一、中国科学院半导体材料科学实验室（论文文献综述）
刘欣[1]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中研究指明有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
陈亚男,张烨,郁万成,龚猛,杨霏,刘瑞,王嘉铭,李玲,金鹏,王占国[2]（2017）在《金刚石半导体材料和器件的研究现状》文中认为简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向。最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望。
陆丹,杨秋露,王皓,贺一鸣,齐合飞,王欢,赵玲娟,王圩[3]（2020）在《通信波段半导体分布反馈激光器》文中研究指明半导体分布反馈（DFB）激光器以其卓越的光谱特性、调制特性以及低成本、可量产优势已经成为光纤通信、空间光通信中的重要光源,并将在5G、数据中心、激光雷达以及微波光子学等应用中发挥不可替代的作用。针对通信波段半导体DFB激光器的不同应用需求及特征展开综述,分别就直接调制DFB激光器、大功率DFB激光器以及低噪声（窄线宽及低相对强度噪声）DFB激光器的设计原理、优化方法及进展进行了整理、评述与展望。
刘峰奇,张锦川,刘俊岐,卓宁,王利军,刘舒曼,翟慎强,梁平,胡颖,王占国[4]（2020）在《量子级联激光器研究进展》文中研究说明因量子级联激光器的工作波长可覆盖红外到太赫兹波段,在大气污染检测、工业污染监控、医学诊断、毒品及生化危险品灵敏检测、自由空间通信等领域具有广泛的应用前景。从1994年问世到现在,量子级联激光器已经从最初的实验室原理器件发展到可实用化的红外波段最具发展前景的半导体激光器。本文从量子级联激光器设计思路的演进、工作波长范围的扩展、提高输出功率、实现单模的宽调谐、提高光束质量等方面依次介绍相应的研究进展,最后给出简要总结与展望。
赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,董志远,刘刚,高永亮,杨凤云,王风华,王俊,刘京明,谢辉,王应利,卢超[5]（2017）在《4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究》文中研究指明采用高压垂直温度梯度凝固法（VGF）生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径（100）InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其（004）X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法（LEC）相比,VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显着增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为（100）方向,这确保从生长的4 inch VGF-InP（100）晶锭上仍能获得相当数量的24 inch（100）晶片。由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率。对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。
杨俊,段满龙,卢伟,刘刚,高永亮,董志远,王俊,杨凤云,王凤华,刘京明,谢辉,王应利,卢超,赵有文[6]（2017）在《低位错密度4 inch GaSb（100）单晶生长及高质量衬底制备》文中研究说明采用液封直拉法（LEC）生长了4 inch直径（100）GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭（100）单晶,单晶锭的重量为58 kg,成晶率可达80%以上。4 inch（100）晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2 ,其（004）双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。
付方彬,金鹏,刘雅丽,龚猛,吴巨,王占国[7]（2016）在《MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状》文中研究表明简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。
黄飞,薄志山,耿延候,王献红,王利祥,马於光,侯剑辉,胡文平,裴坚,董焕丽,王树,李振,帅志刚,李永舫,曹镛[8]（2019）在《光电高分子材料的研究进展》文中研究表明光电活性共轭高分子是高分子科学的前沿研究方向.共轭高分子光电材料的研究在中国引起了学术界的广泛兴趣,中国的学者们对推动此研究领域的发展做出了重要贡献,并在新的高性能光电共轭高分子的分子设计、新型及可控聚合、性能调控以及光电应用等方面取得了一系列重要的创新成果.本文总结和评述了中国学者在光电高分子领域的研究成果与最新进展,并展望了其未来的发展.
王皓,张瑞康,陆丹,王宝军,黄永光,王圩,赵玲娟[9]（2019）在《1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列》文中指出提出一种基于AlGaInAs材料的1.55-μm波段的大功率、高速直调分布反馈（DFB）激光器阵列。采用具有良好温度特性和高微分增益的AlGaInAs材料作为量子阱和波导层以实现大功率与高带宽的输出;引入稀释波导结构来减小有源区内部损耗,同时降低远场发散角;采用悬浮光栅并优化耦合系数以实现大注入电流下的单模稳定工作。最终实现了1.5-μm波段5波长的大功率直调激光器阵列,阵列波长间隔约为5 nm,室温连续波（CW）工作时各通道输出光功率均大于100 mW,单通道最大输出光功率为160 mW,500 mA工作电流范围内边模抑制比大于55 dB,小信号调制带宽可达7 GHz,激光器最小线宽为520 kHz,相对强度噪声低于-145 dB/Hz。
吕尊仁,张中恺,王虹,丁芸芸,杨晓光,孟磊,柴宏宇,杨涛[10]（2020）在《1.3μm半导体量子点激光器的研究进展》文中研究表明由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点（QD）激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高抗反射等优异性能,有望在未来高速光通信及高速光互连等领域有重要的应用。同时,量子点结构具有对位错不敏感的特性,使得量子点激光器成为实现硅光集成所迫切需求的高效光源强有力候选者。先简要综述1.3μm半导体量子点激光器的研究进展,再着重介绍GaAs基量子点激光器在阈值电流密度、温度稳定性、调制速率和抗反射特性等方面展示出的优异特性,最后对在切斜Si衬底和Si（001）衬底上直接外延生长的量子点激光器进行介绍。
二、中国科学院半导体材料科学实验室（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、中国科学院半导体材料科学实验室（论文提纲范文）
（1）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（2）金刚石半导体材料和器件的研究现状（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 MPCVD法制备单晶金刚石的研究 |
| 2 金刚石掺杂 |
| 2.1 p型掺杂 |
| 2.2 n型掺杂 |
| 2.3 金刚石的共掺杂 |
| 3 金刚石的应用 |
| 3.1 电力电子器件 |
| 3.2 探测器件 |
| 3.3 场发射器件 |
| 4 结语 |
（3）通信波段半导体分布反馈激光器（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 半导体DFB激光器的基本原理 |
| 3 半导体DFB激光器进展 |
| 3.1 高速直接调制DFB激光器 |
| 3.1.1 量子阱优化 |
| 3.1.2 材料体系选取 |
| 3.1.3 光栅及分别限制层优化 |
| 3.1.4 有源区体积优化 |
| 3.1.5 集成无源结构 |
| 3.1.6 光子-光子谐振效应 |
| 3.2 大功率DFB激光器 |
| 3.2.1 大功率设计 |
| 3.2.1.1 量子阱优化 |
| 3.2.1.2 腔长优化 |
| 3.2.1.3 分别限制层及盖层优化 |
| 3.2.2 模式控制 |
| 3.2.2.1 纵模控制 |
| 3.2.2.2 横模及侧模控制 |
| 3.3 低噪声DFB激光器 |
| 3.3.1 有源区材料设计 |
| 3.3.2 腔长优化 |
| 3.3.3 光栅优化 |
| 4 结束语 |
（4）量子级联激光器研究进展（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 量子级联激光器设计思路的演进 |
| 3 工作波长范围拓展 |
| 4 红外QCL大功率研究进展 |
| 5 红外QCL单模可调谐研究进展 |
| 6 低功耗高光束质量红外QCL研究进展 |
| 7 结束语 |
（5）4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 单晶生长实验 |
| 3 结果与讨论 |
| 4 结论 |
（6）低位错密度4 inch GaSb（100）单晶生长及高质量衬底制备（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 单晶生长实验 |
| 3 结果与讨论 |
| 4 结论 |
（7）MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 半导体单晶金刚石衬底的制备 |
| 1.1 单晶金刚石的高速生长研究 |
| 1.2 大面积单晶金刚石的生长研究 |
| 2 高质量半导体单晶金刚石的制备 |
| 3 单晶金刚石的掺杂研究 |
| 3.1 金刚石掺杂的理论研究 |
| 3.1.1 Li,Na,Al和N在金刚石中的掺杂 |
| 3.1.2 金刚石中的共掺杂 |
| 3.2 金刚石p型掺杂的实验研究 |
| 3.3 金刚石n型掺杂的实验研究 |
| 4 结语 |
（9）1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 器件设计与制作 |
| 3 实验结果与讨论 |
| 4 结 论 |
（10）1.3μm半导体量子点激光器的研究进展（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 量子点材料 |
| 3 GaAs基量子点激光器 |
| 3.1 低阈值电流 |
| 3.2 高温度稳定 |
| 3.3 高调制速率 |
| 3.4 抗反射特性 |
| 3.5 激发态及双态激射 |
| 4 Si基量子点激光器 |
| 4.1 斜切角硅基直接外延 |
| 4.2 Si(001)晶向直接外延 |
| 5 总结与展望 |
四、中国科学院半导体材料科学实验室（论文参考文献）
- [1]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [2]金刚石半导体材料和器件的研究现状[J]. 陈亚男,张烨,郁万成,龚猛,杨霏,刘瑞,王嘉铭,李玲,金鹏,王占国. 微纳电子技术, 2017(04)
- [3]通信波段半导体分布反馈激光器[J]. 陆丹,杨秋露,王皓,贺一鸣,齐合飞,王欢,赵玲娟,王圩. 中国激光, 2020(07)
- [4]量子级联激光器研究进展[J]. 刘峰奇,张锦川,刘俊岐,卓宁,王利军,刘舒曼,翟慎强,梁平,胡颖,王占国. 中国激光, 2020(07)
- [5]4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究[J]. 赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,董志远,刘刚,高永亮,杨凤云,王风华,王俊,刘京明,谢辉,王应利,卢超. 人工晶体学报, 2017(05)
- [6]低位错密度4 inch GaSb（100）单晶生长及高质量衬底制备[J]. 杨俊,段满龙,卢伟,刘刚,高永亮,董志远,王俊,杨凤云,王凤华,刘京明,谢辉,王应利,卢超,赵有文. 人工晶体学报, 2017(05)
- [7]MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状[J]. 付方彬,金鹏,刘雅丽,龚猛,吴巨,王占国. 微纳电子技术, 2016(09)
- [8]光电高分子材料的研究进展[J]. 黄飞,薄志山,耿延候,王献红,王利祥,马於光,侯剑辉,胡文平,裴坚,董焕丽,王树,李振,帅志刚,李永舫,曹镛. 高分子学报, 2019(10)
- [9]1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列[J]. 王皓,张瑞康,陆丹,王宝军,黄永光,王圩,赵玲娟. 光学学报, 2019(09)
- [10]1.3μm半导体量子点激光器的研究进展[J]. 吕尊仁,张中恺,王虹,丁芸芸,杨晓光,孟磊,柴宏宇,杨涛. 中国激光, 2020(07)