体贸易摩擦第二阶段(1986年至1991年) |
| 4.日美半导体贸易摩擦结束(1996年) |
| 二、日美半导体贸易摩擦的双层博弈分析 |
| (一)国内层面的博弈分析 |
| 1.模型介绍 |
| 2.模型均衡状态 |
| 3.美国国内博弈与政府决策选择 |
| 4.日本国内博弈与政府决策选择 |
| (二)国际层面的博弈分析 |
| 1.模型构建 |
| 2.模型的稳定策略 |
| 3.谈判过程中日美两国的策略选择 |
| 三、日美半导体贸易摩擦的影响 |
| (一)日美半导体贸易摩擦对美国的影响 |
| 1.对美国半导体企业的影响 |
| 2.对美国半导体市场的影响 |
| 3.对美国半导体相关产业的影响 |
| 4.对美国社会福利的影响 |
| (二)日美半导体贸易摩擦对日本的影响 |
| 1.对日本半导体企业的影响 |
| 2.对日本半导体市场的影响 |
| 3.对日本半导体产业的影响 |
| 4.对日本社会福利的影响 |
| (三)对全球半导体产业的影响 |
| 四、对日美半导体贸易摩擦的评价 |
| (一)日美半导体贸易摩擦的特点 |
| 1.美国的策略先民间提起后政府跟进 |
| 2.美国处于主动和进攻地位 |
| 3.日本处于被动和防御地位 |
| 4.确立了唯一一个数值规定 |
| 5.在半导体领域的竞争主要表现为市场的争夺与保护 |
| (二)日美半导体贸易摩擦的实质 |
| 五、结论和启示 |
| (一)结论 |
| (二)启示 |
| 参考文献 |
| 后记 |
（8）中英文学交流语境中的汉学家大卫·霍克思研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 中文文摘 |
| 目录 |
| Contents |
| 绪论 |
| 第一节 选题理由 |
| 第二节 文献回顾 |
| 一、国内霍克思研究现状 |
| 二、国外霍克思研究现状 |
| 三、其他重要资料与信息 |
| 第三节 可拓展的空间 |
| 第一章 霍克思——英国专业汉学奠基人与中坚力量 |
| 第一节 英国汉学史分期 |
| 一、“汉学”相关概念厘定 |
| 二、英国汉学史的四个时代 |
| 三、专业汉学时代的四个阶段 |
| 第二节 霍克思在英国汉学史上的地位 |
| 一、六十余年的汉学生涯 |
| 二、英国专业汉学奠基人与中坚力量 |
| 本章小结 |
| 第二章 霍克思的汉学观——以学术为本位 |
| 第一节 霍克思的汉学研究观 |
| 一、汉学研究价值的认知 |
| 二、汉学研究内容的明确 |
| 三、汉学论着读者的判定 |
| 四、汉学研究方法的主张 |
| 五、汉学文献阐释的视域 |
| 第二节 霍克思的中国文学文化观 |
| 一、霍克思谈儒教 |
| 二、霍克思论新中国的文化发展 |
| 三、霍克思看新文化运动 |
| 第三节 霍克思的汉学翻译观 |
| 一、追求忠实传译与接受效果 |
| 二、明确目的与读者群 |
| 三、注重文本的学术研究 |
| 四、再现意象与典故 |
| 五、兼顾作者、读者与文本 |
| 六、主张翻译无定则 |
| 本章小结 |
| 第三章 霍克思的汉学教学——专业汉学人才的培养 |
| 第一节 牛津汉学教学的滥觞与发展 |
| 一、牛津学院式汉学的建立 |
| 二、牛津汉学科地位的确立 |
| 第二节 牛津专业汉学的正式确立 |
| 一、霍克思汉学讲座教授就职演说 |
| 二、霍克思牛津汉学教学实践 |
| 本章小结 |
| 第四章 霍克思的汉学研究——汉学文献的意义阐释 |
| 第一节 霍克思《楚辞》研究 |
| 一、《楚辞》研究概述 |
| 二、《楚辞》研究成果 |
| 第二节 霍克思中国诗歌研究 |
| 一、霍克思对汉诗欣赏的见解 |
| 二、霍克思对超自然现象的继续关注 |
| 第三节 霍克思《红楼梦》研究 |
| 一、《红楼梦》中的超自然力 |
| 二、《红楼梦》中的象征主义与幻灭主题 |
| 三、《红楼梦》的前身与开篇 |
| 第四节 霍克思的中国戏曲研究 |
| 一、霍克思中国杂剧研究 |
| 二、霍克思《桃花扇》研究 |
| 第五节 霍克思的中国文学专题研究 |
| 一、对中国文学“情”的关注 |
| 二、关于钱钟书的个案研究 |
| 本章小结 |
| 第五章 《楚辞》全译本——南楚文化的西方展示 |
| 第一节 霍克思《楚辞》翻译渊源 |
| 第二节 《楚辞》英译的预设目标 |
| 第三节 《楚辞，南方之歌》的准确性诉求 |
| 一、选择可信的翻译底本 |
| 二、倚重中外学者的前沿成果 |
| 三、全译展现原貌 |
| 四、做足辅助工作 |
| 五、选择恰当的翻译策略 |
| 第四节 《楚辞，南方之歌》的可读性追求 |
| 一、注释和导论简单明了 |
| 二、花草译名趋于通俗易懂 |
| 三、度量衡西化及独特排版 |
| 四、尽力保留原作的意象与典故 |
| 五、利用节奏与谐音稍现原作音韵 |
| 第五节 霍克思《楚辞》译本修订与标准 |
| 一、修订版的改动 |
| 二、修订标准 |
| 第六节 霍克思《楚辞》译本的影响 |
| 一、西方评价 |
| 二、被征引情况 |
| 三、翻译启示 |
| 第七节 霍克思《楚辞》译本的误译问题 |
| 一、初版正确修订时改错 |
| 二、两版译文均存在问题 |
| 本章小结 |
| 第六章 《杜诗入阶》——中国文化的入门教材 |
| 第一节 《杜诗入阶》的翻译渊源 |
| 一、早期对杜诗的关注 |
| 二、译介对象的选定 |
| 第二节 《杜诗入阶》的特色编排体例 |
| 一、注本体例 |
| 二、文化传播的有效性 |
| 第三节 《杜诗入阶》的中国文化传播 |
| 一、《杜诗入阶》中国文化传播全举 |
| 二、《杜诗入阶》的交流价值界定 |
| 第四节 《杜诗入阶》的西方接受 |
| 一、《杜诗入阶》在西方的接受情况 |
| 二、《杜诗入阶》西方接受之思考 |
| 第五节 《杜诗入阶》译文问题 |
| 一、专有名词把握不准 |
| 二、一词多义选择不当 |
| 三、字词句义不解 |
| 四、诗句停顿或结构混乱 |
| 五、典故与成语的误读 |
| 本章小结 |
| 第七章 《石头记》——说英语的“石头” |
| 第一节 娱乐读者的文学翻译 |
| 一、《石头记》的翻译渊源 |
| 二、《石头记》的翻译初衷 |
| 三、签约翻译《红楼梦》 |
| 第二节 《石头记》的翻译底本 |
| 一、以程高本为主 |
| 二、综合脂本文字 |
| 第三节 《石头记》的翻译策略 |
| 一、地道英语生动再现异域文化 |
| 二、文内添译减轻通信负荷 |
| 三、以不同语种分类翻译原作人名 |
| 四、调和中英文化差异的必要改译 |
| 五、“译出一切”再现译本原貌 |
| 第四节 《石头记》的接受效果 |
| 一、华人世界的普遍赞同 |
| 二、西方世界的广泛关注 |
| 第五节 关于《石头记》的更多思考 |
| 一、《石头记》成功的译外因素 |
| 二、《石头记》存在的问题 |
| 三、关于《石头记》的归化问题 |
| 四、《石头记》在新世纪面临的挑战 |
| 本章小结 |
| 第八章 霍克思中国戏曲翻译——未竟的理想 |
| 第一节 戏曲片段翻译 |
| 第二节 《蟠桃会》翻译 |
| 第三节 《洞庭湖柳毅传书》翻译 |
| 一、力求译出一个演出剧本 |
| 二、长篇导论与附录的助阵 |
| 第四节 霍克思戏曲英译之反思 |
| 一、主观上的西方立场 |
| 二、客观上的重重困难 |
| 本章小结 |
| 结论 |
| 附录1 霍克思亲笔赋次韵汉诗 |
| 附录2 大卫·霍克思汉学年谱简编 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（9）《和我说说话：看语音计算如何全面改变我们的生活、工作与思维》（节选）英汉翻译实践报告（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 翻译任务描述 |
| 1.1 任务背景 |
| 1.2 任务意义 |
| 第二章 翻译文本分析 |
| 2.1 文本来源 |
| 2.2 文本内容 |
| 2.3 文本特征 |
| 第三章 翻译过程描述 |
| 3.1 译前准备 |
| 3.1.1 翻译工作的总体规划 |
| 3.1.2 平行文本的阅读 |
| 3.1.3 术语表的制作 |
| 3.1.4 变译理论的采用 |
| 3.2 翻译任务的执行和翻译质量的监控 |
| 3.2.1 翻译任务的执行 |
| 3.2.2 翻译质量的监控 |
| 3.3 译文的修改校对 |
| 3.3.1 译文的准确性 |
| 3.3.2 译文的连贯性 |
| 第四章 变译理论指导下的案例分析 |
| 4.1 摘译 |
| 4.1.1 句中删词译 |
| 4.1.2 句群中摘句译 |
| 4.2 编译 |
| 4.2.1 微观方法:合叙与理顺 |
| 4.2.2 宏观方法:段际编译 |
| 4.3 其他变译方法 |
| 4.3.1 译述 |
| 4.3.2 阐译 |
| 第五章 翻译实践总结 |
| 5.1 经验与体会 |
| 5.2 思考与启示 |
| 参考文献 |
| 附录1 翻译任务原文及译文 |
| 附录2 术语表 |
| 致谢 |
四、《Motorola集成电路应用技术丛书》即将出版（论文参考文献）
- [1]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [2]中国集成电路产业发展研究[D]. 王鹏飞. 武汉大学, 2014(06)
- [3]智能制造发展的国际比较与中国抉择[D]. 王媛媛. 福建师范大学, 2019(12)
- [4]印刷电路板布图设计知识产权保护研究[D]. 王金龙. 苏州大学, 2019(04)
- [5]塑料封装球栅阵列温度循环可靠性研究[D]. 张礼季. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）, 2002(02)
- [6]技术跨越的理论与实证研究[D]. 姚志坚. 浙江大学, 2002(01)
- [7]日美半导体贸易摩擦研究[D]. 张孝孝. 东北师范大学, 2020(06)
- [8]中英文学交流语境中的汉学家大卫·霍克思研究[D]. 王丽耘. 福建师范大学, 2012(01)
- [9]《和我说说话：看语音计算如何全面改变我们的生活、工作与思维》（节选）英汉翻译实践报告[D]. 宋贻皓. 湘潭大学, 2020(02)
- [10]专家点评IC热点 老总纵论企业方略[N]. 任爱青,赵艳秋,曾铭. 中国电子报, 2003